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帶微處理器的繼電器將會(huì)迅速發(fā)展
隨著微型和片式化技術(shù)的提高。繼電器將向二維、三維尺寸只有幾毫米的微型和表面貼裝化方向發(fā)展；現(xiàn)在國(guó)際上有些廠家生產(chǎn)的繼電器，體積只有5～10年前的1/4～1/8。因?yàn)殡娮诱麢C(jī)在減小體積時(shí)，需要高度不超過(guò)其它電子元件的更小的繼電器。
2008-09-24
繼電器
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通威股份永祥多晶硅項(xiàng)目于近期正式投產(chǎn)
通威股份（600438）公告，公司控股子公司四川永祥股份有限公司的全資子公司四川永祥多晶硅有限公司800噸多晶硅項(xiàng)目經(jīng)過(guò)8月試生產(chǎn)已于近期正式投產(chǎn)。
2008-09-19
多晶硅
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VJ0805/1206/1210/1808/1812：Vishay的高可靠性MLCC
Vishay日前宣布，其 HVArc Guard表面貼裝 X7R 多層陶瓷片式電容器 (MLCC) 現(xiàn)可提供可選聚合體端子。該器件專(zhuān)為耐受較高機(jī)械應(yīng)用而設(shè)計(jì)，旨在減少機(jī)械破碎相關(guān)的電容器故障。
2008-09-19
VJ0805 VJ1206 VJ1210 VJ1808 VJ1812 MLCC 多層陶瓷片式電容器
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法國(guó)改光伏法規(guī) 太陽(yáng)能市場(chǎng)受影響
據(jù)報(bào)道，法國(guó)政府已經(jīng)通過(guò)法國(guó)國(guó)會(huì)的批準(zhǔn)，對(duì)該國(guó)光伏發(fā)電法規(guī)進(jìn)行有史以來(lái)最大的一次修改，這無(wú)疑是對(duì)法國(guó)以及歐洲太陽(yáng)能發(fā)電產(chǎn)業(yè)一次巨大的沖擊。
2008-09-16
光伏發(fā)電 太陽(yáng)能
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我國(guó)遭美"337調(diào)查" LED企業(yè)上升至10家
2008年8月30日，我國(guó)又有6家LED企業(yè)即半導(dǎo)體照明企業(yè)，被控涉嫌專(zhuān)利侵權(quán)而將面臨美國(guó)國(guó)際貿(mào)易委員會(huì)(U.S.ITC)的“337調(diào)查”。加上此前已有6家中國(guó)大陸LED企業(yè)被起訴且其中4家被列入ITC“337調(diào)查”名單，今年以來(lái)，我國(guó)已有12家LED企業(yè)遭遇海外知識(shí)產(chǎn)權(quán)糾紛(不包括我國(guó)臺(tái)灣地區(qū)企業(yè))。
2008-09-16
知識(shí)產(chǎn)權(quán) LED Rothschild 337調(diào)查
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中能打破多晶硅技術(shù)壟斷 成中國(guó)硅料第一股
紐約證券交易所前不久突然發(fā)布了一則令全球光伏行業(yè)為之震動(dòng)的消息，總部位于香港的太陽(yáng)能硅芯片供應(yīng)商協(xié)鑫硅業(yè)(GCL)已向美國(guó)證券交易委員會(huì)(SEC)遞交了IPO 申請(qǐng)，而這家公司的業(yè)務(wù)主體正是江蘇中能。
2008-09-11
多晶硅
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南方芯源在西安成立研發(fā)中心西安芯派
2008年8月18日，Samwin公司投資發(fā)起設(shè)立的西安芯派科技有限公司正式成立，主要從事MOSFET全新溝通工藝，電源管理IC及射頻技術(shù)應(yīng)用三個(gè)方面的產(chǎn)品研發(fā)。該中心的成立將進(jìn)一步提高Samwin產(chǎn)品的技術(shù)先進(jìn)度。
2008-08-20
西安芯派 Samwin MOSFET 南方芯源
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賽維LDK與印度光伏老大簽5年供應(yīng)合同
剛剛成為全球最大硅片生產(chǎn)商的賽維LDK太陽(yáng)能有限公司(下稱(chēng)“賽維LDK”)昨日宣布，公司近日與印度的XL Telecom & Energy公司簽訂了為期5年的太陽(yáng)能多晶硅片供應(yīng)合同。后者是印度最大的太陽(yáng)能企業(yè)。
2008-08-20
多晶硅 太陽(yáng)能
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STCL1120系列:意法半導(dǎo)體低功耗硅振蕩器
意法半導(dǎo)體推出STCL1120系列硅振蕩器，新產(chǎn)品啟動(dòng)快速，抗振動(dòng)、沖擊和抗電磁干擾（EMI）能力強(qiáng)，電流消耗低，片選控制功能使電源管理比其它品牌的硅振蕩器更加容易，能效更高。
2008-06-24
STCL1120 硅振蕩器 控制設(shè)備
- 安森美與舍弗勒強(qiáng)強(qiáng)聯(lián)手，EliteSiC技術(shù)驅(qū)動(dòng)新一代PHEV平臺(tái)
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