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巧避兩大因素，延長CMOS使用壽命
對于模擬CMOS而言，有兩大主要危害，其一是靜電，其二是過壓。因此，要做好CMOS的保護(hù)，就需從這兩大主要因素入手，避免錯誤地使用CMOS，從而延長CMOS的使用壽命。本文將介紹該如何有效應(yīng)對這兩大危害。
2013-06-19
CMOS 電路 CMOS器件 靜電 過壓
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保護(hù)LED免受EOS損傷的兩大防護(hù)方案對比
LED 器件很容易受到EOS的損傷，這種損壞有時能夠直接擊壞器件造成失效。本文講到的兩種EOS防護(hù)方案，一是用TVS穩(wěn)壓管來進(jìn)行保護(hù)，另一種則是采用PolyZen系列元器件，兩種方案孰優(yōu)孰劣？請看下文。
2013-06-18
EOS LED 電路保護(hù) 保護(hù)器件 PolyZen
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防止鋰離子電池組短路新方法
鋰離子電池存在短路風(fēng)險，而對于動力電池組而言，其多達(dá)幾百甚至上萬節(jié)的鋰離子電池更是大大增加了其發(fā)生短路的概率，而一旦短路將極易導(dǎo)致惡性事故的發(fā)生，因此做好鋰離子電池組短路保護(hù)十分重要且必要。
2013-06-07
電池 短路 鋰離子電池
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能降低成本的三端并聯(lián)穩(wěn)壓器
在電源變換器設(shè)計(jì)中往往使用價格較高的傳統(tǒng)運(yùn)算放大器，而本文主要通過實(shí)例說明怎樣用一個較之廉價的三端并聯(lián)穩(wěn)壓器去實(shí)現(xiàn)同樣的功能。
2013-06-01
并聯(lián)穩(wěn)壓器 TL431 三端穩(wěn)壓器
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基于TE mini array 的ESD防護(hù)設(shè)計(jì)
IC的集成度越來越高，但唯獨(dú) ESD 防護(hù)功能無法集成，卻變得更為敏感。因此對于IC的ESD防護(hù)也十分重要且必不可少。本文將講解基于TE的ESD靜電防護(hù)產(chǎn)品mini array在USB3.0及HDMI1.4接口的ESD防護(hù)設(shè)計(jì)。
2013-05-23
ESD TE 靜電防護(hù) USB
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如何設(shè)計(jì)智能時代電子產(chǎn)品電路保護(hù)的精華資料下載
第十四屆電路保護(hù)與電磁兼容技術(shù)研討會剛落幕不久，在研討會上很多知名廠家做出精彩的技術(shù)演講，助力中國電子行業(yè)的設(shè)計(jì)工程師的原創(chuàng)設(shè)計(jì), 幫助工程 師解決設(shè)計(jì)中的電路保護(hù)與電磁干擾問題，提高設(shè)計(jì)效率，加快產(chǎn)品競爭力和上市時間！ 本站編輯精心為大家整理了檳城電子、AEM、新鉑錸電子等領(lǐng)軍...
2013-05-20
電路保護(hù) 資料 電子產(chǎn)品
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一種更精確的IGBT防護(hù)設(shè)計(jì)探究
在使用和設(shè)計(jì)IGBT的過程中，基本上都是采用粗放式的設(shè)計(jì)模式——所需余量較大，系統(tǒng)龐大，但仍無法抵抗來自外界的干擾和自身系統(tǒng)引起的各種失效問題，這一直是IGBT領(lǐng)域的研究熱點(diǎn)，給廣大設(shè)計(jì)者帶來了不少麻煩。本文將突破傳統(tǒng)的保護(hù)方式，探討IGBT系統(tǒng)電路保護(hù)設(shè)計(jì)的解決方案。
2013-05-10
IGBT 電路保護(hù)
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基于AZ1065的USB 3.0介面ESD防護(hù)設(shè)計(jì)
USB3.0具有高達(dá)5Gbps的資料傳輸速度，但其控制晶片對ESD的耐受能力也快速下降，加上最普遍的USB熱插拔動作，也極易造成電子系統(tǒng)工作異常，甚至造成USB控制晶片毀壞，因此，使用額外的ESD保護(hù)元件于USB3.0介面來防止ESD事件對資料傳輸?shù)母蓴_是絕對必要的。
2013-05-09
USB 3.0 ESD防護(hù) ESD
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AEM新型0.25pF玻璃陶瓷ESD保護(hù)器件
目前市場上的ESD保護(hù)器件主要以TVS二極管、壓敏電阻和PESD為主，但最近AEM科技推出的新型玻璃陶瓷ESD器件，它可實(shí)現(xiàn)小于0.25pF的寄生電容，響應(yīng)時間低于1ns，完全滿足最新USB、HDMI等高速接口的ESD保護(hù)需要。
2013-04-26
ESD 玻璃陶瓷 AEM 靜電保護(hù)
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