產品特性：
- RF8P20160HSR3，37W的平均射頻輸出功率
- RF8P20160HSR3，45.8 % 的能量轉換效率
- MRF8P20100HSR3，20W的平均射頻輸出功率
- MRF8P20100HSR3，44.3 % 的能量轉換效率
- 提供對寬帶的固有支持
- 用于支持TD-SCDMA的運行
飛思卡爾半導體公司今天推出兩款LDMOS射頻功率晶體管。在中國，時分同步碼分多址存取（TD-SCDMA）無線網絡被廣泛應用，而這些射頻功率晶體管已經專為服務于上述網絡的基站中所使用的功率放大器進行了優化。 這些先進的器件是專為TD-SCDMA 設計的飛思卡爾LDMOS 功率晶體管系列中的最新產品，而TD-SCDMA在業界被廣泛部署。
TD-SCDMA是在中國開發的第三代無線標準，由中國最大的無線通信運營商使用。根據 TD-SCDMA 論壇，將近770萬用戶（約為全國 3G用戶的43%）通過TD-SCDMA網絡接受服務。
MRF8P20160HSR3晶體管和MRF8P20100HSR3器件均采用飛思卡爾最新的高壓第八代（HV8）LDMOS技術，它提供的性能水平位居業界最高行列。 兩個器件都提供對寬帶的固有支持，所以能夠在專為TD-SCDMA的運行而分配的兩個頻帶(1880-1920 MHz 及 2010-2025 MHz）上提供它們的額定性能，這讓一個單獨的器件能夠為兩個頻帶提供服務。
TD-SCDMA基站中的放大器均采用Doherty 架構，該架構包含兩個放大器，它們共同提供所有的運行條件。這通常要求在載波以及功率放大器的末級功峰值路徑中配置單獨的RF功率晶體管。然而，飛思卡爾的LDMOS 晶體管均采用“雙路徑”設計，其中，Doherty末級放大器的實施所要求的兩個放大器被集成在一個單獨的封裝內。這將把所需設備的數量減少一半。這些優勢，加上高增益、高效率及低功耗，能夠降低TD-SCDMA放大器的生產成本、減少所需的組件并降低放大器的復雜度。
兩款器件的工作電壓均為26-32V，能在32V直流電源下處理的電壓駐波比為10:1，它們在設計上是為了與數字預失真誤差校正電路一起使用。它們在內部構造上互相匹配，采用氣腔陶瓷封裝，也可提供膠帶和卷軸式封裝。這些器件還包含保護措施，防止在裝配線上遇到靜電釋放影響。靜電釋放保護也使門電壓在-6V和+10V 之間寬幅波動，從而提高了高效模式（如C級模式）下運行的性能。
這些先進的器件已成為飛思卡爾現有的LDMOS射頻功率放大器陣營中的成員，用于支持TD-SCDMA的運行，其中包括MRF7P20040H LDMOS FET和MD7IC2050N多級集成功率放大器集成電路，每個器件均可在兩個TD-SCDMA頻帶上交付10W的平均功率。
