【導讀】在完成MOS管芯片在制作之后，需要給MOS管芯片加上一個外殼，這就是MOS管封裝。該封裝外殼主要起著支撐、保護和冷卻的作用，同時還可為芯片提供電氣連接和隔離，從而將MOS管器件與其它元件構成完整的電路。
而不同的封裝、不同的設計，MOS管的規(guī)格尺寸、各類電性參數(shù)等都會不一樣，而它們在電路中所能起到的作用也會不一樣;另外，封裝還是電路設計中MOS管選擇的重要參考。封裝的重要性不言而喻。
MOS管封裝分類
按照安裝在PCB板上的方式來劃分，MOS管封裝主要有兩大類：插入式(Through Hole)和表面貼裝式(Surface Mount)。
插入式就是MOSFET的管腳穿過PCB板的安裝孔并焊接在PCB板上。常見的插入式封裝有：雙列直插式封裝(DIP)、晶體管外形封裝(TO)、插針網(wǎng)格陣列封裝(PGA)三種樣式。
插入式封裝
表面貼裝則是MOSFET的管腳及散熱法蘭焊接在PCB板表面的焊盤上。典型表面貼裝式封裝有：晶體管外形(D-PAK)、小外形晶體管(SOT)、小外形封裝(SOP)、方形扁平式封裝(QFP)、塑封有引線芯片載體(PLCC)等。
表面貼裝式封裝
隨著技術的發(fā)展，目前主板、顯卡等的PCB板采用直插式封裝方式的越來越少，更多地選用了表面貼裝式封裝方式。
1、雙列直插式封裝(DIP)
DIP封裝有兩排引腳，需要插入到具有DIP結構的芯片插座上，其派生方式為SDIP(Shrink DIP)，即緊縮雙入線封裝，較DIP的針腳密度高6倍。
DIP封裝結構形式有：多層陶瓷雙列直插式DIP、單層陶瓷雙列直插式DIP、引線框架式DIP(含玻璃陶瓷封接式、塑料包封結構式、陶瓷低熔玻璃封裝式)等。DIP封裝的特點是可以很方便地實現(xiàn)PCB板的穿孔焊接，和主板有很好的兼容性。
但由于其封裝面積和厚度都比較大，而且引腳在插拔過程中很容易被損壞，可靠性較差;同時由于受工藝的影響，引腳一般都不超過100個，因此在電子產(chǎn)業(yè)高度集成化過程中，DIP封裝逐漸退出了歷史舞臺。
2、晶體管外形封裝(TO)
屬于早期的封裝規(guī)格，例如TO-3P、TO-247、TO-92、TO-92L、TO-220、TO-220F、TO-251等都是插入式封裝設計。
TO-3P/247：是中高壓、大電流MOS管常用的封裝形式，產(chǎn)品具有耐壓高、抗擊穿能力強等特點。
TO-220/220F：TO-220F是全塑封裝，裝到散熱器上時不必加絕緣墊;TO-220帶金屬片與中間腳相連，裝散熱器時要加絕緣墊。這兩種封裝樣式的MOS管外觀差不多，可以互換使用。
TO-251：該封裝產(chǎn)品主要是為了降低成本和縮小產(chǎn)品體積，主要應用于中壓大電流60A以下、高壓7N以下環(huán)境中。
TO-92：該封裝只有低壓MOS管(電流10A以下、耐壓值60V以下)和高壓1N60/65在采用，目的是降低成本。
近年來，由于插入式封裝工藝焊接成本高、散熱性能也不如貼片式產(chǎn)品，使得表面貼裝市場需求量不斷增大，也使得TO封裝發(fā)展到表面貼裝式封裝。TO-252(又稱之為D-PAK)和TO-263(D2PAK)就是表面貼裝封裝。
TO封裝產(chǎn)品外觀
TO252/D-PAK是一種塑封貼片封裝，常用于功率晶體管、穩(wěn)壓芯片的封裝，是目前主流封裝之一。
采用該封裝方式的MOSFET有3個電極，柵極(G)、漏極(D)、源極(S)。
其中漏極(D)的引腳被剪斷不用，而是使用背面的散熱板作漏極(D)，直接焊接在PCB上，一方面用于輸出大電流，一方面通過PCB散熱;所以PCB的D-PAK焊盤有三處，漏極(D)焊盤較大。其封裝規(guī)范如下：
TO-252/D-PAK封裝尺寸規(guī)格
TO-263是TO-220的一個變種，主要是為了提高生產(chǎn)效率和散熱而設計，支持極高的電流和電壓，在150A以下、30V以上的中壓大電流MOS管中較為多見。
除了D2PAK(TO-263AB)之外，還包括TO263-2、TO263-3、TO263-5、TO263-7等樣式，與TO-263為從屬關系，主要是引出腳數(shù)量和距離不同。
TO-263/D2PAK封裝尺寸規(guī)格
3、插針網(wǎng)格陣列封裝(PGA)
PGA(Pin Grid Array Package)芯片內(nèi)外有多個方陣形的插針，每個方陣形插針沿芯片的四周間隔一定距離排列，根據(jù)管腳數(shù)目的多少，可以圍成2～5圈。安裝時，將芯片插入專門的PGA插座即可，具有插拔方便且可靠性高的優(yōu)勢，能適應更高的頻率。
PGA封裝樣式
其芯片基板多數(shù)為陶瓷材質(zhì)，也有部分采用特制的塑料樹脂來做基板，在工藝上，引腳中心距通常為2.54mm，引腳數(shù)從64到447不等。
這種封裝的特點是，封裝面積(體積)越小，能夠承受的功耗(性能)就越低，反之則越高。這種封裝形式芯片在早期比較多見，且多用于CPU等大功耗產(chǎn)品的封裝，如英特爾的80486、Pentium均采用此封裝樣式;不大為MOS管廠家所采納。
4、小外形晶體管封裝(SOT)
SOT(Small Out-Line Transistor)是貼片型小功率晶體管封裝，主要有SOT23、SOT89、SOT143、SOT25(即SOT23-5)等，又衍生出SOT323、SOT363/SOT26(即SOT23-6)等類型，體積比TO封裝小。
SOT封裝類型
SOT23是常用的三極管封裝形式，有3條翼形引腳，分別為集電極、發(fā)射極和基極，分別列于元件長邊兩側，其中，發(fā)射極和基極在同一側，常見于小功率晶體管、場效應管和帶電阻網(wǎng)絡的復合晶體管，強度好，但可焊性差，外形如下圖(a)所示。
SOT89具有3條短引腳，分布在晶體管的一側，另外一側為金屬散熱片，與基極相連，以增加散熱能力，常見于硅功率表面組裝晶體管，適用于較高功率的場合，外形如下圖(b)所示。
SOT143具有4條翼形短引腳，從兩側引出，引腳中寬度偏大的一端為集電極，這類封裝常見于高頻晶體管，外形如下圖(c)所示。
SOT252屬于大功率晶體管，3條引腳從一側引出，中間一條引腳較短，為集電極，與另一端較大的引腳相連，該引腳為散熱作用的銅片，外形如下圖(d)所示。
常見SOT封裝外形比較
主板上常用四端引腳的SOT-89 MOSFET。其規(guī)格尺寸如下：
SOT-89 MOSFET尺寸規(guī)格(單位：mm)
5、小外形封裝(SOP)
SOP(Small Out-Line Package)是表面貼裝型封裝之一，也稱之為SOL或DFP，引腳從封裝兩側引出呈海鷗翼狀(L字形)。材料有塑料和陶瓷兩種。
SOP封裝標準有SOP-8、SOP-16、SOP-20、SOP-28等，SOP后面的數(shù)字表示引腳數(shù)。MOSFET的SOP封裝多數(shù)采用SOP-8規(guī)格，業(yè)界往往把“P”省略，簡寫為SO(Small Out-Line)。
SOP-8封裝尺寸
SO-8為PHILIP公司率先開發(fā)，采用塑料封裝，沒有散熱底板，散熱不良，一般用于小功率MOSFET。
后逐漸派生出TSOP(薄小外形封裝)、VSOP(甚小外形封裝)、SSOP(縮小型SOP)、TSSOP(薄的縮小型SOP)等標準規(guī)格;其中TSOP和TSSOP常用于MOSFET封裝。
常用于MOS管的SOP派生規(guī)格
6、方形扁平式封裝(QFP)
QFP(Plastic Quad Flat Package)封裝的芯片引腳之間距離很小，管腳很細，一般在大規(guī)模或超大型集成電路中采用，其引腳數(shù)一般在100個以上。
用這種形式封裝的芯片必須采用SMT表面安裝技術將芯片與主板焊接起來。該封裝方式具有四大特點：
①適用于SMD表面安裝技術在PCB電路板上安裝布線;
②適合高頻使用;
③操作方便,可靠性高;
④芯片面積與封裝面積之間的比值較小。
與PGA封裝方式一樣，該封裝方式將芯片包裹在塑封體內(nèi)，無法將芯片工作時產(chǎn)生的熱量及時導出，制約了MOSFET性能的提升;而且塑封本身增加了器件尺寸，不符合半導體向輕、薄、短、小方向發(fā)展的要求;另外，此類封裝方式是基于單顆芯片進行，存在生產(chǎn)效率低、封裝成本高的問題。
因此，QFP更適于微處理器/門陳列等數(shù)字邏輯LSI電路采用，也適于VTR信號處理、音響信號處理等模擬LSI電路產(chǎn)品封裝。
7、四邊無引線扁平封裝(QFN)
QFN(Quad Flat Non-leaded package)封裝四邊配置有電極接點，由于無引線，貼裝表現(xiàn)出面積比QFP小、高度比QFP低的特點;其中陶瓷QFN也稱為LCC(Leadless Chip Carriers)，采用玻璃環(huán)氧樹脂印刷基板基材的低成本塑料QFN則稱為塑料LCC、PCLC、P-LCC等。
是一種焊盤尺寸小、體積小、以塑料作為密封材料的新興表面貼裝芯片封裝技術。
QFN主要用于集成電路封裝，MOSFET不會采用。不過因Intel提出整合驅(qū)動與MOSFET方案，而推出了采用QFN-56封裝(“56”指芯片背面有56個連接Pin)的DrMOS。
需要說明的是，QFN封裝與超薄小外形封裝(TSSOP)具有相同的外引線配置，而其尺寸卻比TSSOP的小62%。根據(jù)QFN建模數(shù)據(jù)，其熱性能比TSSOP封裝提高了55%，電性能(電感和電容)比TSSOP封裝分別提高了60%和30%。最大的缺點則是返修難度高。
采用QFN-56封裝的DrMOS
傳統(tǒng)的分立式DC/DC降壓開關電源無法滿足對更高功耗密度的要求，也不能解決高開關頻率下的寄生參數(shù)影響問題。
隨著技術的革新與進步，把驅(qū)動器和MOSFET整合在一起，構建多芯片模塊已經(jīng)成為了現(xiàn)實，這種整合方式同時可以節(jié)省相當可觀的空間從而提升功耗密度，通過對驅(qū)動器和MOS管的優(yōu)化提高電能效率和優(yōu)質(zhì)DC電流，這就是整合驅(qū)動IC的DrMOS。
瑞薩第2代DrMOS
經(jīng)過QFN-56無腳封裝，讓DrMOS熱阻抗很低;借助內(nèi)部引線鍵合以及銅夾帶設計，可最大程度減少外部PCB布線，從而降低電感和電阻。
另外，采用的深溝道硅(trench silicon)MOSFET工藝，還能顯著降低傳導、開關和柵極電荷損耗;并能兼容多種控制器，可實現(xiàn)不同的工作模式，支持主動相變換模式APS(Auto Phase Switching)。
除了QFN封裝外，雙邊扁平無引腳封裝(DFN)也是一種新的電子封裝工藝，在安森美的各種元器件中得到了廣泛采用，與QFN相比，DFN少了兩邊的引出電極。
8、塑封有引線芯片載體(PLCC)
PLCC(Plastic Quad Flat Package)外形呈正方形，尺寸比DIP封裝小得多，有32個引腳，四周都有管腳，引腳從封裝的四個側面引出，呈丁字形，是塑料制品。
其引腳中心距1.27mm，引腳數(shù)從18到84不等，J形引腳不易變形，比QFP容易操作，但焊接后的外觀檢查較為困難。PLCC封裝適合用SMT表面安裝技術在PCB上安裝布線，具有外形尺寸小、可靠性高的優(yōu)點。
PLCC封裝是比較常見，用于邏輯LSI、DLD(或程邏輯器件)等電路，主板BIOS常采用的這種封裝形式，不過目前在MOS管中較少見。
PLCC封裝樣式
主流企業(yè)的封裝與改進
由于CPU的低電壓、大電流的發(fā)展趨勢，對MOSFET提出輸出電流大，導通電阻低，發(fā)熱量低散熱快，體積小的要求。MOSFET廠商除了改進芯片生產(chǎn)技術和工藝外，也不斷改進封裝技術，在與標準外形規(guī)格兼容的基礎上，提出新的封裝外形，并為自己研發(fā)的新封裝注冊商標名稱。
1、瑞薩(RENESAS)WPAK、LFPAK和LFPAK-I封裝
WPAK是瑞薩開發(fā)的一種高熱輻射封裝，通過仿D-PAK封裝那樣把芯片散熱板焊接在主板上，通過主板散熱，使小形封裝的WPAK也可以達到D-PAK的輸出電流。WPAK-D2封裝了高/低2顆MOSFET，減小布線電感。
瑞薩WPAK封裝尺寸
LFPAK和LFPAK-I是瑞薩開發(fā)的另外2種與SO-8兼容的小形封裝。LFPAK類似D-PAK，但比D-PAK體積小。LFPAK-i是將散熱板向上，通過散熱片散熱。
瑞薩LFPAK和LFPAK-I封裝
2、威世(Vishay)Power-PAK和Polar-PAK封裝
Power-PAK是威世公司注冊的MOSFET封裝名稱。Power-PAK包括有Power-PAK1212-8、Power-PAK SO-8兩種規(guī)格。
威世Power-PAK1212-8封裝
威世Power-PAK SO-8封裝
Polar PAK是雙面散熱的小形封裝，也是威世核心封裝技術之一。Polar PAK與普通的so-8封裝相同，其在封裝的上、下兩面均設計了散熱點，封裝內(nèi)部不易蓄熱，能夠?qū)⒐ぷ麟娏鞯碾娏髅芏忍岣咧罶O-8的2倍。目前威世已向意法半導體公司提供Polar PAK技術授權。
威世Polar PAK封裝
3、安森美(Onsemi)SO-8和WDFN8扁平引腳(Flat Lead)封裝
安美森半導體開發(fā)了2種扁平引腳的MOSFET，其中SO-8兼容的扁平引腳被很多板卡采用。安森美新近推出的NVMx和NVTx功率MOSFET就采用了緊湊型DFN5(SO-8FL)和WDFN8封裝，可最大限度地降低導通損耗，另外還具有低QG和電容，可將驅(qū)動器損耗降到最低的特性。
安森美SO-8扁平引腳封裝
安森美WDFN8封裝
4、恩智浦(NXP)LFPAK和QLPAK封裝
恩智浦(原Philps)對SO-8封裝技術改進為LFPAK和QLPAK。其中LFPAK被認為是世界上高度可靠的功率SO-8封裝;而QLPAK具有體積小、散熱效率更高的特點，與普通SO-8相比，QLPAK占用PCB板的面積為6*5mm，同時熱阻為1.5k/W。
恩智浦LFPAK封裝
恩智浦QLPAK封裝
5、意法(ST)半導體PowerSO-8封裝
意法半導體功率MOSFET芯片封裝技術有SO-8、PowerSO-8、PowerFLAT、DirectFET、PolarPAK等，其中PowerSO-8正是SO-8的改進版，此外還有PowerSO-10、PowerSO-20、TO-220FP、H²PAK-2等封裝。
意法半導體Power SO-8封裝
6、飛兆(Fairchild)半導體Power 56封裝
Power 56是Farichild的專用稱呼，正式名稱為DFN 5×6。其封裝面積跟常用的TSOP-8不相上下，而薄型封裝又節(jié)約元件凈空高度，底部Thermal-Pad設計降低了熱阻，因此很多功率器件廠商都部署了DFN 5×6。
Fairchild Power 56封裝
7、國際整流器(IR)Direct FET封裝
Direct FET能在SO-8或更小占位面積上，提供高效的上部散熱，適用于計算機、筆記本電腦、電信和消費電子設備的AC-DC及DC-DC功率轉換應用。與標準塑料分立封裝相比，DirectFET的金屬罐構造具有雙面散熱功能，因而可有效將高頻DC-DC降壓式轉換器的電流處理能力增加一倍。
Direct FET封裝屬于反裝型，漏極(D)的散熱板朝上，并覆蓋金屬外殼，通過金屬外殼散熱。Direct FET封裝極大地改善了散熱，并且占用空間更小，散熱良好。
國際整流器Direct FET封裝
IR Direct FET封裝系列部分產(chǎn)品規(guī)格
內(nèi)部封裝改進方向
除了外部封裝，基于電子制造對MOS管的需求的變化，內(nèi)部封裝技術也在不斷得到改進，這主要從三個方面進行：改進封裝內(nèi)部的互連技術、增加漏極散熱板、改變散熱的熱傳導方向。
1、封裝內(nèi)部的互連技術
TO、D-PAK、SOT、SOP等采用焊線式的內(nèi)部互連封裝技術，當CPU或GPU供電發(fā)展到低電壓、大電流時代，焊線式的SO-8封裝就受到了封裝電阻、封裝電感、PN結到PCB和外殼熱阻等因素的限制。
SO-8內(nèi)部封裝結構
這四種限制對其電學和熱學性能有著極大的影響。隨著電流密度的提高，MOSFET廠商在采用SO-8尺寸規(guī)格時，同步對焊線互連形式進行了改進，用金屬帶、或金屬夾板代替焊線，以降低封裝電阻、電感和熱阻。
標準型SO-8與無導線SO-8封裝對比
國際整流器(IR)的改進技術稱之為Copper Strap;威世(Vishay)稱之為Power Connect技術;飛兆半導體則叫做Wireless Package。新技術采用銅帶取代焊線后，熱阻降低了10-20%，源極至封裝的電阻降低了61%。
國際整流器的Copper Strap技術
威世的Power Connect技術
飛兆半導體的Wirless Package技術
2、增加漏極散熱板
標準的SO-8封裝采用塑料將芯片包圍，低熱阻的熱傳導通路只是芯片到PCB的引腳。而底部緊貼PCB的塑料外殼是熱的不良導體，故而影響了漏極的散熱。
技術改進就是要除去引線框下方的塑封化合物，方法是讓引線框金屬結構直接或加一層金屬板與PCB接觸，并焊接到PCB焊盤上，這樣就提供了更多的散熱接觸面積，把熱量從芯片上帶走;同時也可以制成更薄的器件。
威世Power-PAK技術
威世的Power-PAK、法意半導體的Power SO-8、安美森半導體的SO-8 Flat Lead、瑞薩的WPAK/LFPAK、飛兆半導體的Power 56和Bottomless Package都采用了此散熱技術。
3、改變散熱的熱傳導方向
Power-PAK的封裝雖然顯著減小了芯片到PCB的熱阻，但當電流需求繼續(xù)增大時，PCB同時會出現(xiàn)熱飽和現(xiàn)象。所以散熱技術的進一步改進就是改變散熱方向，讓芯片的熱量傳導到散熱器而不是PCB。
瑞薩LFPAK-i封裝
瑞薩的LFPAK-I封裝、國際整流器的Direct FET封裝均是這種散熱技術的典型代表。
總結
未來，隨著電子制造業(yè)繼續(xù)朝著超薄、小型化、低電壓、大電流方向的發(fā)展，MOS管的外形及內(nèi)部封裝結構也會隨之改變，以更好適應制造業(yè)的發(fā)展需求。另外，為降低電子制造商的選用門檻，MOS管向模塊化、系統(tǒng)級封裝方向發(fā)展的趨勢也將越來越明顯，產(chǎn)品將從性能、成本等多維度協(xié)調(diào)發(fā)展。
而封裝作為MOS管選型的重要參考因素之一，不同的電子產(chǎn)品有不同的電性要求，不同的安裝環(huán)境也需要匹配的尺寸規(guī)格來滿足。實際選用中，應在大原則下，根據(jù)實際需求情況來做抉擇。
有些電子系統(tǒng)受制于PCB的尺寸和內(nèi)部的高度，如通信系統(tǒng)的模塊電源由于高度的限制通常采用DFN5*6、DFN3*3的封裝;在有些ACDC的電源中，使用超薄設計或由于外殼的限制，適于裝配TO220封裝的功率MOS管，此時引腳可直接插到根部，而不適于使用TO247封裝的產(chǎn)品;也有些超薄設計需要將器件管腳折彎平放，這會加大MOS管選用的復雜度。
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