- 高達(dá)96%的能效
- 采用TO封裝的高能效1200V器件
- 電子設(shè)備和機器
在德國紐倫堡舉辦的PCIM Europe 2011展會（5月17日至19日）上，英飛凌科技展出的一系列創(chuàng)新產(chǎn)品和解決方案生動地詮釋了大會的宣傳口號“高能效之道（Energy – the efficient way）”。這些產(chǎn)品和解決方案可確保大幅降低電子設(shè)備和機器的能耗。
國際能源機構(gòu)（IEA）預(yù)計，今后20年，全球能耗將增加35%以上。以電力形式消耗的能源，占全球總能耗的三分之一左右。電力一般要經(jīng)過遠(yuǎn)距離輸送，這個過程往往會損耗大量電力。巧妙地利用功率半導(dǎo)體，能夠最大限度地降低發(fā)電、輸配電和電源轉(zhuǎn)換等環(huán)節(jié)的電力損耗，從而消除這種能源損失。利用這種節(jié)能芯片還可以大大提高電子設(shè)備和機器的能效，以確保最大限度地節(jié)省能源。隨著全球人口數(shù)量不斷增長，節(jié)能的重要性日益凸顯。從某種意義上講，提高能效也是最大的能源來源之一。作為全球領(lǐng)先的功率半導(dǎo)體供應(yīng)商，英飛凌通過提供IGBT（絕緣柵雙極型晶體管）、CoolMOS™、OptiMOS™和碳化硅等產(chǎn)品，為降低全球能耗作出了巨大貢獻(xiàn)。諸如電視機、計算機、電源裝置、游戲機、服務(wù)器、電機和機器等各類電子和電氣設(shè)備紛紛使用了英飛凌的節(jié)能芯片。
英飛凌科技副總裁兼電源管理和分立式器件業(yè)務(wù)部總經(jīng)理Andreas Urschitz表示：“利用英飛凌節(jié)能半導(dǎo)體解決方案，最多可將全球總能耗降低25%。我們的產(chǎn)品的節(jié)能效果甚至超過了國際能效標(biāo)準(zhǔn)，因而能為我們的客戶帶來明顯的競爭優(yōu)勢。”
英飛凌在PCIM Europe 2011展會上展出的電源管理產(chǎn)品和解決方案一覽：
最新RC-D快速IGBT以很高的開關(guān)頻率實現(xiàn)了最高達(dá)96%的能效，同時縮小變頻器的尺寸并降低其成本
英飛凌的逆導(dǎo)型（RC）600V IGBT家族又添兩名新成員。這兩款新的功率開關(guān)器件可在目標(biāo)應(yīng)用中實現(xiàn)最高達(dá)96%的能效。利用這些全新推出的RC-D快速IGBT，可以設(shè)計出更高能效的電機驅(qū)動家用電器，它們使用尺寸更小的元件，因此成本比同類系統(tǒng)更低。
英飛凌最新推出市場領(lǐng)先的集成快速體二極管的650V CoolMOS™ CFD2產(chǎn)品，可將諸如服務(wù)器、太陽能設(shè)備、電信機房開關(guān)電源和照明裝置等設(shè)備的能效提升至新的高度
英飛凌的最新一代高壓CoolMOS™ MOSFET實現(xiàn)了又一項創(chuàng)新，設(shè)立了能源效率的新標(biāo)準(zhǔn)。英飛凌展出了全新650V CoolMOS™ CFD2，它是世界上第一款漏源擊穿電壓為650V并且集成了快速體二極管的高壓晶體管。這個新的CFD2器件延續(xù)了600V CFD產(chǎn)品的優(yōu)點，不僅可以提高能效，而且具備更軟的換流功能，從而降低了電磁干擾（EMI），提升產(chǎn)品的競爭優(yōu)勢。
英飛凌為實現(xiàn)高能效電源轉(zhuǎn)換設(shè)計助一臂之力：中壓系列OptiMOS™進(jìn)一步完善CanPAK™產(chǎn)品陣容
英飛凌新推出的60V至150V CanPAK™，進(jìn)一步完善了其OptiMOS™功率MOSFET產(chǎn)品陣容。利用該產(chǎn)品，電源系統(tǒng)工程師可以優(yōu)化設(shè)計，實現(xiàn)更高能效和卓越的散熱性能，同時最大限度地縮小占板空間。較之于標(biāo)準(zhǔn)分立式封裝，CanPAK™金屬“罐”結(jié)構(gòu)有助于實現(xiàn)雙面散熱，并且?guī)缀醪粫a(chǎn)生封裝寄生電感。CanPAK™的優(yōu)勢與OptiMOS™家族的杰出性能相得益彰。OptiMOS™產(chǎn)品可在整個電壓范圍內(nèi)實現(xiàn)行業(yè)最低的RDS(on)和Qg 。對于諸如面向電信應(yīng)用的隔離式DC-DC電源轉(zhuǎn)換器，以及太陽能微型逆變器和太陽能系統(tǒng)中使用的MPP追蹤器等快速開關(guān)應(yīng)用而言，很低的柵極電荷（Qg）意味著最低的開關(guān)損耗。而對于諸如電機控制等高電流應(yīng)用場合，英飛凌CanPAK™產(chǎn)品具備業(yè)界最低的RDS(on)，可以實現(xiàn)最低的功率損耗。
碳化硅肖特基二極管thinQ!™——采用TO封裝的高能效1200V器件
隨著時間的推移，英飛凌推出的第二代碳化硅肖特基二極管，已經(jīng)成為不成文的行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)。現(xiàn)在，英飛凌進(jìn)一步擴充了這個本已十分廣博的產(chǎn)品組合，推出了采用新的TO-247HC（長爬電距離）封裝的1200V碳化硅二極管。
這種新的封裝完全兼容行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)TO-247，因而可輕松用于現(xiàn)有的設(shè)計，而無需付出額外的努力。更長爬電距離，可提高系統(tǒng)安全性，有效防止系統(tǒng)內(nèi)部的灰塵或污垢導(dǎo)致的短路，特別是電弧。這樣，就不需要使用額外的化學(xué)（硅膠或硅霜）或機械（護(hù)套或箔）手段來避免封裝引線之間存在任何污染，從而充分發(fā)揮快速的精益生產(chǎn)工藝的所有優(yōu)勢。碳化硅肖特基二極管thinQ™系列的目標(biāo)應(yīng)用包括太陽能系統(tǒng)、UPS、SMPS和電機逆變器等，可全面滿足客戶不斷提高能效和功率密度的需求。
全新60V邏輯電平OptiMOS“606”系列小信號MOSFET
英飛凌以提供適用于汽車（AEC Q101）的品質(zhì)優(yōu)異的小信號MOSFET而聞名于世。現(xiàn)在，新推出的60V邏輯電平OptiMOS“606”家族，進(jìn)一步豐富了這個產(chǎn)品組合。這種60毫歐姆邏輯電平器件，具備出類拔萃的單位面積RDSon，并且具有很低的Qg，可以實現(xiàn)更好的輕載效率。這種產(chǎn)品采用流行的SOT89、TSOP6和SC59封裝，特別適于強調(diào)節(jié)省空間、降低功耗的應(yīng)用。目標(biāo)應(yīng)用包括，作為低功率DC/DC電源轉(zhuǎn)換器的外接FET、在用于電動汽車、混合動力汽車和外充電式混合動力汽車的電池能量控制模塊（BECM）中發(fā)揮平衡作用，以及用作多種微控制器的外接FET。
