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電子產(chǎn)品企業(yè)減排行動(dòng)遲鈍
近日，綠色和平組織公布了綠色電子產(chǎn)品排行榜。據(jù)其顯示，大部分消費(fèi)者電子產(chǎn)品企業(yè)對(duì)氣候變化影響反應(yīng)遲鈍。摩托羅拉、微軟、戴爾、蘋果、聯(lián)想、三星、任天堂和LG電子，這些國(guó)際知名品牌都明顯沒有跟上腳步，既沒有減少他們自身生產(chǎn)時(shí)的碳排放計(jì)劃，也沒有制定如何以行動(dòng)來避免災(zāi)難性氣候變化的目...
2008-11-27
綠色和平組織 綠色電子產(chǎn)品排行榜 消費(fèi)者電子 可再生能源
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晶川電子榮獲英飛凌2008年度KPI大獎(jiǎng)
2008年11月18～20日，英飛凌（Infineon:原西門子半導(dǎo)體集團(tuán)公開上市公司）在北京希爾頓逸林飯店舉行了亞太地區(qū)代理商大會(huì)。參會(huì)代表來自英飛凌德國(guó)總部，亞太地區(qū)總部（新加坡），以及亞太地區(qū)的代理商近兩百人。
2008-11-27
功率半導(dǎo)體器件 IGBT模塊 晶閘管 電力二極管
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晶川電子榮獲英飛凌2008年度KPI大獎(jiǎng)
2008年11月18～20日，英飛凌（Infineon:原西門子半導(dǎo)體集團(tuán)公開上市公司）在北京希爾頓逸林飯店舉行了亞太地區(qū)代理商大會(huì)。參會(huì)代表來自英飛凌德國(guó)總部，亞太地區(qū)總部（新加坡），以及亞太地區(qū)的代理商近兩百人。
2008-11-27
功率半導(dǎo)體器件 IGBT模塊 晶閘管 電力二極管
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晶川電子榮獲英飛凌2008年度KPI大獎(jiǎng)
2008年11月18～20日，英飛凌（Infineon:原西門子半導(dǎo)體集團(tuán)公開上市公司）在北京希爾頓逸林飯店舉行了亞太地區(qū)代理商大會(huì)。參會(huì)代表來自英飛凌德國(guó)總部，亞太地區(qū)總部（新加坡），以及亞太地區(qū)的代理商近兩百人。
2008-11-27
功率半導(dǎo)體器件 IGBT模塊 晶閘管 電力二極管
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美國(guó)科學(xué)家制成首個(gè)等離子晶體管
據(jù)國(guó)外媒體報(bào)道，自從20世紀(jì)40年代晶體管出現(xiàn)以來，它一直是電腦和其他現(xiàn)代電子裝置的核心元件。晶體管的作用是接通、關(guān)閉或者增強(qiáng)電流，晶體管有各種形狀、大小和材質(zhì)，這些主要根據(jù)它的用途而定。最近科學(xué)家制作出一種新晶體管——一個(gè)微型電子計(jì)大小的等離子晶體管。
2008-11-27
等離子晶體管 晶體管
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美國(guó)科學(xué)家制成首個(gè)等離子晶體管
據(jù)國(guó)外媒體報(bào)道，自從20世紀(jì)40年代晶體管出現(xiàn)以來，它一直是電腦和其他現(xiàn)代電子裝置的核心元件。晶體管的作用是接通、關(guān)閉或者增強(qiáng)電流，晶體管有各種形狀、大小和材質(zhì)，這些主要根據(jù)它的用途而定。最近科學(xué)家制作出一種新晶體管——一個(gè)微型電子計(jì)大小的等離子晶體管。
2008-11-27
等離子晶體管 晶體管
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美國(guó)科學(xué)家制成首個(gè)等離子晶體管
據(jù)國(guó)外媒體報(bào)道，自從20世紀(jì)40年代晶體管出現(xiàn)以來，它一直是電腦和其他現(xiàn)代電子裝置的核心元件。晶體管的作用是接通、關(guān)閉或者增強(qiáng)電流，晶體管有各種形狀、大小和材質(zhì)，這些主要根據(jù)它的用途而定。最近科學(xué)家制作出一種新晶體管——一個(gè)微型電子計(jì)大小的等離子晶體管。
2008-11-27
等離子晶體管 晶體管
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FDMA1027/2P853：飛兆半導(dǎo)體最薄MicroFET MOSFET
飛兆半導(dǎo)體公司 (Fairchild Semiconductor) 推出全新超薄的高效率MicroFET產(chǎn)品FDMA1027，滿足現(xiàn)今便攜應(yīng)用的尺寸和功率要求。相比低電壓設(shè)計(jì)中常用的3mm x 3mm x 1.1mm MOSFET，新產(chǎn)品的體積減小55%、高度降低50%。這種薄型封裝選項(xiàng)可滿足下一代便攜產(chǎn)品如手機(jī)的超薄外形尺寸需求。
2008-11-26
FDMA1027 FDFMA2P853 MicroFET MOSFET
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FDMA1027/2P853：飛兆半導(dǎo)體最薄MicroFET MOSFET
飛兆半導(dǎo)體公司 (Fairchild Semiconductor) 推出全新超薄的高效率MicroFET產(chǎn)品FDMA1027，滿足現(xiàn)今便攜應(yīng)用的尺寸和功率要求。相比低電壓設(shè)計(jì)中常用的3mm x 3mm x 1.1mm MOSFET，新產(chǎn)品的體積減小55%、高度降低50%。這種薄型封裝選項(xiàng)可滿足下一代便攜產(chǎn)品如手機(jī)的超薄外形尺寸需求。
2008-11-26
FDMA1027 FDFMA2P853 MicroFET MOSFET
- 安森美與舍弗勒強(qiáng)強(qiáng)聯(lián)手，EliteSiC技術(shù)驅(qū)動(dòng)新一代PHEV平臺(tái)
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