2011中國(西安)電子展即將開展 眾廠商將亮相

　　碳化硅肖特基二極管thinQ！TM，是采用新TO-247HC(長爬電距離)封裝的1200V碳化硅器件。這種新的封裝方式完全兼容行業標準TO-247，因而可輕松用于現有設計，而無需付出額外努力。更長的爬電距離可提高系統安全性，有效防止由于系統內部灰塵或污垢導致的短路，特別是針對電弧，這樣無需使用額外的化學(硅膠或硅霜)或機械(護套或箔)手段來避免封裝引線之間存的在任何污染，從而充分發揮快速的精益生產工藝的所有優勢。產品應用于太陽能系統、UPS、SMPS和電機逆變器等領域。

　　英飛凌素以提供適用于汽車(AEC Q101)的優質小信號MOSFET聞名于世?，F在，其新推出的60V邏輯電平OptiMOS“606”家族，進一步豐富了這個產品組合。這種60毫歐姆邏輯電平器件，具備出色的單位面積RDSon，并且具有很低的Qg，可以實現更好的輕載效率。該產品采用流行的SOT89、TSOP6和SC59封裝，特別適于強調節省空間、降低功耗的應用，可在電動汽車、混合動力汽車和外充電式混合動力汽車的電池能量控制模塊(BECM)中發揮平衡作用。

　　英飛凌(Infineon)將攜集成快速體二極管650V CoolMOSTMCFD2、中壓系列OptiMOSTM、碳化硅肖特基二極管thinQ！TM和60V邏輯電平OptiMOS“606”系列小信號MOSFET等多款領先新品亮相今年的中國(西安)電子展。

　　650V CoolMOSTMCFD2，是全球第一款漏源擊穿電壓為650V并且集成了快速體二極管的高壓晶體管，這個新的CFD2器件延續了600V CFD產品的優點，不僅可以提高能效，而且具備更佳的換流功能，從而降低電磁干擾(EMI)，提升產品的競爭優勢。該產品可將諸如太陽能設備、照明裝置等能效提升至新的高度。

　　另一款新推出的60V至150V CanPAKTM，進一步完善了OptiMOSTM功率MOSFET產品陣容。利用該產品，電源系統工程師可以優化設計，實現更高能效和更好的散熱性能，同時最大限度縮小占板空間。較之標準分立式封裝，CanPAKTM金屬“罐”結構有助于實現雙面散熱，并且幾乎不會產生封裝寄生電感。OptiMOSTM產品可在整個電壓范圍內實現行業最低的RDS(on)和Qg，對于面向太陽能微型逆變器和太陽能系統中使用的MPP追蹤器等快速開關應用，很低的柵極電荷(Qg)意味著最低的開關損耗。

中國西部擁有極其豐富的太陽能、風能與水能資源，這無疑將催生出全球巨大的新能源和清潔能源市場。立足于西部的中國電子展近幾年分別在西安與成都輪流舉辦，著力將新能源與清潔能源打造為展覽的核心議題，吸引了不少有志于開發中國西部新能源與清潔能源市場的知名電子廠商。今年的2011中國(西安)電子展將于8月25～27日在西安曲江國際會展中心舉辦。