導讀：CoolMOS CP在好幾年前就達到了業界的極致性能，轉換效率高達96%以上，而市場上同類產品的轉換效率直到去年也才達到86%。然而，超高性能的極致產品不一定是市場需要的主流產品，極致性能背后的代價是電路板布局布線EMC的嚴苛要求和整機研發時間的延長。英飛凌全球應用市場總監Thomas Schmidt說：“產品性能達到極致遠遠不夠，結合了高性能、易用性和低成本三方面優勢的高性價比產品（如CoolMOS P6）才是市場主流。”
在不久前英飛凌電源管理新品媒體見面會上，英飛凌科技奧地利有限公司全球應用市場部市場總監Thomas Schmidt展示了英飛凌CoolMOS的最新產品線路圖：在CoolMOS CP和CoolMOS C6/E6之后，英飛凌推出了介于兩者之間的最新產品——600V CoolMOS P6。
圖1：兼顧提供極致性能的技術和強調易于使用技術的CoolMOS™ P6
“這是市場選擇的結果。” Thomas Schmidt表示：“一開始，我們推出了在高效率應用上保持標桿地位的極致性能產品CoolMOS CP。后來，發現工程師需要更容易控制開關速度，更高抗電路板寄生電感和電容能力更容易設計的產品，于是我們推出了CoolMOS C6或E6。現在，我們發現工程師需要在CoolMOS的性能、易用性和成本上達到一個平衡，他們需要CoolMOS達到一定的性能，同時又需要CoolMOS在EMC的設計上變得更見簡單。”于是，提升系統效率同時兼顧易于使用的最新600V CoolMOS P6產品系列誕生了——該產品系列結合了專注于提供極致性能的技術（CoolMOS CP）和強調易于使用的技術（如CoolMOS C6或E6）。
圖2：英飛凌科技奧地利有限公司全球應用市場部市場總監Thomas Schmidt
CoolMOS P6能在服務器、通信設備的整流器、臺式機電源和電子游戲機等應用的硬開關和軟開關PFC（功率因數校正）和PWM（脈寬調制）拓撲中實現出色性能：
- 得益于其更低的柵極電荷Qg，CoolMOS P6提高了效率（特別是在輕負載條件下）。
- 具備較高的閾值電壓Vgsth（從C6或E6的3V提高到了4V），實現提前關斷，提高軟開關應用的效率。
- 由于其性能可靠的體二極管，P6不僅可用于硬開關PFC，也可用于軟開關PWM（如LLC）。
- 經優化的集成柵極電阻（Rg）阻值最好地兼顧效率和易于使用性以及對開關行為的有效控制。
- 電壓斜率（dv/dt）從50V/ns提高至100V/ns，確保更可靠的性能和更高開關效率。
下頁內容：提升所有負載條件下效率的SiC Diode G5[page]
英飛凌科技香港有限公司市場總監Billy Ng表示：“使用CoolMOS P6解決方案，既可以實現極高的轉換效率，又能縮短系統開發時間。而在價格不是第一位的服務器、通信設備應用中，如果將CoolMOS P6和第五代650V thinQ!TM SiC 肖特基勢壘二極管結合使用，其性價比在當前市場上的所有超級結技術的產品中都處于領先地位。”
第五代650V thinQ!TM SiC 肖特基勢壘二極管，是英飛凌的最新SiC（碳化硅）產品。新一代產品相對于英飛凌以往各代thinQ!TM 產品， PFC升壓級在所有負載條件下的效率都得到了進一步的提升。“效率的提升源于英飛凌擴散焊接工藝的改善：英飛凌將榮獲專利的擴散焊接工藝成功地與更緊湊的全新設計和最新的薄晶圓技術有機結合在一起，改進了熱特性，并使一個優值系數（Qc x Vf）與英飛凌前代SiC二極管相比降低了大約30%。” Billy Ng介紹。
圖3 SiC Diode G5和第三代/第二代產品在不同頻率和輸出功率下的效率比較
第三代產品的低容性電荷（Qc）值與第二代產品的正向電壓（Vf）水平相結合，使第五代產品的PFC電路達到最高效率水平。SiC Diode G5具備更高的擊穿電壓：650V（第二代和第三代為600V）。對于太陽能逆變器等應用以及具有挑戰性的SMPS環境而言，這種特性可實現更高的安全裕度。此外，第五代產品還具備高浪涌電流耐受性和更豐富的型號——包括具備更高額定電流和采用全新封裝（如TO-247 和ThinPAK）的產品。
第五代650V thinQ!TM SiC 肖特基勢壘二極管的目標應用是高端服務器和電信SMPS（開關模式電源）、PC銀盒和照明應用、太陽能逆變器和UPS（不間斷電源）系統等。通過利用新一代器件，這些應用不但可以提高能效，而且還可以降低EMI（電磁干擾），提高系統可靠性，以及縮減成本/尺寸——因制冷要求降低。
CoolMOS P6從2012年第四季度開始提供600V CoolMOS P6產品樣品。預計將于2013年第一季度投入第一批OEM量產。而第五代650V thinQ!TM SiC 肖特基勢壘二極管樣品現已開始供貨。[member]
