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獲工信部4500億元財政支持 3G將借力起飛
工業和信息化部部長李毅中13日在國務院新聞辦召開的新聞發布會上表示,對于3G的發展,預計兩年半到三年會投入4500億元,三家運營商各發展用戶最少5000萬戶,爭取達到8000萬
2009-08-18
3G TD 工信部
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全球平板看“金磚” “金磚”平板看中國
2009年1季度，全球平板電視出貨量2900多萬臺，同比增幅24%。同比雖然上升，但低于2008年31%的增幅。從美國、歐洲、日本等平板電視市場看，情況也非常不樂觀，都出現了增速放緩、增速停滯、甚至出現負增長的態勢。
2009-08-18
平板電視 金磚 中國
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全球平板看“金磚” “金磚”平板看中國
2009年1季度，全球平板電視出貨量2900多萬臺，同比增幅24%。同比雖然上升，但低于2008年31%的增幅。從美國、歐洲、日本等平板電視市場看，情況也非常不樂觀，都出現了增速放緩、增速停滯、甚至出現負增長的態勢。
2009-08-18
平板電視 金磚 中國
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全球平板看“金磚” “金磚”平板看中國
2009年1季度，全球平板電視出貨量2900多萬臺，同比增幅24%。同比雖然上升，但低于2008年31%的增幅。從美國、歐洲、日本等平板電視市場看，情況也非常不樂觀，都出現了增速放緩、增速停滯、甚至出現負增長的態勢。
2009-08-18
平板電視 金磚 中國
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SiB4xxDK：Vishay采用熱增強PowerPAK SC-75封裝的N溝道功率MOSFET
日前，Vishay 宣布，推出采用熱增強PowerPAK SC-75封裝、提供8V～30V VDS的功率MOSFET，擴大了N溝道TrenchFET家族的陣容。今天發布的器件包括業界首款采用1.6mm x 1.6mm占位的30V器件，以及具有業內最低導通電阻的20V MOSFET。
2009-08-18
MOSFET 負載 功放 便攜電子 Vishay
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SiB4xxDK：Vishay采用熱增強PowerPAK SC-75封裝的N溝道功率MOSFET
日前，Vishay 宣布，推出采用熱增強PowerPAK SC-75封裝、提供8V～30V VDS的功率MOSFET，擴大了N溝道TrenchFET家族的陣容。今天發布的器件包括業界首款采用1.6mm x 1.6mm占位的30V器件，以及具有業內最低導通電阻的20V MOSFET。
2009-08-18
MOSFET 負載 功放 便攜電子 Vishay
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SiB4xxDK：Vishay采用熱增強PowerPAK SC-75封裝的N溝道功率MOSFET
日前，Vishay 宣布，推出采用熱增強PowerPAK SC-75封裝、提供8V～30V VDS的功率MOSFET，擴大了N溝道TrenchFET家族的陣容。今天發布的器件包括業界首款采用1.6mm x 1.6mm占位的30V器件，以及具有業內最低導通電阻的20V MOSFET。
2009-08-18
MOSFET 負載 功放 便攜電子 Vishay
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全球太陽能設備制造業深陷產能過剩危機
近年，隨著新能源概念的逐漸普及，太陽能設備制造業成為增長最快的產業之一。歐洲光伏產業協會預計，在２００８年至２０１０年之間，僅硅晶制造業的投資就可能超過４１億歐元。下游產業的情況也類似，去年全球太陽能電池和太陽能板制造業的投入超過１６億歐元。
2009-08-18
太陽能 產能過剩 危機
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全球太陽能設備制造業深陷產能過剩危機
近年，隨著新能源概念的逐漸普及，太陽能設備制造業成為增長最快的產業之一。歐洲光伏產業協會預計，在２００８年至２０１０年之間，僅硅晶制造業的投資就可能超過４１億歐元。下游產業的情況也類似，去年全球太陽能電池和太陽能板制造業的投入超過１６億歐元。
2009-08-18
太陽能 產能過剩 危機
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