- 一研究小組用非常細的納米線制造出一種晶體管
- 簡化目前的工序，并不需要用高摻雜的補充質(zhì)結(jié)作為源漏
實驗中，他們用平版印刷技術(shù)制造了一種直徑僅有3納米到5納米的硅納米線。由于直徑非常小，表現(xiàn)出明顯的量子限制效應，納米線的塊值(bulk values)性質(zhì)發(fā)生了變化。尤其是用極細納米線制造的晶體管，在空穴遷移率、驅(qū)動電流和電流強度等方面屬性明顯增強，大大提高了晶體管的工作效率，其性能甚至超過最近報道的用半導體摻雜技術(shù)改良的硅納米線晶體管。
得克薩斯大學研究人員沃爾特•胡介紹說，我們已經(jīng)證明，載荷子遷移率會隨著硅隧道的量子限制程度增加而不斷提高，這在理論上為3納米直徑納米線的受激高速空穴流動提供了實驗證據(jù)。
這好像是違反直覺的，一根更細的納米線能產(chǎn)生比更粗的線更高的流動性。但研究人員解釋說，在塊狀硅中，形成電流的空穴能量分布很寬，量子限制效應限制了空穴，形成了更加一致的能量排列，從而提高了導線中的載荷子遷移率。在細納米線中，由于空穴能量分布更窄，反而提高了流動性和電流強度。當與構(gòu)造類似的納米帶(只在厚度維度進行限制)相比時，細納米線也顯出隧道的量子限制程度提高，能產(chǎn)生更高的載荷子遷移率。
納米線晶體管技術(shù)主要用于制造廉價且超靈敏的生物傳感器，其靈敏度將隨納米線直徑的減小而增加。“我們計劃用這種型號的微細納米線晶體管來開發(fā)蛋白質(zhì)生物感測器。”沃爾特•胡說，小直徑納米線依靠本身優(yōu)勢，可在生物感測方面發(fā)揮重要作用，有望開發(fā)出最終達到一個單分子的靈敏感測儀器，而且信噪比更好。
除了生物感測器，新型高性能晶體管還在互補金屬氧化物半導體縮微技術(shù)(CMOS，一種集成電路材料微型化)上有極大潛力，目前該領(lǐng)域的發(fā)展已經(jīng)接近極限，變得越來越難。沃爾特•胡認為，硅材料在納米電子設備領(lǐng)域仍具有很多潛能。硅納米線晶體管的性能隨著直徑減小而增強，將細微納米線晶體管排成陣列，無需新的工藝技術(shù)就能制造出高性能產(chǎn)品。新型納米線晶體管在把CMOS縮小到納米級別時甚至能簡化目前的工序，并不需要用高摻雜的補充質(zhì)結(jié)作為源漏。
