【導讀】MOS 晶體管正在按比例縮小，以限度地提高集成電路內的封裝密度。這導致氧化物厚度的減少，進而降低了 MOS 器件的閾值電壓。在較低的閾值電壓下，漏電流變得很大并有助于功耗。這就是為什么了解 MOS 晶體管中各種類型的漏電流至關重要。
MOS 晶體管正在按比例縮小，以限度地提高集成電路內的封裝密度。這導致氧化物厚度的減少，進而降低了 MOS 器件的閾值電壓。在較低的閾值電壓下，漏電流變得很大并有助于功耗。這就是為什么了解 MOS 晶體管中各種類型的漏電流至關重要。
在我們嘗試了解各種漏電流成分之前，讓我們先回顧一下 MOS 晶體管的概念。這將幫助我們更好地了解該主題。
回顧 MOS 晶體管結構
MOS 晶體管結構由金屬、氧化物和半導體結構（因此稱為 MOS）組成。
考慮一個 NMOS 晶體管，它具有 p 襯底和 n+ 擴散阱作為漏極端子和源極端子。氧化物層由 SiO 2制成，并生長在漏極和源極之間的溝道上方。柵極端由n+摻雜的多晶硅或鋁制成。
圖 1. NMOS 晶體管的鳥瞰圖。所有圖片來自 SM Kang，Y. Leblebici，CMOS 數字集成電路， TMH，2003，第 3 章，第 83-93 頁
在無偏置條件下，漏極/源極和襯底界面處的 pn 結是反向偏置的。三極管的能帶圖如圖2所示。
圖 2. 無偏置 NMOS 晶體管的能帶圖
如您所見，金屬、氧化物和半導體的費米能級自行對齊。由于氧化物-半導體界面處的電壓降，Si 能帶中存在彎曲。內置電場的方向是從金屬到氧化物再到半導體，電壓降的方向與電場的方向相反。
這種電壓降是由于金屬和半導體之間的功函數差異而發生的（部分電壓降發生在氧化物上，其余電壓降發生在 Si-SiO 2 界面上）。功函數是電子從費米能級逃逸到自由空間所需的能量。您可以在Jordan Edmunds 的這段視頻中了解有關 MOS 晶體管能帶圖和能帶彎曲的更多信息。
積累
接下來，假設柵極具有負電壓，而漏極和襯底接地的源極。由于負電壓，襯底中的空穴（多數載流子）被吸引到表面。這種現象稱為積累。基板中的少數載流子（電子）被推回到基板深處。下面給出相應的能帶圖。
圖 3.柵極端負電壓的 NMOS 晶體管的能帶圖
由于電場的方向是從半導體到氧化物再到金屬，因此能帶向相反方向彎曲。另外，請注意費米能級的變化。
耗盡區和耗盡區
或者，考慮柵極電壓剛好大于零。空穴被排斥回到襯底中，通道中的任何移動電荷載流子都被耗盡。這種現象稱為耗盡，會產生比無偏條件下更寬的耗盡區。
圖 4. NMOS 中的耗盡區
圖 5. 圖 4 中 NMOS 耗盡區的相應能帶圖
由于電場是從金屬到氧化物再到半導體，因此能帶向下彎曲。
地表反轉
如果進一步提高柵極的正電壓，則襯底中的少數載流子（電子）被吸引到溝道表面。這種現象稱為表面反轉，表面剛好反轉時的柵極電壓稱為閾值電壓 (Vth )。
圖 6. NMOS 晶體管的表面反轉
圖 7.圖 6 中 NMOS 晶體管的相應能帶圖
電子在源極和漏極之間形成傳導通道。如果漏極電壓隨后從零電位增加，則漏極電流 (Id )開始在源極和漏極之間流動。能帶進一步向下彎曲并在半導體-氧化物界面處彎曲。
這里，本征費米能級小于 p 型襯底的費米能級。這支持了這樣的觀點，即在表面，半導體是 n 型的（在 n 型材料的能帶圖中，本征費米能級的能級低于施主能級）。
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