【導讀】：脈沖群干擾設備的主要有三條途徑：干擾直接以傳導方式進入設備的敏感電路；干擾以傳導方式進入設備；脈沖群中的高頻成分從受干擾線路上逸出，在受干擾的線路周圍形成一個輻射電磁場，影響同一設備上沒有直接做試驗的線路，通過這些線路把干擾引進入設備內部的敏感線路。
針對三條途徑，脈沖群干擾的抑制措施有：
1) 對于直接傳導的干擾應以共模抑制措施為主（如采用濾波、鐵氧體磁環的吸收，以及瞬變干擾抑制器件等等，但要特別注意安裝的位置）；
2) 對于傳導和輻射兩者結合的干擾，除了對端口的進線進行處理外，還需對敏感電路進行局部屏蔽；
3) 對于脈沖群干擾通過輻射電磁場侵入未參加試驗的線纜，進而侵入到設備的內部，所以對于這些端口線纜也采取適當的干擾抑制措施，也包括對線纜和機殼的屏蔽。脈沖群干擾的通用處理意見
吸收和濾波
從本報告的敘述當中可以看到，脈沖群試驗的本意是進行共模干擾試驗，只是干擾脈沖的波形前沿非常陡峭，持續時間非常短暫，因此含有的高頻成分極其豐富，這就導致在干擾波形的傳輸過程中，會有一部分干擾從傳輸的線纜中逸出形成輻射，這樣設備最終受到的干擾是傳導和輻射的復合干擾。針對脈沖群干擾來說，最通用的抑制辦法之一是采用濾波（用電源線和信號線的濾波器進行濾波）以及吸收（用鐵氧體磁芯來吸收）。其中采用鐵氧體磁芯吸收的方案非常便宜也非常有效。
無論是濾波器還是鐵氧體磁芯，在做試驗時，它們擺放位置非常講究。因為脈沖群干擾不僅僅是一個傳導干擾，更麻煩的是它還含有輻射的成分，不同的安裝位置，輻射干擾的逸出情況各不相同，難以捉摸。所以我們希望在整改試驗中的濾波器和鐵氧體磁芯的擺放位置，就是今后在正式產品中使用濾波器和鐵氧體磁芯的位置，千萬不能隨意更改。最有效的位是將濾波器和鐵氧體磁芯用在干擾的源頭和設備的入口處。前者是對干擾源的徹底處理；后者是把緊抑制干擾的大門，使經過濾波器和鐵氧體磁芯處理后的電源線和信號線不再含有輻射的成分。
瞬變干擾抑制器件
由于脈沖群信號是高頻高壓脈沖，因此對于脈沖群信號的抑制還可以采用瞬變電壓吸收器件來對脈沖群信號來進行吸收。瞬變電壓吸收器件的種類有多種，但主要有氣體放電管、金屬氧化物壓敏電阻、硅瞬變電壓吸收二極管和固體放電管等幾種。考慮到脈沖群信號的高頻、高速的特點，適用的瞬變電壓吸收器件只有金屬氧化物壓敏電阻和硅瞬變電壓收收二極管兩種。針對電源線的干擾抑制，原則上這兩種器件都能使用，但相比之下可能壓敏電阻用得更加普遍，原因是價格便宜，響應速度快。另外，壓敏電阻固有寄生電容大的問題在50Hz的電源線路上也沒有任何不好的作用。
針對信號線，這兩種器件同樣都能使用，但硅瞬變電壓吸收二極管可能更加適用，原因是在印刷電路板一級的保護中，硅瞬變電壓吸收二極管的電壓檔次眾多，可供選擇的余地很大；同時，限定電壓比較精準(二極管動作時的殘余電壓較低，比較接近于擊穿電壓)，尤其適合于對半導體集成電路等電子元器件的保護。另外，硅瞬變電壓吸收二極管的寄生電容比壓敏電阻小，用在線路上對傳輸信號的傷害要小。對于高速的傳輸信號還有專門經過處理的、寄生電容小的硅瞬變電壓吸收二極管可以選用(采用高速二極管與硅瞬變電壓吸收二極管相串聯，由于高速二極管有pF級的結電容，經過串聯處理后的硅瞬變電壓吸收二極管的等效電容也是pF級的)，特別適合于對這些線路的保護。
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屏蔽
考慮到脈沖群信號的前沿非常陡峭，脈寬也非常窄，因此含有的諧波成分極其豐富，幅度較大的頻率至少要達到60MHz以上。對于做試驗的電源線和信號線來說，那怕長度只有1m，由于長度已可和傳輸頻率的波長相比，所以不能以普通電源線和信號線對待，信號在上面傳輸時，部分是通過線路進入試品（傳導）；部分要從線路逸出，成為輻射信號進入試品（輻射）。所以試品受到的干擾實際上是傳導與輻射的結合，亦即在做脈沖群試驗的時候，在參試導線的周圍實際上還存在一個輻射場。針對輻射干擾，比較通用的抑制辦法便是屏蔽，包括設備外殼的屏蔽，設備內部的局部屏蔽，還有傳輸線的屏蔽（屏蔽線、同軸電纜和雙絞線等）
結構和接地
結構和接地也是抑制脈沖群干擾的很重要的方面。圖示為一個非金屬外殼的電子設備，首先電源線遠離接地點，接地路徑較長，接地效果大大降低。其次，信號線1遠離接地點，導致干擾脈沖施加在電源線和信號線1上時，脈沖群的共模干擾電流要經互連線和下面的線路板，最終經接地端子入地。由于互連線的阻抗較大，而且接地路徑又長（接地阻抗也大），大大增加了電磁兼容的風險。
如果把上面的結構設計改一改，改成下圖的布局，即將信線電源線集中到一塊印刷線路板上，并在這塊印刷板的同一側上，設備的接地點也移到信號線和電源線的入口附近，則新設計中的大部分干擾電流都會從這個接地點進入大地，只有較少一部分流入產品內部線路，這樣就會大大改進這個設備的抗脈沖群干擾的性能。由此可見，設備的結構和接地點的選擇對設備的抗干擾性能有至關重要的作用。
