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同步降壓MOSFET 電阻比的正確選擇
在本文中，我們將研究在同步降壓功率級中如何對傳導功耗進行折中處理，而其與占空比和 FET 電阻比有關。進行這種折中處理可得到一個用于 FET 選擇的非常有用的起始點。
2011-10-07
MOSFET 電阻比 同步降壓MOSFET
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USB 2.0與USB 3.0功能特性對比分析
對于開發(fā)商而言，挑戰(zhàn)是如何充分利用USB 3.0的潛能。本文將探討使用USB 3.0硬件軟件設計問題，本文主要介紹的是手持產(chǎn)品。首先，我們將比較USB 2.0和USB 3.0的性能，以及過渡到USB 3.0模塊影響到的器件。
2011-10-07
USB 2.0 USB 3.0 USB
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2011年1-8月電子信息產(chǎn)業(yè)固定資產(chǎn)投資情況
今年以來，在各地大力發(fā)展戰(zhàn)略性新興產(chǎn)業(yè)的帶動下，電子信息產(chǎn)業(yè)固定資產(chǎn)投資保持高速增長，新開工項目明顯增多，基礎元器件領域投資領先增長，行業(yè)結構不斷調(diào)整。主要特點為：增速持續(xù)保持高位，投資規(guī)模超過去年11個月水平；光電器件、新能源電池等領域新開工項目明顯增多，帶動全行業(yè)新開工項目...
2011-10-06
電子信息 電子信息產(chǎn)業(yè)
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2011年硅磁傳感器銷售額預計增長24%
據(jù)IHS iSuppli公司的MEMS與傳感器專題報告，汽車產(chǎn)業(yè)恢復生機，全球智能手機和平板電腦對于數(shù)字羅盤的需求上升，正在推動硅磁傳感器市場加速增長，預計2011年銷售額將上升23.7%。
2011-10-05
硅磁傳感器 傳感器 MEMS
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半導體庫存進一步提升 產(chǎn)能過剩警報響起
研究機構Gartner表示，2011年三季度半導體庫存將進一步提升，達到“令人擔憂”的水平。“整個行業(yè)產(chǎn)能過剩的警報已經(jīng)開始響起?！比虻谌蟀雽w代工企業(yè)格羅方德半導體(GlobalFoundries)首席執(zhí)行官AjitManocha明確指出?！?/p>
2011-10-04
半導體 產(chǎn)能 半導體封測
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正確選擇MOSFET四大要素
作為電氣系統(tǒng)中的基本部件，MOSFET需要工程師深入了解其關鍵特性及指標，以做出正確選型。本文講述正確選擇MOSFET的方法，包括確定N/P溝道、確定額定電流、確定熱要求、決定開關性能四大步驟，根據(jù)RDS（ON）、熱性能、雪崩擊穿電壓及開關性能指標來選擇正確的MOSFET。
2011-10-04
MOSFET MOSFET選擇 MOSFET選型
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第五講：應用于汽車照明的LED驅動器方案
隨著LED性能不斷提升及成本不斷下降，在汽車內(nèi)部及外部照明中的應用領域越來越寬。不同應用對LED電流的要求又各不相同，故需要結合具體應用要求，選擇適合的LED驅動器方案，如線性恒流穩(wěn)流器、線性穩(wěn)壓器或開關穩(wěn)壓器等。本文介紹幾種應用比較廣泛的LED驅動器及具體方案，供設計人員在進行汽車照明...
2011-09-30
LED LED驅動器 汽車照明
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跨越RFID測試挑戰(zhàn)“三重門”，加速物聯(lián)網(wǎng)產(chǎn)業(yè)發(fā)展
物聯(lián)網(wǎng)遙不可及還是近在咫尺？工信部電信研究院在2011年5月發(fā)布的物聯(lián)網(wǎng)白皮書中預計，“十二五”期末中國物聯(lián)網(wǎng)相關產(chǎn)業(yè)規(guī)模將達到5,000多億元，形成萬億元級規(guī)模的時間節(jié)點預計在“十三五”后期。
2011-09-30
RFID 物聯(lián)網(wǎng) 泰克公司
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LED點彩壓階傳輸技術
LED全彩單總線信號驅動IC在工程應用上給工程設計人員帶來了更多的信心。壓階傳輸技術應用在單線傳輸技術基礎上，就顯得格外的簡便，下面我們就以LED全彩單總線驅動IC—CYT3015為驅動芯片，來介紹壓階傳輸技術在LED點彩技術的應用。
2011-09-30
LED 壓階傳輸 壓階 LED點彩
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