- 2011年半導體設備支出成長率高
- 2011年和2012年的建廠支出下調
- 預估2011年半導體晶圓廠設備支出及產能將成長31%與9%
- 2011年的晶圓廠相關設備支出將達到440億美元
SEMI日前公布最新全球晶圓廠資料庫，預估2011年半導體晶圓廠設備支出及產能將分別成長31%與9%，但2011年和2012年的建廠支出則下調。
SEMI產業研究資深經理曾瑞榆指出，2011年將是晶圓廠設備支出創新記錄的一年。 2月以來，許多公司增加資本支出，因此，2011年的晶圓廠相關設備支出可望達到440億美元的史上最高金額。 盡管2012年支出可能會略微下滑6%至410億美元，但這仍然位居史上第二高額的記錄。
然而，受到產業產能計畫的潛在影響，2012年后的新建晶圓廠的數量將達到歷史新低。 SEMI預估有17座新晶圓廠(含13座LED廠)將于2011年開始建置(機率>60%)。 然而，若不含LED新廠計畫，2011年以及2012年都只有4座(量產)新廠開始動工。 整體而言，2011及 2012年的建廠支出將趨緩。
2011年由于發生日本311大地震，短期可能會影響到產能利用率以及產出，但對于整體產能影響有限。 近期晶圓廠產能(不包括分離元件)每年都以低于10%的速度穩步成長。
在產能方面，SEMI預估2011年全球半導體晶圓廠產能可望成長9%，2012年則再攀升7%。 2010年晶圓代工廠的產能成長率超越記憶體晶圓廠，而這個走勢將延續到2011年，預估晶圓廠產能2011年將成長13%，而記憶體廠產能則成長8%。 另一方面，LED晶圓廠的產能持續以兩位數成長，2011年LED廠的產能預估成長超過40%，然而2012年的產能成長將稍微回檔。 整體看來，2011年記憶體廠的產能依舊領先，占全球產能 38%，其次是晶圓代工廠，約占29%。
