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選擇合適的OVP、OCP元器件應對電路保護設計挑戰

發布時間:2010-04-16 來源:電子元件技術網

隨著電子系統越來越復雜,對各種電子系統的可靠性要求不斷提高,各種電路保護元器件已經成為電子系統中必不可少的組成部分,保護器件廠商也需要緊跟電路設計的趨勢開發出新型產品應對設計挑戰。隨著半導體工藝的進步,IC的密度大大提高,而工作電壓越來越低,增加了遭受過電壓和ESD危害的幾率,據統計,所有電子器件的現場故障中有大約30%是ESD造成的。除了ESD,電路設計師還需要考慮其他過壓、過流、防雷等因素,據統計,在電子產品出現的故障中,有75%是由于過電流/過電壓造成的。
 
認識到ESD、過壓、浪涌、過熱等現象的巨大危害性,保護器件廠商也在不斷推出各種新產品滿足設計需求。除了關注伏安特性,最新的電路保護器件還需要考慮越來越多的問題,例如,電子設備越來越輕薄,為了符合尺寸的限制并在更小的占位面積中提供電路保護,保護器件制造商需要開發出尺寸更小的元器件,這需要廠商不斷提高元器件的能量密度;接口速率不斷提升,為保證信號完整性就必須考慮到電容的大小,因此,提供的方案也必須緊隨接口發展的趨勢,以保障接口的可靠性;此外,保護元器件的耐沖擊次數和使用壽命也需要考量。
 
系統廠商在設計時需要考慮過壓、過流、過熱等保護問題,目前全球領先的保護器件廠商,比如Littelfuse、Bourns、泰科瑞侃、AEM等都有自己專門的技術和產品線來應對電路保護設計。在4月9日于深圳會展中心牡丹廳舉行的第四屆電路保護和電磁兼容研討會上,多家國內外領先的電路保護器件廠商發表了針對過壓過流保護的解決方案,下面是各位專家演講內容實錄和演講資料的下載地址:
 
著名專家,社區好老師陶顯芳:《 ESD、EMI、EMC設計》(點擊下載演講PPT
Littelfuse 深圳FAE 蔣浩峰:《雷擊和靜電保護點擊下載演講PPT
村田(中國)投資有限公司高級產品工程師范為俊:《 DiiVA 用電子元器件設計對策》(點擊下載演講PPT
順絡電子副總工程師賈廣平:《線路過電壓保護機理及系統化方案設計》(點擊下載演講PPT
美國柏恩亞太有限公司技術支持經理黃逸維:《過壓過流電路保護解決方案》(點擊下載演講PPT
AEM 科技(蘇州)有限公司產品經理齊治:《 ESD 器件應用及解決方案探討》(點擊下載演講PPT
上海光宇睿芯微電子有限公司總經理劉建朝:《 半導體過壓保護器件》(點擊下載演講PPT
深圳市檳城電子有限公司FAE 工程師李亞文:《防護方案設計及器件選型》(點擊下載演講PPT
 
電路保護和電磁兼容技術研討會已經舉行了四屆,每一屆都吸引了大量的設計工程師和研發項目經理的參與。“電路保護和電磁兼容是電路設計的基礎性問題,每位電路工程師都應該熟練掌握。我們希望通過這個研討會幫助工程師了解電路保護和電磁兼容的技術應用趨勢和產品設計方法,通過技術創新來降低成本,同時提升電子產品的可靠性和價值。” 電子元件技術網CEO劉杰博士表示。
 
保護器件的選型
 
目前針對過壓應用,可以選擇TVS、壓敏電阻(MLV)、高分子聚合物ESD器件(Polymer)、玻璃陶瓷ESD器件等解決方案,系統設計師需要針對不同的應用和成本考量選擇不同的方案。
 
ESD器件選型需要考慮許多問題,AEM(蘇州)科技有限公司副總經理鄭索平介紹,選擇ESD器件應該遵循下面的要求:
 
1)選擇靜電保護器件注意:
·箝制電壓不要超過受保護器件的最大承受電壓
·電路電壓不超過保護器件工作電壓
·低電容值、漏電流盡可能的減少干擾及損耗
(2)靜電保護器件盡量安裝在最接近靜電輸入的地方,遠離被保護器件
(3)靜電保護器件一定接的大地線,不是數字地線
(4)回地的線路盡量的短,靜電保護器件與被保護線路之間的距離盡量的短
(5)盡量避免被保護與未被保護線路并排走線
 
針對過流保護可以選PTC、片式熔斷器、斷路器、保險電阻、溫度熔斷器等器件,同樣需要針對不同的應用和成本考量進行選型。鄭索平表示,選擇片式熔斷器等過流保護器件需要考慮下面的因素:
1)額定電流
2)額定電壓
3)工作溫度
4)電壓降 / 冷電阻
5)熔斷特性: 時間-電流特性和過載能力
6)分斷能力
7)熔化熱能值
8)耐久性(壽命)
9)結構特征:外形/ 尺寸和安裝形式
10)安全認證
 

LED是目前非常熱門的應用,針對LED照明應用也需要進行電路保護,需要考慮過壓、過流、過熱等保護問題。泰科瑞侃日前專門介紹了針對LED應用的保護設計方案:《泰科瑞侃詳解LED照明電路保護設計需求
 
另一個需要特別注意的應用是高速傳輸領域,之前村田有介紹針對DiiVA應用的保護元器件選型,對于USB、HDMI等應用,也需要器件電容值足夠的低,來滿足信號完整性需求。Bourns日前介紹了針對USB 2.0/3.0應用提供了專門的方案:《美國柏恩BournsUSB 2.0&3.0上的保護方案
 
對于功率開關等應用,通常都需要配備ESD過壓保護器件,不過新技術的采用使得功率半導體的ESD性能不斷提高。比如NXP的新型雙極晶體管產品:《新一代低VCEsat雙極晶體管》,不僅在溫度穩定性、ESD強度和反向阻斷方面強于傳統的MOSFET,而且在飽和電阻和功率范圍上實現了重大突破,能夠在中功率的應用中替代MOSFET。
 
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