CMOS晶體管的新聞事件：
- 2013年將由平面晶體管向三維溝道的晶體管過渡
CMOS晶體管的事件影響：
- 對各公司的微細化競爭帶來影響
- 元件材料及曝光技術出現轉折
邏輯LSI的基本元件——CMOS晶體管的發展估計將在2013年前后15nm工藝達到量產水平時迎來重大轉折點。將由現行的平面型晶體管向具備三維溝道的立體型晶體管過渡。美國英特爾及臺灣臺積電（TSMC）等知名半導體廠商均已開始表現出這種技術意向。LSI的制造技術發生巨變之后，估計也會對各公司的微細化競爭帶來影響。
元件材料及曝光技術也會出現轉折
“估計一多半的半導體廠商都會在15nm工藝時向FinFET過渡”（英特爾）。“在20nm以后的工藝中，立體晶體管不可或缺”（臺積電）。各公司此前從未對現行晶體管技術的界限作出過這樣的斷言。這是因為各企業認識到現行技術無法解決漏電流増大等問題。另外，各公司目前瞄準11nm以后的工藝，正在開發使用Ge及Ⅲ-V族半導體的高遷移率溝道技術。估計此前主要以硅為對象的材料技術早晚也會迎來重大轉變。
關于對微細化起到關鍵作用的光刻技術，EUV曝光及EB曝光等新技術正不斷走向實用化。目前已相繼出現為生產線引進曝光裝置并形成15nm以后微細圖案的事例。
