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控制回路仿真入門：LTspice波特圖分析詳解
在電源設計中，控制回路的穩定性是確保電源可靠運行的關鍵。一個設計不當的控制回路可能導致電源振蕩、輸出紋波過大，甚至降低電磁兼容性（EMC）性能。此外，控制回路的響應速度直接影響到電源對負載變化和輸入電壓波動的適應能力。為了確保電源的穩定性和高效性，控制回路的仿真分析至關重要。
2025-06-25
LTspice 波特圖分析 控制回路仿真 開關穩壓器 電源穩定性優化 相位裕度 增益帶寬
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EA電池模擬器：重構電池研發全流程的技術引擎
在新能源產業爆發式增長的背景下，電池技術已成為制約電動汽車續航里程、消費電子產品體驗、可再生能源儲能效率的關鍵瓶頸。傳統電池研發模式依賴大量物理原型迭代，不僅面臨周期長、成本高的挑戰，更難以覆蓋極端工況下的性能驗證。EA電池模擬器的出現，通過構建電池的數字孿生模型，為工程師提供...
2025-06-25
EA電池模擬器 電池仿真技術 雙向直流電源 電池內阻測試 電池模擬軟件
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破局電動車續航！羅姆第4代SiC MOSFET驅動助力豐田bZ5性能躍遷
全球知名半導體制造商羅姆（總部位于日本京都市）今日宣布，搭載了羅姆第4代SiC MOSFET裸芯片的功率模塊，已應用于豐田汽車公司（TOYOTA MOTOR CORPORATION.，以下簡稱“豐田”）面向中國市場的全新跨界純電動汽車（BEV)“bZ5”的牽引逆變器中。
2025-06-24
羅姆 豐田bZ5 電驅技術 第四代SiC MOSFET 車規級碳化硅模塊 電動車牽引逆變器
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羅姆助力英偉達800V HVDC重塑AI數據中心能源架構
隨著人工智能算力需求爆發性增長的浪潮下，支撐其運行的底層能源架構正經歷顛覆性升級。羅姆（ROHM） 以其先進的功率半導體技術，成為英偉達（NVIDIA） 全新800V高壓直流（HVDC）數據中心供電架構的核心方案提供者。這一合作聚焦于提升兆瓦級AI工廠的能量轉換效率與功率密度，為下一代超大規模計算...
2025-06-23
羅姆 英偉達 800V HVDC NVIDIA 800V 電源方案 AI數據中心電源
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攻克次諧波振蕩：CCM反激斜坡補償的功率分級指南
在CCM反激式轉換器設計中，峰值電流模式控制（Peak Current Mode Control）因其優異的輸入電壓抑制能力、固有的逐周期限流保護和相對簡化的環路補償而備受青睞。然而，當占空比超過50%時，系統會出現固有的次諧波振蕩不穩定性問題。斜坡補償技術正是攻克這一難題的核心手段，其設計策略需隨功率等級...
2025-06-23
CCM反激 斜坡補償 反激轉換器 次諧波振蕩 斜坡補償設計
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高精度低噪聲 or 大功率強驅動？儀表放大器與功率放大器選型指南
在現代電子系統的精密舞臺上，兩類關鍵“演員”——儀表放大器（In-Amp）與功率放大器（Power Amp）——扮演著截然不同卻都不可或缺的角色。它們雖共享“放大”之名，但設計哲學、核心任務與應用疆域存在本質差異。理解這種差異，是工程師為系統挑選“最佳配角”的關鍵。
2025-06-20
儀表放大器 功率放大器 高精度放大器 功率驅動電路
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μV級精度保衛戰：信號鏈電源噪聲抑制架構全解，拒絕LSB丟失！
在精密測量、醫療儀器及工業傳感系統中，信號鏈的μV級精度直接決定系統性能上限。而電源噪聲，常以隱形殺手的姿態吞噬ADC/DAC的有效位數——當1mV電源紋波可導致12位ADC丟失4個LSB時，電源架構選型便成為精度保衛戰的核心戰場。本文從噪聲頻譜與拓撲本質出發，拆解LDO、開關電源及混合架構的噪聲基因...
2025-06-19
電源噪聲 ADC精度 PSRR優化 信號鏈噪聲抑制 LDO選型 開關電源濾波
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從單管到并聯：SiC MOSFET功率擴展實戰指南
在10kW-50kW中高功率應用領域，SiC MOSFET分立器件與功率模塊呈現并存趨勢。分立方案憑借更高設計自由度和靈活并聯擴容能力突圍——當單管功率不足時，只需并聯一顆MOSFET即可實現功率躍升，為工業電源、新能源系統提供模塊之外的革新選擇。
2025-06-19
SiC MOSFET并聯 高功率設計 分立器件優勢 功率擴展 熱管理設計 并聯可靠性
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雙核驅動新質生產力：西部電博會聚焦四川雙萬億電子集群
在數字經濟浪潮中，西部電博會已成為展現雙萬億產業集群實力的核心舞臺。作為四川首個突破萬億規模的支柱產業，電子信息產業2024年產值達1.8萬億元，構建起涵蓋集成電路、新型顯示、智能終端等領域的全鏈條生態。依托成都、綿陽兩大創新極，四川不僅坐擁英特爾、京東方、華為等全球巨頭，更在柔性顯...
2025-06-18
西部電博會 四川電子信息產業 成都AMOLED產線 京東方 8.6代AMOLED 雙萬億產業集群
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