【導讀】很久很久以前，在一個遙遠的星系中，有某個東西突然間爆炸了。其造成的結果是亞原子物質的爆發，而其中的一些物質最終在我們這里找到了出路。
很久很久以前，在一個遙遠的星系中，有某個東西突然間爆炸了。其造成的結果是亞原子物質的爆發，而其中的一些物質最終在我們這里找到了出路。
這種情況經常重復出現，而且仍有更多的亞原子物質正朝著這個方向發展。當它們到達時，它們會非常地分散，以至于可以單獨地檢測到在它們之中的任何一個。遺憾的是，進行這種檢測的對象是您巧妙設計到產品中的半導體時，造成的結果被稱為“單粒子翻轉”(single event upset，SEU)，在某些情況下，它可能造成相當大的破壞。如果您的產品處于地球軌道或在太空中的其他地方快速移動，這一點尤其值得關注。
以使用MOSFET的推挽式逆變器為例。如果“off”側MOSFET在本不應該開啟的時候被錯誤地開啟，其結果可能會導致驅動軌電壓對接地近乎短路。類似這樣的事件可能是災難性的。
這張草圖顯示的就是這樣的一種逆變器，但它具有保護功能，能夠避免因單粒子翻轉而造成的災難。
圖1：每個標示的“X”表示MOSFET正經歷一次單粒子翻轉。
無論哪一個MOSFET因單粒子翻轉而導通，其余三個開關位置都將保持開關狀態，直到受到沖擊的MOSFET開關位置恢復正常。
在此電路中，單粒子翻轉將會暫時干擾變壓器驅動平衡，但并不至于對+Vcc軌造成潛在的災難性下拉，因為受影響的MOSFET的配套MOSFET可以維持預期的開關狀態。
文章來源：EDN電子技術設計
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