【導(dǎo)讀】我們?cè)谔暨x手機(jī)時(shí)也會(huì)不自覺(jué)的主要關(guān)注自己感興趣的點(diǎn)。像屏幕、處理器、電池容量、攝像頭都是大家所關(guān)注的，手機(jī)內(nèi)存也是一個(gè)參考，那是不是數(shù)值越大越好？肯定不是，其實(shí)手機(jī)內(nèi)存中還有很多門道，下面就聽小編給大家慢慢道來(lái)。
經(jīng)常關(guān)注手機(jī)圈的朋友都會(huì)對(duì)智能手機(jī)有著自己的傾向，這也是根據(jù)不同需求而定的，人們?cè)谔暨x手機(jī)時(shí)也會(huì)不自覺(jué)的主要關(guān)注自己感興趣的點(diǎn)。像屏幕、處理器、電池容量、攝像頭都是大家所關(guān)注的，作為硬件配置中“百搭”般的存在，內(nèi)存也是非常重要的。手機(jī)中的內(nèi)存相當(dāng)于PC上的內(nèi)存+硬盤，運(yùn)行內(nèi)存就是PC上的內(nèi)存，內(nèi)置存儲(chǔ)就是硬盤了，其功能特性也是和PC大同小異。
簡(jiǎn)單來(lái)說(shuō)，不論是運(yùn)行內(nèi)存還是內(nèi)置存儲(chǔ)，不出意外都是數(shù)值越大越好。當(dāng)然了，如果僅僅是這樣，那這篇文章也沒(méi)有寫的意義，直接比數(shù)字就好了。其實(shí)手機(jī)內(nèi)存中還有很多門道，下面就聽筆者給大家慢慢道來(lái)。
手機(jī)內(nèi)存之運(yùn)行內(nèi)存（一）
隨著對(duì)智能手機(jī)的研究也來(lái)越深入，我們可以發(fā)現(xiàn)它的內(nèi)部構(gòu)成和PC是出奇的一致。處理器是整個(gè)設(shè)備的核心，它能夠起到統(tǒng)籌全局的作用。內(nèi)存（手機(jī)的運(yùn)行內(nèi)存）則是與CPU進(jìn)行溝通的橋梁，手機(jī)中所有程序的運(yùn)行都是在內(nèi)存中進(jìn)行的，因此內(nèi)存的性能對(duì)手機(jī)的影響非常大。
手機(jī)內(nèi)存的各項(xiàng)參數(shù)也和PC基本保持一致，除了大家熟知內(nèi)存容量之外，內(nèi)存還受到很多參數(shù)影響，比如說(shuō)帶寬、時(shí)序、內(nèi)存技術(shù)等等。目前在手機(jī)端主流內(nèi)存技術(shù)是LPDDR3。
LPDDR3重點(diǎn)加入了新技術(shù)：
Write-Leveling and CA Training（寫入均衡與指令地址調(diào)馴）：可讓內(nèi)存控制器補(bǔ)償信號(hào)偏差，確保內(nèi)存運(yùn)行于業(yè)內(nèi)最快輸入總線速度的同時(shí)，維持?jǐn)?shù)據(jù)輸入設(shè)定、指令與地址輸入時(shí)序均滿足需求。
On Die Termination（片內(nèi)終結(jié)器/ODT）：可選技術(shù)，為L(zhǎng)PDDR3數(shù)據(jù)平面增加一個(gè)輕量級(jí)終結(jié)器，改進(jìn)高速信號(hào)傳輸，并盡可能降低對(duì)功耗、系統(tǒng)操作和針腳計(jì)數(shù)的影響。
LPDDR3技術(shù)
相比LPDDR2而言，第三代低功耗內(nèi)存技術(shù)在保障低功耗的同時(shí)又提高的整體性能，可以說(shuō)是全面秒殺前代產(chǎn)品，而隨著未來(lái)LPDDR4的發(fā)布，LPDDR3也面臨著被秒殺的命運(yùn)。
內(nèi)存帶寬的優(yōu)點(diǎn)
其實(shí)即便是采用相同的LPDDR3技術(shù)，內(nèi)存的性能也會(huì)有所不同，因?yàn)檫€有帶寬等因素控制。如果內(nèi)存的容量決定“倉(cāng)庫(kù)”的大小，那么內(nèi)存的帶寬決定“橋梁”的寬窄。很顯然，在容量沒(méi)有達(dá)到飽和的情況下，帶寬是影響傳輸效率的最主要因素，影響程度已經(jīng)超越了內(nèi)存容量。
手機(jī)內(nèi)存之運(yùn)行內(nèi)存（二）
我們都知道，電子設(shè)備都要牽扯到一個(gè)叫做延遲的概念，在內(nèi)存身上就是時(shí)序，也可以稱之為CL延遲，CL是CASLatency的縮寫，指的是內(nèi)存存取數(shù)據(jù)所需的延遲時(shí)間，簡(jiǎn)單的說(shuō)，就是內(nèi)存接到CPU的指令后的反應(yīng)速度。一般的參數(shù)值是2和3兩種。數(shù)字越小，代表反應(yīng)所需的時(shí)間越短。
通常情況下，我們用4個(gè)連著的阿拉伯?dāng)?shù)字來(lái)表示一個(gè)內(nèi)存延遲，例如2-2-2-5。其中，第一個(gè)數(shù)字最為重要，它表示的是CASLatency，也就是內(nèi)存存取數(shù)據(jù)所需的延遲時(shí)間。第二個(gè)數(shù)字表示的是RAS-CAS延遲，接下來(lái)的兩個(gè)數(shù)字分別表示的是RAS預(yù)充電時(shí)間和Act-to-Precharge延遲。而第四個(gè)數(shù)字一般而言是它們中間最大的一個(gè)。
綜合這三點(diǎn)來(lái)看手機(jī)內(nèi)存，你就會(huì)有更深一層的認(rèn)識(shí)，盲目的追求所謂的大內(nèi)存很多時(shí)候是沒(méi)用的，當(dāng)內(nèi)存資源充足的時(shí)候，內(nèi)存技術(shù)、帶寬、CL延遲才是影響手機(jī)流暢與否的決定性因素。
1GB運(yùn)存很吃緊
不過(guò)話說(shuō)回來(lái)，對(duì)于內(nèi)存占用率較高的Android手機(jī)而言，1GB容量只能算是及格，隨便用用就會(huì)占用85%以上的空間，如果內(nèi)存容量被占滿的話，手機(jī)流暢度會(huì)大打折扣。所以就目前來(lái)看，2GB容量運(yùn)存是一個(gè)比較合理的數(shù)值，不至于被占滿也不至于太浪費(fèi)。
手機(jī)內(nèi)存之內(nèi)置存儲(chǔ)
除了運(yùn)行內(nèi)存之外，手機(jī)內(nèi)存還有另一部分，那就是內(nèi)置存儲(chǔ)，它的作用就相當(dāng)于PC上的硬盤。相比內(nèi)存這個(gè)斷電就清空數(shù)據(jù)隨機(jī)存儲(chǔ)器而言，它的優(yōu)勢(shì)就在于即使機(jī)器停電，這些數(shù)據(jù)也不會(huì)丟失，理論上可以實(shí)現(xiàn)永久保存，但速度是遠(yuǎn)遠(yuǎn)比不上運(yùn)行內(nèi)存的，所以用于平常存儲(chǔ)數(shù)據(jù)使用。
從形態(tài)來(lái)看，手機(jī)上的“硬盤”相當(dāng)于是固態(tài)硬盤，因?yàn)樗闹黧w就是一塊存儲(chǔ)芯片，并不存在像機(jī)械硬盤那也的結(jié)構(gòu)。事實(shí)上，手機(jī)也不允許有這樣的設(shè)計(jì)，畢竟體積在那擺著呢。
最后有一點(diǎn)還是要科普一下的，那就是內(nèi)存數(shù)值的問(wèn)題。很多人都在問(wèn)，為什么明明是2GB運(yùn)存，確實(shí)際可用1GB出頭？明明是16GB存儲(chǔ)空間，實(shí)際可用也就12GB左右。導(dǎo)致這個(gè)問(wèn)題的其中一個(gè)原因是換算標(biāo)準(zhǔn)上的不同，電子設(shè)備計(jì)算容量都是按1024計(jì)算的的，比如1GB=1024MB,1MB=1024KB。而我們?nèi)藶橛?jì)算就以1000計(jì)算，廠商宣傳也是按這個(gè)數(shù)值，所有積少成多就有所差距了。
另一個(gè)原因就是初始占用的問(wèn)題了，對(duì)于智能手機(jī)上內(nèi)置存儲(chǔ)而言，像操作系統(tǒng)，一些內(nèi)置軟件等信息都是存儲(chǔ)其中的，這些數(shù)據(jù)都是死的不可變動(dòng)的，所以它們會(huì)占用掉一些空間，從而讓我們總是用空間降低。
而對(duì)于運(yùn)行內(nèi)存方面，Android系統(tǒng)中有一個(gè)概念叫做服務(wù)，很多系統(tǒng)級(jí)功能都是需要建立在服務(wù)開啟的基礎(chǔ)上才能夠?qū)崿F(xiàn)的，而服務(wù)占用的資源就是運(yùn)行內(nèi)存了，而且很多服務(wù)都是開機(jī)自啟動(dòng)的，所以運(yùn)行內(nèi)存不自然的就少了很多了。
總結(jié)：
了解完手機(jī)內(nèi)存的知識(shí)之后，相信很多人都了解了如何合理的利用內(nèi)存，如何合理的選擇適合自己的手機(jī)。如果你是一個(gè)智能機(jī)輕度用戶，基本上1GB運(yùn)存已經(jīng)足夠了，畢竟現(xiàn)在已經(jīng)普及了LPDDR3內(nèi)存技術(shù)。如果你是一個(gè)中度或重度的發(fā)燒友的話，基本上2GB運(yùn)存也已經(jīng)足夠，手機(jī)流暢與否還是要看CL延遲和帶寬，這兩個(gè)參數(shù)OK了才行。而對(duì)于內(nèi)置存儲(chǔ)的需求就因人而異了，原則上是越大越好。
