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MEMS和石英技術爭奪振蕩器市場
——訪SiTime公司副總裁Piyush Sevalia先生據業界預測，MEMS(微電子機械系統)振蕩器正以120%的年增長率（在某些地方是該增長率的四倍）逐漸取代石英晶體振蕩器。與石英晶體相比，MEMS振蕩器的封裝很小，而且價格相對更實惠，因此更適用于消費電子產品。 筆者在美國硅谷采訪了MEMS(微電子機械系統)振蕩器領先供應商SiTime公司副總裁Piyush ...
2008-12-23
MEMS振蕩器 石英晶振 精度 Sitime 供貨周期 頻率 抖動 擴頻
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FOD3120/50：飛兆最佳抗噪性能的柵極驅動光電耦合器
飛兆半導體公司(Fairchild Semiconductor)近日推出兩款柵極驅動光電耦合器FOD3120 和 FOD3150，為光伏逆變器、電機驅動和感應加熱應用帶來同級最佳共模抑制(common mode rejection, CMR)。
2008-12-23
FOD3120 FOD3150 濾波器 光電耦合器 共模抑制 CMR IGBT MOSFET
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HVS連接器系統：泰科電子全新風能設備應用產品
近期，泰科電子宣布推出全新HVS（高可變性系統）連接器系統。該連接器具備25種不同的連接器模塊，可以使風能制造商及安裝人員不必借助任何安裝工具即可在金屬框架內輕松快捷地安裝與拆卸，從而為客戶節省了大量的安裝與維護的時間與成本。
2008-12-23
HVS 連接器 高可變性系統 風能 設備應用
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AMP-TWIST 6S SL：泰科電子全新DIN軌道式模塊插座安裝套件
近日，全球領先的電子組件供應商泰科電子面向國內市場推出一款全新DIN導軌式RJ45水晶頭插座產品，旨在簡化工業機柜和工廠應用的結構化布線系統。
2008-12-22
AMP-TWIST 6S SL RJ45 插座 連接器
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松下電器試制出降低導通電阻的GaN二極管
松下電器試制出使用GaN半導體、耐壓為9.4kV，導通電阻降低至52mΩcm2的二極管。而此前產品的導通電阻為1000mΩcm2。設想用于工作電壓從數百伏消費類電器和數kV產業電氣設備等廣泛領域。
2008-12-22
半導體 二極管 消費電子 電氣設備 分立器件 導通電阻
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VLMW84：Vishay超薄SMD LED系列
日前，Vishay推出業界首個采用 CLCC-2 扁平陶瓷封裝且基于藍寶石 InGaN/TAG 技術的高強度白光功率 SMD LED 系列 --- VLMW84…。該系列器件可降低高容量應用的成本，它們具有 25K/W 的低熱阻以及 5600mcd～14000mcd 的高光功率。
2008-12-22
VLMW84 InGaN/TAG SMD LED CCFL 照明 光器件 CLCC-2 LED
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Philips Lumileds戶外照明LED，18年不用更換
美國Philips Lumileds Lighting開發出配備自主開發的LED“LUXEON Rebel LED”的戶外照明燈“SUNDOWNER LED”。與原來的戶外照明燈相比，耗電量減少80％，壽命延長7倍。18年不用更換
2008-12-19
LUXEON Rebel LED LED 戶外照明
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LF1B型：愛德克增加AC100V LED照明單元產品
日本愛德克（IDEC）將于2008年12月22日上市新款LED照明單元“LF1B型高亮度LED”，包括可直接連接100V交流（AC）電源的產品，以及可滿足白色以外應用需求的燈泡色、黃色和紅色產品。
2008-12-19
LF1B LED 照明單元 熒光燈
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IRFBxxxxPBF：IR全新基準高電流MOSFET
國際整流器公司 (International Rectifier，簡稱IR) 推出具有高封裝電流額定值的全新溝道型HEXFET功率MOSFET系列，適用于工業用電池、電源、高功率DC馬達及電動工具。
2008-12-19
HEXFET MOSFET 導通電阻 TO-220 D2PAK TO-262 電子元器件 分立器件 潘大偉
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