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運(yùn)用MOSFET實(shí)現(xiàn)完美安全系統(tǒng)
新車(chē)型的設(shè)計(jì)在某種程度上依賴電子電路的設(shè)計(jì)，用來(lái)降低成本、提高可靠性及豐富功能，另一方面也隨著電氣及電子系統(tǒng)不斷地增加，以及它們占大部分汽車(chē)成本和重量的現(xiàn)實(shí)情況，使得電路保護(hù)設(shè)計(jì)成為設(shè)計(jì)工作中的一個(gè)關(guān)鍵因素。本文介紹如何運(yùn)用MOSFET實(shí)現(xiàn)汽車(chē)電子完美安全系統(tǒng)。
2010-06-04
MOSFET 汽車(chē)電子 熱滯后電路 保護(hù)技術(shù)
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用電過(guò)載引發(fā)汽車(chē)電源設(shè)計(jì)新思考
隨著汽車(chē)電子功能的爆炸式增長(zhǎng)，越來(lái)越豪華的汽車(chē)是否會(huì)危及乘客安全呢？這就是汽車(chē)過(guò)電氣化問(wèn)題的起源，設(shè)計(jì)工程師要采取什么舉措才能避免潛在的危險(xiǎn)呢？本文為你介紹汽車(chē)電子系統(tǒng)功耗分布狀況，以及采取什么方法來(lái)增加汽車(chē)電子系統(tǒng)PowerNet穩(wěn)定性
2010-06-01
汽車(chē)電源 用電過(guò)載 PowerNet
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Littelfuse 連續(xù)兩年授予Mouser目錄分銷(xiāo)商獎(jiǎng)
Mouser Electronics，以其新產(chǎn)品快速導(dǎo)入知名。今日宣布，Mouser被Littelfuse授予2009年目錄分銷(xiāo)商獎(jiǎng)。 Littelfuse是電路保護(hù)設(shè)備的領(lǐng)先制造商，提供行業(yè)內(nèi)范圍最廣最深入的電路保護(hù)產(chǎn)品和解決方案。
2010-06-01
Littelfuse Mouser
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淺析觸電對(duì)人體的危害
觸電直接造成對(duì)人體內(nèi)部組織的傷害，它是危險(xiǎn)的傷害，往往導(dǎo)致嚴(yán)重的后果，電擊又可分為直接接觸電擊和間接接觸電擊。本文為你介紹觸電對(duì)人體的危害及安全電壓使用
2010-05-31
觸電 安全電壓 人體阻抗 電流路徑
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通信基站的常用防雷措施介紹
雷擊對(duì)室外電子設(shè)備的危害極大，特別是通信基站，本文介紹了雷擊破壞的三種主要形式和通信基站的常用防雷措施。
2010-05-18
通信基站 防雷措施 過(guò)電壓保護(hù)
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閉路監(jiān)視電視系統(tǒng)防雷
雷電對(duì)安全監(jiān)控系統(tǒng)的損害途徑是多方面的。本文主要對(duì)閉路監(jiān)視電視系統(tǒng)遭受雷擊損害的主要原因，以及可能的侵入途徑作了初步的分析，同時(shí)對(duì)安全監(jiān)控系統(tǒng)的防雷保護(hù)技術(shù)進(jìn)行了相應(yīng)的介紹。
2010-05-18
閉路監(jiān)視 系統(tǒng)防雷 GB50198
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MEMS光開(kāi)關(guān)的優(yōu)勢(shì)有發(fā)展動(dòng)態(tài)簡(jiǎn)介
本文介紹了基于MEMS(微電子機(jī)械系統(tǒng))技術(shù)的光開(kāi)關(guān)的技術(shù)優(yōu)勢(shì)及主要制造商情況，并概要分析了MEMS技術(shù)的應(yīng)用領(lǐng)域
2010-05-17
MEMS 光開(kāi)關(guān) 表面犧牲層
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Littelfuse：重視工作完美引領(lǐng)電路保護(hù)行業(yè)前行
80年來(lái)，Littelfuse（力特）系統(tǒng)地研究了許多行業(yè)和市場(chǎng)存在的電路保護(hù)問(wèn)題。從保險(xiǎn)絲到二極管，從氣體放電管 (GDT) 到電源可控硅和壓敏電阻，Littelfuse能夠提供滿足各項(xiàng)應(yīng)用需求的先進(jìn)技術(shù)。從保險(xiǎn)絲到半導(dǎo)陣列不等，Littelfuse（力特）擁有大量獨(dú)特的技術(shù)和電路保護(hù)應(yīng)用的產(chǎn)品組合，包括保險(xiǎn)絲，...
2010-05-15
電路保護(hù) 電源可控硅 氣體放電管 保險(xiǎn)絲 過(guò)流保護(hù) GDT
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靜電放電保護(hù)
所周知，MOS結(jié)構(gòu)的IC、FET及高頻器件等產(chǎn)品對(duì)靜電非常敏感，容易受到靜電破壞。其MOS器件比雙極器件更易遭受到ESD破壞，并且隨著制造工藝尺寸的每一次縮短而更加脆弱。由于隨著IC制造工藝從500nm左右演變到90nm和更小尺寸，集成器件的擊穿電壓已大大降低。本文講述如何使用靜電放電保護(hù)器件
2010-05-10
放電保護(hù) ESD 電路保護(hù)
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