【導讀】近年來，隨著5G、AI、生物識別等技術的不斷發(fā)展，攝像頭也迎來了升級迭代。無論是清晰度還是智能化程度抑或是應用場景，都在不斷加強和豐富，遠程醫(yī)療、遠程辦公、AI測溫、非接觸式識別等等。對攝像頭而言，實時的清晰圖像傳輸是其運作的基礎，因此產品的穩(wěn)定性、清晰度成為了重要的指標。
近年來，隨著5G、AI、生物識別等技術的不斷發(fā)展，攝像頭也迎來了升級迭代。無論是清晰度還是智能化程度抑或是應用場景，都在不斷加強和豐富，遠程醫(yī)療、遠程辦公、AI測溫、非接觸式識別等等。對攝像頭而言，實時的清晰圖像傳輸是其運作的基礎，因此產品的穩(wěn)定性、清晰度成為了重要的指標。
手機攝像頭供電方案
通常來講，一個攝像頭硬件上包括五個部分：外殼（馬達）、鏡頭、紅外濾光片、圖像傳感器和撓性印刷電路板。圖像傳感器作為攝像頭的核心部件，其組件特別容易被電源干擾，并且電源噪聲會影響像素正常捕獲光線的能力，導致照片質量不佳。手機作為應用最為廣泛的移動智能終端，隨著攝像頭3D感測技術的發(fā)展，手機攝像頭應用已經擴展到生物識別、人機交互、AR體驗等場景，手機多攝像頭的增長需求，更是給電源的設計帶來了極大的挑戰(zhàn)。
圖1 維安LDO手機攝像頭供電方案
CMOS Image Sensor（圖像傳感器）需要三路電源（Core，Analog和I/O），其中2.8V為模擬電壓，1.8V為I/O數(shù)字電壓，1.2V為核電壓。此時，通過維安WR0332外置低壓差線性穩(wěn)壓器（LDO）為CMOS Image Sensor供電，可將集中在IC的熱量分散開，抑制整個電路的發(fā)熱量，實現(xiàn)高轉換效率，有助于進一步降低手機攝像頭模塊的功耗。特別是應用于 AVDD時，優(yōu)秀的紋波抑制能力[email protected] ，還能顯著較少電源線干擾噪聲，為CMOS圖像傳感器穩(wěn)定供電。另外核電壓部分，維安還開發(fā)設計了1.0V~1.2V輸出的規(guī)格，可根據(jù)用戶的需求選擇不同的電壓給Core供電。
對于要求低Vin的攝像頭模組應用，當前大部分解決方案是使用輸入1.8V或者1.6V轉輸出1.05V/1.1V的LDO，維安的WR0513可以實現(xiàn)1.2V輸入電源來提供輸出1.05V或1.1V的解決方案。伴隨著手機攝像頭數(shù)量的增加，電池可供給的電量和安裝攝像頭的空間都會受限， 維安WR0332/WR0341、WR0513系列在兼顧小型化封裝DFN-4 1mm*1mm*0.4mm的同時能夠很好的解決功耗和供電問題。
圖2 維安LDO低Vin輸入手機攝像頭供電方案
#維安低壓差線性穩(wěn)壓器（LDO）
安防監(jiān)控系統(tǒng)供電方案
安防視頻監(jiān)控系統(tǒng)要求信號實時、連續(xù)、清晰，而且圖像信號的數(shù)據(jù)量非常大，需要將模擬攝像機采集到的模擬視頻信號編碼壓縮成數(shù)字信號，從而可以直接接入網絡交換及路由設備。網絡攝像機一般由圖像/聲音傳感器、A/D轉換器、圖像/聲音/控制器網絡服務器、外部報警、控制接口、鏡頭等部分組成。其對系統(tǒng)供電要求非常高，特別是在模擬部分要求低噪聲。此時LDO就可以作為完美解決方案。
圖3 LDO安防監(jiān)控系統(tǒng)供電方案
圖3為系統(tǒng)電源管理部分的設計，內置的DC/DC轉換器電路將12 V直流供電轉換成5.0V后，需要多路LDO提供不同電壓的輸出，給系統(tǒng)的數(shù)字電源、模擬電源、主芯片的內核以及IO供電。選用維安LDO為系統(tǒng)供電，可在確保高可靠性的同時實現(xiàn)攝像頭模塊低EMI和高效率的電源電路。
#維安低壓差線性穩(wěn)壓器（LDO）
選型關鍵參數(shù)及主要產品系列
低壓差線性穩(wěn)壓器的主要性能參數(shù)有漏失電壓、瞬態(tài)響應、輸出精度、PSRR & Noise等。在CMOS Image Sensor 及安防監(jiān)控系統(tǒng)供電時，對LDO比較敏感的參數(shù)主要是PSRR和Noise。LDO的噪聲主要有兩部分構成，一部分來自輸入端前級電路，另一部分則來自LDO自身。前者可通過提高PSRR來抑制外部的噪聲干擾。后者就需要通過優(yōu)化LDO的設計或者引入前饋電容來優(yōu)化輸出Noise。
圖4 噪聲頻譜圖
在安防監(jiān)控系統(tǒng)當中如果帶有音頻信號的處理應用，那么就需要LDO給麥克風提供偏置電壓。由于麥克風微弱的信號在系統(tǒng)中會經過放大和A/D(模數(shù))轉換，因此LDO在音頻范圍內(20 Hz～20 kHz)的Noise的差異會對編解碼后的數(shù)字音頻輸出產生較大的影響。
圖5 PSRR @ 10 Hz to 10 MHz
CMOS Image Sensor的動態(tài)負載范圍主要在10kHz到1MHz之間。因此，在較高頻率下，高PSRR可改善圖像質量。另外PSRR由LDO有源控制；而在高于100 kHz的頻率范圍，PSRR更多的受到系統(tǒng)中無源器件（電容器、負載電流、PCB布板）的影響。
在系統(tǒng)電路中, 提高紋波抑制能力需要注意以下幾點：
1、LDO的選擇。根據(jù)CMOS Image Sensor對電源PSRR的要求來選擇適合的LDO。
2、選擇合適的電容器。對于某些陶瓷電容器，實際電容值隨直流偏壓和應用的工作溫度范圍而變化，因此增加更多的電容并不一定會改善性能。
3、盡可能留夠壓降的余量。LDO工作在接近Dropout模式時沒有充分的空間來抑制輸入紋波信號，會降低PSRR。
4、優(yōu)化PCB線路。保證布板的合理性及接地環(huán)路設計盡可能小，以減少外部紋波的串擾。
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