【導讀】S-parameter library提供能夠用于電路設計時的仿真的芯片積層陶瓷電容器的S-parameter數據。以下將介紹S-parameter數據的測量步驟、所使用的試驗線路板、測量裝置、測量條件進行說明。
1測量步驟
以下介紹本測量的步驟。此外，主要以圖1所示的方法使用網絡分析器和測量夾具在2個端口上測量S-parameter。
1. 校正
使用SOLT (部分SOL) 校正和TRL校正2種方法進行校正。SOLT校正使用本公司生產的Short, Open, Load, Thru線路板校正低頻率側的領域。與此相反，TRL校正使用本公司生產的Thru, Reflect, Line, Match線路板校正高頻率側的領域。此外，校正基準面是焊盤圖案的端面。
2. 測量
將樣品焊接在線路板上，然后固定在與網絡分析器/阻抗分析器相連接的測量夾具上進行測量。
3. 抽取樣品單品的S-parameter數據
所測量的S-parameter數據雖然已經根據校正和電氣長修正除去了試驗線路板和測量夾具的特性，但還包含通孔和焊盤圖案的特性。因此，從測量結果中除去了通孔和焊盤圖案的特性，抽取樣品單品的S-parameter數據。
圖1：S-parameter測量
2試驗線路板
本測量所使用的試驗線路板如下所示。圖2顯示了焊盤圖案。
圖2：焊盤圖案尺寸
3測量裝置
本測量所使用的測量裝置如下所示。
溫度補償用電容器 ※1,000pF以上的與高誘電型電容器的條件相同。
阻抗分析器: E4991A (Keysight Technologies)
網絡分析器: E5071C/N5225A (Keysight Technologies)
測量夾具: PC?SMA/PC?V (YOKOWO)
高誘電型電容器
網絡分析器: E501B/E5071C (Keysight Technologies)
測量夾具: PC?SMA (YOKOWO)
4測量條件
本測量將測量頻率范圍分為低頻率領域和高頻率領域兩種，分別采用適合各自領域的測量條件。表1、表2分別表示溫度補償用電容器及高誘電型電容器的測量條件。
表1：溫度補償用電容器測量條件
※1000pF以上的與高誘電型電容器的條件 (表2) 相同。
表2：高誘電型電容器測量條件
來源：村田制作所
