- 有最優化的導通電阻和門電容
- 保留了原本PolarP2的特性和優點
- 優化內置的反并聯二極管
- 太陽能發電
IXYS公司近日發布了一種最新系列的PolarP2 MOSFET。這是IXYS快速強大的最新一代Polar-series Power MOSFET，以IXYS特有的PolarP2技術為平臺的500V器件。
這些器件有最優化的導通電阻和門電容，其FOM(導通電阻/Qg)只有12歐姆/納庫(Ω/nC)，優異的性能和節能性使開發更高效的電源系統成為可能。這些電源系統包括在能量交換和太陽能發電系統等。這些器件在開關/諧振電源、不間斷電源(UPS)、基站、服務器、消費類電器等應用同樣是理想的。這些器件也非常適合以下應用：功率因數校正電路、電機驅動器、電子鎮流器、激光驅動器、直流-直流轉換器、自動伺服控制。
這個最新發布的PolarP2 MOSFET系列包含了兩個子類別，提供給最終客戶更靈活的系統設計以及給予客戶機會去選擇最佳性價比的器件。這些子類別包括標準的低損耗版本的PolarP2和高性能版本PolarP2 HiPerFET。
標準的PolarP2 MOSFET的額定電流有16、24、42和52安培幾個規格。標準的PolarP2 MOSFET專門為設計者提供了高性價比的器件。和原來的一代相比，這個新標準的版本降低了高達20%的導通電阻，同時維持低門控充電值(43nC)。這個系列器件有雪崩能量標定，為器件的瞬間過壓提供安全保障。
PolarP2 HiPerFET版本的額定電流有24、42、52、74、94和120安培幾個規格。這種高性能的版本保留了原本PolarP2的特性和優點，同時優化了內置的反并聯二極管，從而提升了器件的dv/dt(電容充電或放電時的電壓波形的最大斜率)能力，提升了反向恢復速度(trr<=250ns)。HiPerFET特有優化的快速恢復二極管使得器件有以下特性：短暫的快速反應、提高能源效率、提高耐用性以及較高的工作頻率。HiPerFET器件超結實的特性和能量的轉換能力，使得這些器件成為零電壓開關拓撲理想的選擇，因為二極管優異恢復特性對零電壓切換非常重要。
