- 2011年半導(dǎo)體設(shè)備支出成長(zhǎng)率高
- 2011年和2012年的建廠支出下調(diào)
- 預(yù)估2011年半導(dǎo)體晶圓廠設(shè)備支出及產(chǎn)能將成長(zhǎng)31%與9%
- 2011年的晶圓廠相關(guān)設(shè)備支出將達(dá)到440億美元
SEMI日前公布最新全球晶圓廠資料庫(kù)，預(yù)估2011年半導(dǎo)體晶圓廠設(shè)備支出及產(chǎn)能將分別成長(zhǎng)31%與9%，但2011年和2012年的建廠支出則下調(diào)。
SEMI產(chǎn)業(yè)研究資深經(jīng)理曾瑞榆指出，2011年將是晶圓廠設(shè)備支出創(chuàng)新記錄的一年。 2月以來(lái)，許多公司增加資本支出，因此，2011年的晶圓廠相關(guān)設(shè)備支出可望達(dá)到440億美元的史上最高金額。 盡管2012年支出可能會(huì)略微下滑6%至410億美元，但這仍然位居史上第二高額的記錄。
然而，受到產(chǎn)業(yè)產(chǎn)能計(jì)畫(huà)的潛在影響，2012年后的新建晶圓廠的數(shù)量將達(dá)到歷史新低。 SEMI預(yù)估有17座新晶圓廠(含13座LED廠)將于2011年開(kāi)始建置(機(jī)率>60%)。 然而，若不含LED新廠計(jì)畫(huà)，2011年以及2012年都只有4座(量產(chǎn))新廠開(kāi)始動(dòng)工。 整體而言，2011及 2012年的建廠支出將趨緩。
2011年由于發(fā)生日本311大地震，短期可能會(huì)影響到產(chǎn)能利用率以及產(chǎn)出，但對(duì)于整體產(chǎn)能影響有限。 近期晶圓廠產(chǎn)能(不包括分離元件)每年都以低于10%的速度穩(wěn)步成長(zhǎng)。
在產(chǎn)能方面，SEMI預(yù)估2011年全球半導(dǎo)體晶圓廠產(chǎn)能可望成長(zhǎng)9%，2012年則再攀升7%。 2010年晶圓代工廠的產(chǎn)能成長(zhǎng)率超越記憶體晶圓廠，而這個(gè)走勢(shì)將延續(xù)到2011年，預(yù)估晶圓廠產(chǎn)能2011年將成長(zhǎng)13%，而記憶體廠產(chǎn)能則成長(zhǎng)8%。 另一方面，LED晶圓廠的產(chǎn)能持續(xù)以兩位數(shù)成長(zhǎng)，2011年LED廠的產(chǎn)能預(yù)估成長(zhǎng)超過(guò)40%，然而2012年的產(chǎn)能成長(zhǎng)將稍微回檔。 整體看來(lái)，2011年記憶體廠的產(chǎn)能依舊領(lǐng)先，占全球產(chǎn)能 38%，其次是晶圓代工廠，約占29%。
