【導(dǎo)讀】我們可能會(huì)發(fā)現(xiàn)在Nichicon的UVZ系列鋁電解電容的數(shù)據(jù)手冊(cè)中會(huì)出現(xiàn)“電壓處理”（Voltage Treatment）這個(gè)概念。
問(wèn)：Nichicon鋁電解電容的電壓處理（Voltage Treatment）
我們可能會(huì)發(fā)現(xiàn)在Nichicon的UVZ系列鋁電解電容的數(shù)據(jù)手冊(cè)中會(huì)出現(xiàn)“電壓處理”（Voltage Treatment）這個(gè)概念。
當(dāng)鋁電解電容在沒(méi)有施加電壓的情況下長(zhǎng)時(shí)間儲(chǔ)存時(shí)，泄漏電流會(huì)增加并漂移到規(guī)格之外。如果電容已存放較長(zhǎng)時(shí)間（通常超過(guò)2年），則應(yīng)檢查電容，以驗(yàn)證其泄漏電流是否仍在規(guī)格范圍內(nèi)。如果電容偏離規(guī)格，則需要通過(guò)對(duì)電容進(jìn)行一次性改造或電壓處理，使得電容的泄漏電流恢復(fù)到規(guī)格范圍內(nèi)。
電壓處理也稱為修復(fù)或再老化，其方法包括通過(guò)1kΩ電阻為電容施加額定電壓30分鐘。
對(duì)于已經(jīng)轉(zhuǎn)配于電路中的電容，可以將整個(gè)電路進(jìn)行老化。
01 如果輸入電壓是可調(diào)的或充電電源可變，操作的步驟如下：
● 將輸入電壓設(shè)置為低值（約為額定電壓的1/2）。
● 施加電壓10分鐘。
● 緩慢增加電壓，到達(dá)到額定電壓。
● 施加額定電壓30分鐘。
02 當(dāng)輸入電壓不可調(diào)時(shí)，可采用以下操作步驟：
● 打開(kāi)設(shè)備。
● 施加電壓30分鐘。
● 在進(jìn)行電壓處理時(shí)監(jiān)測(cè)設(shè)備性能。
03 當(dāng)該鋁電解電容未使用時(shí)，使用以下測(cè)試電路并通過(guò)以下步驟進(jìn)行測(cè)試：
所需設(shè)備：
● 直流電源（如有可能，可調(diào)）
● 開(kāi)關(guān)
● 電壓表
● 1kΩ電阻
● 計(jì)時(shí)器
測(cè)試電路：
安裝程序：
● 通過(guò)開(kāi)關(guān)連接到電源。
● 將1kΩ電阻連接到開(kāi)關(guān)的另一端。
● 電阻的另一端連接到電容的陽(yáng)極或正極引線。
● 將電壓表連接到電阻上。
執(zhí)行測(cè)試：
● 將電源設(shè)置為電容額定電壓。
● 打開(kāi)電源。
● 關(guān)閉開(kāi)關(guān)和啟動(dòng)計(jì)時(shí)器。
● 施加電壓30分鐘。
● 在進(jìn)行電壓處理時(shí)，監(jiān)測(cè)電阻兩端的電壓。
● 當(dāng)泄漏電流LC=V/1kΩ滿足電容器的規(guī)定泄漏電流時(shí)，表明其已經(jīng)完成電壓處理。
通常，如果電容在5°C至35°C的溫度范圍內(nèi)儲(chǔ)存時(shí)間在2年以內(nèi)，則該電容可在沒(méi)有進(jìn)行電壓處理的情況下使用。
經(jīng)過(guò)電壓處理后，電容最多可再存儲(chǔ)2年。如果超過(guò)額外的2年儲(chǔ)存期，則應(yīng)報(bào)廢該電容并更換為新的元件。
來(lái)源：Digi-Key
免責(zé)聲明：本文為轉(zhuǎn)載文章，轉(zhuǎn)載此文目的在于傳遞更多信息，版權(quán)歸原作者所有。本文所用視頻、圖片、文字如涉及作品版權(quán)問(wèn)題，請(qǐng)聯(lián)系小編進(jìn)行處理。
推薦閱讀：
工業(yè)傳感器選型：PNP和NPN兩種類(lèi)型應(yīng)該如何選？
Si對(duì)比SiC MOSFET 改變技術(shù)—是正確的做法
江波龍：PCIe 4.0 SSD未來(lái)幾年仍是PC市場(chǎng)主流規(guī)格
