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IGBT驅(qū)動電路M57962L的剖析
IGBT是一種新型功率器件，即絕緣柵極雙極集體管(Isolated GateBipolar Transistor)，是上世紀末出現(xiàn)的一種復(fù)合全控型電壓驅(qū)動式電力電子器件。它將GTR和MOSFET的優(yōu)點集于一身：輸入阻抗高，開關(guān)頻率高，工作電流大等，在變頻器、開關(guān)電源，弧焊電源等領(lǐng)域得到廣泛地應(yīng)用。M57962L采用+15V、- 10V雙...
2008-10-11
IGBT M57962L 驅(qū)動電路 過流檢測
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DC/DC拓撲的分類和選擇標準
為了提高電力電子產(chǎn)品設(shè)計者選擇DC/DC拓撲的準確性和快速性，分析了現(xiàn)有市場上主流的通信、電腦用電源中DC/DC的應(yīng)用特點，從電氣規(guī)格出發(fā)提出了電力電子產(chǎn)品設(shè)計中DC/DC變換器的電路拓撲選擇的四大標準。 輸入電壓高低決定是否采用軟開關(guān)；輸出電壓高低決定是否采用同步整流；輸入輸出電壓變換范圍...
2008-10-11
直流直流 經(jīng)典拓撲 選擇標準 DC/DC ZVS
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三端雙向晶閘管的功耗計算和Tjmax預(yù)測
三端雙向晶閘管在工作時消耗大量電能，因而其散熱設(shè)計非常重要。散熱設(shè)計主要涉及到功率、熱阻和溫度升高等幾個計算階段。本文介紹的是設(shè)計計算以及設(shè)計案例，其數(shù)據(jù)主要來自實際應(yīng)用和三端雙向晶閘管的數(shù)據(jù)表。
2008-10-11
三端雙向晶閘管 vo rs Tjmax
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韓國技術(shù)團隊訪問南方芯源
韓國楓葉半導(dǎo)體拜訪南方芯源總經(jīng)理羅義先生，此次來訪是希望與南方芯源合作，共同開拓中國MOSFET市場。
2008-10-10
MOSFET 楓葉半導(dǎo)體 南方芯源
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低頻光纖光柵加速度傳感器
本文設(shè)計了低頻光纖光柵加速度傳感器通過對其力學模型分析，建立了光纖光柵加速度傳感器的數(shù)學模型，得到了傳感器的加速度和光纖光柵波長變化間的關(guān)系．通過振動實驗，得到了在不同阻尼下光纖光柵加速度計的幅頻特性。
2008-10-10
光纖光柵 低頻 加速度傳感器
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傳感器中的電壓/電流、電壓/頻率變換的實現(xiàn)
在工業(yè)控制領(lǐng)域，檢測傳感器件起著越來越重要的作用，各種先進的傳感器正在大量應(yīng)用。本文介紹的兩個轉(zhuǎn)換電路所需費用低，且結(jié)構(gòu)簡單，調(diào)試方便，非常易于實現(xiàn)，并且經(jīng)過礦用監(jiān)測設(shè)備多次的實際現(xiàn)場應(yīng)用，其對于國內(nèi)一般的煤礦安全監(jiān)測系統(tǒng)的接入信號的要求都能夠很好地滿足應(yīng)用。
2008-10-10
傳感器 電壓/電流 電壓/頻率
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傳感器信號調(diào)理電路
傳感器信號不能直接轉(zhuǎn)換為數(shù)字數(shù)據(jù)，在變換為數(shù)字數(shù)據(jù)之前必須進行調(diào)理。本文介紹了傳感器信號調(diào)理電路的組成、性能、工作原理以及傳感器和放大器匹配電路等。
2008-10-10
信號調(diào)理 傳感器 放大器
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提高DC/DC轉(zhuǎn)換器EMC性能的新策略
為了提高DC/DC轉(zhuǎn)換器的電磁兼容性，基于混沌現(xiàn)象的寬頻譜特性提出了一種新的DC/DC轉(zhuǎn)換器控制策略。首先推導(dǎo)了能夠產(chǎn)生可控幅度混沌序列的Logistic映射形式，然后利用混沌序列對電流滯環(huán)控制策略的電流參考值進行擾動。從而擴展了電感電流的功率譜，降低了在開關(guān)頻率及其諧波頻率上發(fā)射的電磁干擾。...
2008-10-09
DC/DC轉(zhuǎn)換器 電力電子 混沌 電磁兼容
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估算電感在開關(guān)電源中的功耗
開關(guān)電源的功耗是多方面的，包括功率MOSFET損耗、輸入/輸出電容損耗、控制器靜態(tài)功耗以及電感損耗。本文主要討論電感損耗。眾所周知，電感損耗包括兩方面：其一是與磁芯相關(guān)的損耗，即傳統(tǒng)的鐵損；其二是與電感繞組相關(guān)的損耗，即通常所謂的銅損。本文介紹用估算的方法計算電感在開關(guān)電源中的功耗。
2008-10-09
功率電感 RDC 趨膚現(xiàn)象 滲透深度
- 線繞電阻技術(shù)解析與選型策略
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