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浪涌抗擾度標(biāo)準(zhǔn)解讀

發(fā)布時(shí)間：2019-05-08 責(zé)任編輯：wenwei

【導(dǎo)讀】雷擊發(fā)生時(shí)，強(qiáng)電流及其產(chǎn)生的電磁脈沖能通過傳導(dǎo)，感應(yīng)，耦合等方式在電子設(shè)備產(chǎn)生過電壓，過電壓沿電源線或信號(hào)線傳輸時(shí)，就形成雷電浪涌。通常，雷電會(huì)對(duì)暴露在外的電源線上感應(yīng)出較高的電壓，這種電壓不僅會(huì)直接傳到設(shè)備，其產(chǎn)生的浪涌電流在電源線路傳導(dǎo)時(shí)，電磁感應(yīng)的浪涌會(huì)耦合到周圍的信號(hào)線。類似此類浪涌對(duì)電子產(chǎn)品會(huì)造成極大損害，因此要求產(chǎn)品具備一定浪涌抗擾能力。

一概述

1. 概念

浪涌抗擾度主要考察電氣和電子設(shè)備對(duì)由開關(guān)和雷電瞬變過電壓引起的單極性浪涌(沖擊)抗擾度。

2. 試驗(yàn)?zāi)康?/div>

建立一個(gè)共同的基準(zhǔn),用來評(píng)價(jià)電氣和電子設(shè)備在遭受到浪涌(沖擊)時(shí)的性能.通常在實(shí)驗(yàn)室里測試就是模擬雷擊干擾對(duì)設(shè)備的影響。

浪涌是沿著電源線或信號(hào)線上傳播的快速上升,緩慢下降的電流或電壓。

二浪涌的產(chǎn)生

1. 電力系統(tǒng)開關(guān)瞬態(tài)：

（1）主要的電力系統(tǒng)切換騷擾，例如電容器的切換；

（2）配電系統(tǒng)中較小的局部開關(guān)動(dòng)作或負(fù)載變化；

（3）與開關(guān)器件（如晶閘管）相關(guān)聯(lián)的諧振現(xiàn)象；

（4）各種系統(tǒng)故障，例如設(shè)備組合對(duì)接地系統(tǒng)的短路和電弧故障。

2. 雷電的瞬態(tài)：

（1）直擊雷，它擊于外部電路，注入的大電流流過接地電阻或外部電路阻抗而產(chǎn)生的電壓；

（2）間接雷（即云層之間或云層中的雷擊或擊于附近物體的雷擊產(chǎn)生的電磁場）它在建筑物內(nèi)、外導(dǎo)體上產(chǎn)生感應(yīng)電壓和電流；

（3）附近直接對(duì)地放電的雷電電流，當(dāng)它耦合到設(shè)備組合接地系統(tǒng)的公共路徑時(shí)產(chǎn)生感應(yīng)電壓。

3. 雷電等級(jí)劃分

● LPZ 0A區(qū)：本區(qū)內(nèi)的各物體都可能遭到直接雷擊和導(dǎo)走全部雷電流；本區(qū)內(nèi)的電磁場強(qiáng)度沒有衰減。

● LPZ 0B區(qū)：本區(qū)內(nèi)的各物體不可能遭到大于所選滾球半徑對(duì)應(yīng)的雷電流直接雷擊，但本區(qū)內(nèi)的電磁場強(qiáng)度沒有衰減。

● LPZ 1區(qū)：本區(qū)內(nèi)的各物體不可能遭到直接雷擊，流經(jīng)各導(dǎo)體的電流比LPZ 0B區(qū)更小；本區(qū)內(nèi)的電磁場強(qiáng)度可能衰減，這取決于屏蔽措施。

● LPZ 2后續(xù)防雷區(qū)：當(dāng)需要進(jìn)一步減小流入的電流和電磁場強(qiáng)度時(shí)，應(yīng)增設(shè)后續(xù)防雷區(qū)，并按照需要保護(hù)的對(duì)象所要求的環(huán)境區(qū)選擇后續(xù)防雷區(qū)的要求條件。

三試驗(yàn)配置

1. 組合波發(fā)生器，耦合/去耦網(wǎng)絡(luò)和其他輔助設(shè)備。

2. 組合波發(fā)生器分為10/700μs和1.2/50μs兩種，分別對(duì)應(yīng)不同的端口類型。