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IGBT的并聯(lián)知識(shí)點(diǎn)梳理：靜態(tài)變化、動(dòng)態(tài)變化、熱系數(shù)
大功率系統(tǒng)需要并聯(lián) IGBT來(lái)處理高達(dá)數(shù)十千瓦甚至數(shù)百千瓦的負(fù)載，并聯(lián)器件可以是分立封裝器件，也可以是組裝在模塊中的裸芯片。這樣做可以獲得更高的額定電流、改善散熱，有時(shí)也是為了系統(tǒng)冗余。部件之間的工藝變化以及布局變化，會(huì)影響并聯(lián)器件的靜態(tài)和動(dòng)態(tài)電流分配。系統(tǒng)設(shè)計(jì)工程師需要了解這些，...
2025-01-16
IGBT 并聯(lián) 靜態(tài)變化 動(dòng)態(tài)變化 熱系數(shù)
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用于狀態(tài)監(jiān)測(cè)的振動(dòng)傳感器
機(jī)械振動(dòng)可能由于內(nèi)部或外部因素而發(fā)生。內(nèi)部因素是機(jī)器條件所固有的。內(nèi)部因素的例子有磨損、不平衡力和共振。當(dāng)齒輪、滾柱軸承和傳動(dòng)皮帶等高強(qiáng)度運(yùn)動(dòng)部件磨損時(shí)，磨損會(huì)產(chǎn)生振動(dòng)。不平衡力可能是由于機(jī)器軸未對(duì)準(zhǔn)或旋轉(zhuǎn)軸周圍的重量不平衡造成的。共振是一種可以放大振動(dòng)的現(xiàn)象。當(dāng)一個(gè)物體的振...
2025-01-13
狀態(tài)監(jiān)測(cè) 振動(dòng)傳感器
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第13講：超小型全SiC DIPIPM
三菱電機(jī)從1997年開(kāi)始將DIPIPM產(chǎn)品化，廣泛應(yīng)用于空調(diào)、洗衣機(jī)、冰箱等白色家用電器，以及通用變頻器、機(jī)器人等工業(yè)設(shè)備。本公司的DIPIPM功率模塊采用壓注模結(jié)構(gòu)，由功率芯片和具有驅(qū)動(dòng)及保護(hù)功能的控制IC芯片組成。通過(guò)優(yōu)化功率芯片和控制IC，預(yù)先調(diào)整了開(kāi)關(guān)速度等特性。搭載驅(qū)動(dòng)電路、保護(hù)電路、...
2025-01-09
SiC DIPIPM
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深化綠色承諾，ST與彭水共繪可持續(xù)發(fā)展新篇章
作為全球最早承諾實(shí)現(xiàn)碳中和的半導(dǎo)體企業(yè)之一，意法半導(dǎo)體將可持續(xù)發(fā)展視為釋放企業(yè)競(jìng)爭(zhēng)力，推動(dòng)產(chǎn)業(yè)增長(zhǎng)的重要手段。通過(guò)研發(fā)碳化硅等綠色技術(shù)和產(chǎn)品，堅(jiān)持可持續(xù)發(fā)展的方式，打造為利益相關(guān)者創(chuàng)造長(zhǎng)遠(yuǎn)價(jià)值的可持續(xù)企業(yè)，助力全球綠色生產(chǎn)力的蓬勃發(fā)展。
2025-01-09
ST 彭水 可持續(xù)發(fā)展
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原來(lái)為硅MOSFET設(shè)計(jì)的DC－DC控制器能否用來(lái)驅(qū)動(dòng)GaNFET?
眾所周知，GaNFET比較難驅(qū)動(dòng)，如果使用原本用于驅(qū)動(dòng)硅(Si) MOSFET的驅(qū)動(dòng)器，可能需要額外增加保護(hù)元件。適當(dāng)選擇正確的驅(qū)動(dòng)電壓和一些小型保護(hù)電路，可以為四開(kāi)關(guān)降壓-升壓控制器提供安全、一體化、高頻率GaN驅(qū)動(dòng)。
2025-01-07
硅MOSFET DC－DC控制器 GaNFET
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PNP 晶體管：特性和應(yīng)用
您可能很清楚，現(xiàn)代電氣工程乃至整個(gè)現(xiàn)代世界都與晶體管設(shè)備有著千絲萬(wàn)縷的聯(lián)系。這些組件既充當(dāng)開(kāi)關(guān)又充當(dāng)放大器。盡管場(chǎng)效應(yīng)晶體管目前在電子領(lǐng)域占據(jù)主導(dǎo)地位，但初的晶體管是雙極晶體管，并且很快個(gè)雙極結(jié)晶體管（BJT）就緊隨其后。
2025-01-07
PNP 晶體管
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柵極驅(qū)動(dòng)器選得好，SiC MOSFET高效又安全
硅基MOSFET和IGBT過(guò)去一直在電力電子應(yīng)用行業(yè)占據(jù)主導(dǎo)地位，這些應(yīng)用包括不間斷電源、工業(yè)電機(jī)驅(qū)動(dòng)、泵以及電動(dòng)汽車（EV）等。然而，市場(chǎng)對(duì)更小型化產(chǎn)品的需求，以及設(shè)計(jì)人員面臨的提高電源能效的壓力，使得碳化硅（SiC）MOSFET成為這些應(yīng)用中受歡迎的替代品。
2025-01-06
柵極驅(qū)動(dòng)器 SiC MOSFET
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步進(jìn)電機(jī)中的脈寬調(diào)制與正弦控制
步進(jìn)電機(jī)是需要運(yùn)動(dòng)控制的工業(yè)系統(tǒng)中的重要組成部分。它們依靠電機(jī)驅(qū)動(dòng)來(lái)解碼脈沖輸入并生成輸出電流。良好的控制系統(tǒng)使用特定的算法為電機(jī)繞組產(chǎn)生電流，以實(shí)現(xiàn)步進(jìn)電機(jī)旋轉(zhuǎn)的增量。該算法控制速度、位置、步長(zhǎng)分辨率和效率。脈寬調(diào)制 (PWM) 和正弦控制等控制方法可生成運(yùn)動(dòng)控制所需的電流。
2025-01-02
步進(jìn)電機(jī) 脈寬調(diào)制 正弦控制
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ESR 對(duì)陶瓷電容器選擇的影響（上）
在理想化的情境下，電容器的設(shè)計(jì)理論上可以追求零電阻狀態(tài)。然而，這在物理現(xiàn)實(shí)中無(wú)法實(shí)現(xiàn)，因?yàn)殡娙萜鲀?nèi)部總會(huì)不可避免地存在一種與電容本身串聯(lián)的內(nèi)部電阻，即所謂的等效串聯(lián)電阻（ESR）。不同類型的電容器，其ESR值會(huì)有所差異，這一差異受多種因素的綜合影響，如介電材料的選用、操作頻率的高低...
2025-01-02
ESR 陶瓷電容器
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