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同步降壓MOSFET 電阻比的正確選擇
在本文中，我們將研究在同步降壓功率級(jí)中如何對(duì)傳導(dǎo)功耗進(jìn)行折中處理，而其與占空比和 FET 電阻比有關(guān)。進(jìn)行這種折中處理可得到一個(gè)用于 FET 選擇的非常有用的起始點(diǎn)。
2011-10-07
MOSFET 電阻比 同步降壓MOSFET
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2011年1-8月電子信息產(chǎn)業(yè)固定資產(chǎn)投資情況
今年以來(lái)，在各地大力發(fā)展戰(zhàn)略性新興產(chǎn)業(yè)的帶動(dòng)下，電子信息產(chǎn)業(yè)固定資產(chǎn)投資保持高速增長(zhǎng)，新開(kāi)工項(xiàng)目明顯增多，基礎(chǔ)元器件領(lǐng)域投資領(lǐng)先增長(zhǎng)，行業(yè)結(jié)構(gòu)不斷調(diào)整。主要特點(diǎn)為：增速持續(xù)保持高位，投資規(guī)模超過(guò)去年11個(gè)月水平；光電器件、新能源電池等領(lǐng)域新開(kāi)工項(xiàng)目明顯增多，帶動(dòng)全行業(yè)新開(kāi)工項(xiàng)目...
2011-10-06
電子信息 電子信息產(chǎn)業(yè)
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NESG7030M04：瑞薩新款SiGe:C異質(zhì)接面晶體管提供高水平噪聲效能
瑞薩新款SiGe:C異質(zhì)接面晶體管NESG7030M04提供高水平噪聲效能高級(jí)半導(dǎo)體廠商瑞薩電子株式會(huì)社（以下簡(jiǎn)稱“瑞薩電子”）宣布推出新款SiGe:C異質(zhì)接面晶體管 (SiGe:C HBT)NESG7030M04，可作為低噪聲放大晶體管用于無(wú)線局域網(wǎng)絡(luò)系統(tǒng)、衛(wèi)星無(wú)線電及類似應(yīng)用。本裝置的制程采用全新開(kāi)發(fā)的硅鍺：碳(SiGe:C)材...
2011-10-06
低噪聲 晶體管 瑞薩電子 ISM頻段
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TDK開(kāi)發(fā)出可設(shè)置在IC芯片下方的超小型NTC熱敏電阻
近日消息，據(jù)外媒報(bào)道，根據(jù)PCB市調(diào)機(jī)構(gòu)Prisamark預(yù)估，PCB市場(chǎng)需求去年達(dá)1.47兆元，2015年需求可望再締造另一個(gè)兆元規(guī)模，達(dá)2.02兆，其中傳統(tǒng)板的需求比重將超過(guò)載板、HDI板，盡管市場(chǎng)規(guī)模動(dòng)輒以千億元單位計(jì)算，PCB廠多半選擇退出，無(wú)人擴(kuò)產(chǎn)反而成為新藍(lán)海。
2011-10-06
PCB 半導(dǎo)體 通訊 HDI板
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多晶硅新合約明年擬觸35美元
兩岸太陽(yáng)能市場(chǎng)近期傳出，國(guó)際太陽(yáng)能多晶硅大廠已開(kāi)始針對(duì)新產(chǎn)能，推出2012年的新多晶硅合約，部分新合約價(jià)原則上每公斤低于40美元，近期傳出2012年有機(jī)會(huì)達(dá)35美元，相較目前合約價(jià)平均50美元下降不少，但該價(jià)格似乎吸引力不足，下游太陽(yáng)能業(yè)者表示，料源價(jià)格下滑走勢(shì)甚為明顯，不明白還有誰(shuí)會(huì)再自...
2011-10-06
多晶硅 太陽(yáng)能電池 發(fā)電量 多晶硅生產(chǎn)商
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壓控振蕩器在射頻通信電路中的應(yīng)用
隨著通信技術(shù)的發(fā)展，通信設(shè)備所應(yīng)用的頻率日益提高，射頻(RF)和微波(MW)電路在通信系統(tǒng)中得到了廣泛應(yīng)用，高頻電路設(shè)計(jì)也得到工業(yè)界的特別關(guān)注，新型半導(dǎo)體器件制造技術(shù)的不斷發(fā)展更使得高速數(shù)字系統(tǒng)和高頻模擬系統(tǒng)的應(yīng)用領(lǐng)域不斷擴(kuò)展。
2011-10-06
壓控振蕩器 射頻 通信電路 高頻模擬系統(tǒng)
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RF電路中如何選擇LDO穩(wěn)壓器PSRR和噪聲
LDO是一種微功耗的低壓差線性穩(wěn)壓器，它具有極低的自有噪聲和較高的電源抑制比(PSRR)。SGM2007高性能低壓差線性穩(wěn)壓器在10Hz至 100kHz頻率范圍內(nèi)的輸出噪聲為30 μV(RMS)，在 1 kHz 的頻率下電源抑制比(PSRR)高達(dá)73dB，它能夠?yàn)橹T如射頻（RF）接收器和發(fā)送器、壓控振蕩器（VCO）和音頻放大器等對(duì)噪聲...
2011-10-06
LDO穩(wěn)壓器 PSRR 噪聲 RF電路
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2011年硅磁傳感器銷售額預(yù)計(jì)增長(zhǎng)24%
據(jù)IHS iSuppli公司的MEMS與傳感器專題報(bào)告，汽車產(chǎn)業(yè)恢復(fù)生機(jī)，全球智能手機(jī)和平板電腦對(duì)于數(shù)字羅盤的需求上升，正在推動(dòng)硅磁傳感器市場(chǎng)加速增長(zhǎng)，預(yù)計(jì)2011年銷售額將上升23.7%。
2011-10-05
硅磁傳感器 傳感器 MEMS
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GSM/DCS雙頻段RF射頻前端設(shè)計(jì)
本文提出一種新穎的射頻功率放大器電路結(jié)構(gòu)，使用一個(gè)射頻功率放大器實(shí)現(xiàn)GSM/DCS雙頻段功率放大功能，銳迪科的RDA6218就是采用這種結(jié)構(gòu)。射頻功率放大器管芯由原來(lái)的兩個(gè)減少為一個(gè)，同時(shí)此結(jié)構(gòu)射頻功率放大器及輸出匹配網(wǎng)絡(luò)與CMOS控制器、射頻開(kāi)關(guān)集成至一個(gè)芯片模塊，組成 GSM/DCS雙頻段射頻前端...
2011-10-05
GSM/DCS RF射頻 射頻功率放大器 輸出匹配網(wǎng)絡(luò)
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