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大咖秀 | PLD/FPGA結(jié)構(gòu)與原理，其實(shí)很簡(jiǎn)單
采用這種結(jié)構(gòu)的PLD芯片有：Altera的MAX7000，MAX3000系列（EEPROM工藝）,Xilinx的XC9500系列（Flash工藝）和Lattice,Cypress的大部分產(chǎn)品（EEPROM工藝）。
2018-03-22
PLD FPGA
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開關(guān)穩(wěn)壓器和ADC之間一些低噪設(shè)計(jì)
系統(tǒng)設(shè)計(jì)人員正面臨越來越多的挑戰(zhàn)，他們需要在不降低系統(tǒng)組件（例如：高速 數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換器）性能的情況下讓其設(shè)計(jì)最大程度地節(jié)能。設(shè)計(jì)人員們可能會(huì)轉(zhuǎn)而采 用許多電池供電的應(yīng)用（例如：某種手持終端、軟件無線設(shè)備或便攜式超聲波掃 描儀），也可能會(huì)縮小產(chǎn)品的外形尺寸，從而需要尋求減少發(fā)熱的諸多方...
2018-03-21
開關(guān)穩(wěn)壓器 ADC 數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換器
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解析電解電容紋波電流及頻率測(cè)試方法
在設(shè)計(jì)開關(guān)電源時(shí)，選型電解電容時(shí)其中紋波電流是一個(gè)很重要的指標(biāo)，既要經(jīng)過理論計(jì)算也要經(jīng)過實(shí)際測(cè)量來保證電解電容的安全工作！
2018-03-21
電容 電解 紋波電流
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設(shè)計(jì)放大器時(shí)，振蕩常見原因以及補(bǔ)救方法
模擬電路設(shè)計(jì)師在設(shè)計(jì)放大器時(shí)，為了使其穩(wěn)定，煞費(fèi)苦心。然而在真實(shí)世界中，總是有很多情況引起放大器振蕩——不同類型的負(fù)載可能使放大器振鳴；設(shè)計(jì)不當(dāng)?shù)姆答伨W(wǎng)絡(luò)可能引起不穩(wěn)定性；電源旁路不夠充分也可能引起問題；輸入和輸出作為單端口系統(tǒng)也還可能自振蕩……
2018-03-20
放大器 耦合器 LTC6268
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多樣化的電容器不斷涌現(xiàn)，區(qū)別關(guān)鍵在于介質(zhì)
區(qū)別在于介質(zhì)的不同、性能不同、容量不同、結(jié)構(gòu)不同致使用環(huán)境和用途也不同。反過來講，人們根據(jù)生產(chǎn)實(shí)踐需要，實(shí)驗(yàn)制造了各種功能的電容器來滿足各種電器的正常運(yùn)行和新設(shè)備的運(yùn)轉(zhuǎn)。隨著科學(xué)技術(shù)的發(fā)展和新材料的發(fā)掘，更優(yōu)質(zhì)、多樣化的電容器會(huì)不斷涌現(xiàn)。
2018-03-19
電容器 介質(zhì)
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繼電器的振動(dòng)，可讓MOSFET在開關(guān)關(guān)閉時(shí)被破壞
請(qǐng)注意由于與繼電器控制并聯(lián)的機(jī)械開關(guān)而產(chǎn)生的瞬態(tài)電壓。當(dāng)驅(qū)動(dòng)感性負(fù)載時(shí)，不要將機(jī)械開關(guān)與MOSFET并聯(lián)。當(dāng)繼電器關(guān)閉時(shí)，由于繼電器的啟動(dòng)時(shí)間短，產(chǎn)生了高的瞬態(tài)電壓(dv/dt)，這通常是由于產(chǎn)生了大量的dv/dt而累積起來的。
2018-03-16
繼電器 MOSFET 開關(guān)
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促進(jìn)粵港澳大灣區(qū)的創(chuàng)新意念及企業(yè)精神-艾睿電子創(chuàng)科論壇及展示會(huì)
艾睿電子在深圳舉辦了其年度「艾睿電子創(chuàng)科論壇及展示會(huì)」，旨在響應(yīng)國家深入實(shí)施創(chuàng)新驅(qū)動(dòng)發(fā)展戰(zhàn)略，科技創(chuàng)新引領(lǐng)戰(zhàn)略性新興產(chǎn)業(yè)發(fā)展，把香港及深圳兩地的初創(chuàng)公司及創(chuàng)客與大灣區(qū)乃至全球主要新興的科技公司聯(lián)系起來，推動(dòng)行業(yè)的協(xié)同創(chuàng)新。
2018-03-15
艾睿電子 創(chuàng)新意念 企業(yè)精神
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一文讀懂，晶振為什么會(huì)發(fā)生停振？
在遇到事情是要以一分為二，對(duì)于晶振也不例外，應(yīng)從內(nèi)外因不同的角度來分析晶振停振。下面我們以內(nèi)外因來分析晶振停振。
2018-03-15
晶振 停振
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開關(guān)三極管，加速電容的分析！
由于電荷存儲(chǔ)效應(yīng)，晶體管BE之間有一接電容，與Rb構(gòu)成RC電路，時(shí)間常數(shù)較大影響了晶體管的導(dǎo)通和截至速度（即開關(guān)速度）。
2018-03-15
電容 開關(guān)三極管
- 精度躍升24倍！艾邁斯歐司朗高分辨率dToF傳感器實(shí)現(xiàn)1536分區(qū)探測(cè)
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