- 工作電壓可以覆蓋400V—900V區(qū)間
- 可兼容多晶穩(wěn)壓管結(jié)構(gòu)
- 高可靠性，高效率，高EAS能力
- 導(dǎo)通電阻低，動(dòng)態(tài)參數(shù)優(yōu)
- 具有相對(duì)較小的芯片面積
- AC-DC功率電源，DC-DC轉(zhuǎn)換器
- PWM馬達(dá)驅(qū)動(dòng)
S-RinTM產(chǎn)品采用了條形元胞結(jié)構(gòu)，并優(yōu)化了元胞的工藝及設(shè)計(jì)尺寸。相對(duì)于采用其他結(jié)構(gòu)元胞的器件，在EAS能力方面具有較大的優(yōu)勢(shì)；此外，由于采用了尺寸較小的GR環(huán)作為其保護(hù)環(huán)，這樣在相同規(guī)格的條件下，S-RinTM產(chǎn)品就具有相對(duì)較小的芯片面積，這一優(yōu)勢(shì)能有效降低成本，增加芯片的利用效率。
該系列產(chǎn)品優(yōu)化了柵氧化層的厚度和工藝質(zhì)量，提高了柵源擊穿電壓，從而提高了可靠性指標(biāo)，并改善了器件的易損性；其突出表現(xiàn)在于對(duì)IDSS漏電的控制。與其他公司同類(lèi)型的產(chǎn)品相比，S-RinTM產(chǎn)品在經(jīng)過(guò)HTRB可靠性試驗(yàn)后，IDSS仍然可以維持在幾納安到十幾納安非常小的水平，且相對(duì)試驗(yàn)前，基本不會(huì)增大，這就在很大程度上保證了器件在長(zhǎng)時(shí)間工作之后，不會(huì)因?yàn)槁╇娫龃笫Ф绊懫湔Ｊ褂谩?br />
此外，S-RinTM產(chǎn)品通過(guò)在工藝上對(duì)N-JFET的調(diào)整，減小JFET效應(yīng)，使得器件的導(dǎo)通電阻減小，從而降低了器件工作時(shí)的溫升，提高了AC-DC系統(tǒng)的轉(zhuǎn)換效率。對(duì)多晶柵進(jìn)行了重?fù)诫s處理，以提高器件的響應(yīng)速度，從而使該系列產(chǎn)品在動(dòng)態(tài)參數(shù)方面表現(xiàn)出了一定的優(yōu)勢(shì)。
