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更小巧、更輕便、更低溫——IR GaN功率器件帶動功率技術革命
GaN技術平臺開創行業先河，是IR研發部門基于IR專利的GaN-on-Si硅上氮化鎵異質外延技術，經過5年精心研究的成果。高生產量的150mm硅上氮化鎵外延以及相關的器件制造工藝，完全符合IR具備成本效益的硅制造設施，可為客戶提供世界級的商業可行的氮化鎵功率器件制造平臺。
2010-03-15
輕便 低溫 IR GaN 功率器件 革命
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TDK-EPC 開發并量產SMD型LAN用脈沖變壓器
特別在使用于模塊(module)的情況下，敝社以往的產品在裝載時，基板與脈沖變壓器是先通過手動方式進行配線處理。然后，為保持其安定性還需要使用樹脂來固定基板和零件。而該SMD型新產品，可利用回流(reflow)方式一次完成基板裝載,從而可以簡化生產工序。
2010-03-15
電感器 SMD LAN 脈沖變壓器
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中國制定太陽能光伏政策要考慮國情
對半導體產業來說，在過去的 5年中出現了新的趨勢，即半導體產業的發展主要是由消費者來推動的,消費者是真正的推動力。現在半導體市場的發展很大程度上依賴于手持設備，比如智能手機、運行Win7的筆記本電腦和其他新潮熱門的產品等。只有消費者和企業喜歡購買有吸引力的IT設備和有特色的產品，才能促...
2010-03-15
應用材料 太陽能 光伏 政策
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IR 推出一系列新型HEXFET 功率MOSFET
這些新的功率MOSFET采用IR最先進的硅技術，是該公司首批采用5x6mm PQFN封裝、優化銅片和焊接片芯的器件。IRFH6200TRPbF 20V器件可實現業界領先的RDS(on)，在4.5V Vgs下，最高僅為1.2m?，顯著降低了手工工具等直流電機驅動應用的傳導損耗。
2010-03-15
IR MOSFET HEXFET 硅技術 導通電阻
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元件價格走勢更新，商品IC供應保持緊張
這是指在可預見的將來，庫存將保持精簡。許多供應商對于目前的庫存水平感到非常滿意，盡管iSuppli公司追蹤的十分之九的供應鏈節點庫存天數(DOI)仍接近歷史低位。只有電子制造服務(EMS)提供商的庫存出現增長。
2010-03-12
元件 價格 走勢 IC供應 緊張
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iSuppli預計2010年全球半導體營收達2797億美元
據iSuppli公司預測，2010年全球半導體營業收入預計將達到2797億美元，雖然這比2009年的2300億美元大增21.5%，但與2008年的2589億美元相比僅增長8%，而與2007年的2734億美元相比，增長率只有區區的2.3%。
2010-03-12
iSuppli 半導體 營業收入 反彈
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Power Integrations新推出的TOPSwitch-JX系列電源轉換IC
由于采用全新的多周期調制模式，使得電源在空載條件下具有出色的輕載效率和低功耗，既可降低平均開關頻率，又可減小輸出紋波和音頻噪聲。因此，設計出的電源不僅可以輕松滿足包括ENERGY STAR?和歐盟委員會用能產品生態設計指令在內的要求嚴格的最新能效規范，同時還可維持穩定的輸出電壓。使用TOPSw...
2010-03-11
Power Integrations TOPSwitch-JX 電源轉換 IC
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飛兆半導體推出帶USB/充電器檢測功能的便攜應用過電壓保護器件
FAN3988具備內置自動檢測功能，器件通過連續監控短路條件下的D+ / D-線，能夠感測是否連接USB充電器。此外，器件還通過監控VBUS來感測過壓或者欠壓狀況。當達到過壓閾值時，FAN3988立即禁用外部P溝道MOSFET。這些功能減小了設計的復雜性，并省去外部電路，節省了線路板空間。這款新型OVP器件是滿足...
2010-03-11
飛兆 USB/充電器 便攜 過電壓 保護器件
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從基礎到應用全面解析無鉛焊接工藝技術
在電子制作過程中，焊接工作是必不可少的。它不但要求將元件固定在電路板上，而且要求焊點必須牢固、圓滑，所以焊接技術的好壞直接影響到電子制作的成功與否。而鉛（Pb），是一種有毒的金屬，對人體有害。本次半月談我們將關注無鉛焊接工藝技術的行業現狀，無鉛焊接工具產品的創新，無鉛焊接工藝的...
2010-03-11
基礎 無鉛焊接 焊接工藝 技術 測試工作坊
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