【導讀】大多數(shù)工程師都很熟悉可以將輸出電壓 (VOUT) 提升至高于輸入電壓 (VIN) 的升壓變換器，也熟悉升降壓變換器和單端原邊電感變換器 (SEPIC)，它們可以確保 VOUT 根據(jù)接收設(shè)備的需求高于、低于或等于 VIN。
Charge Pump（電荷泵）變換器是一種利用電容來升高或降低電壓的 DC/DC 變換器。這種變換器通常占位面積較小，卻具有較高的效率以及令人難以置信的性價比。它們常被用于薄膜晶體管液晶顯示器（TFT-LCD）的背光和光學模塊，也可用于驅(qū)動降壓電路中的上晶體管（N 溝道 MOSFET）
電荷泵充當倍壓器
電荷泵變換器的傳統(tǒng)用法是用作倍壓器，它通過 VIN 為電容充電，然后切換電荷以確保 VOUT 恰好是 VIN 的兩倍。其基本原理很簡單，即對電容進行充電和放電，然后利用電容可以存儲電荷的原理，將這些電荷與充電電路隔離，并通過放電電路進行傳遞。
在充電階段，四個開關(guān)中的兩個開關(guān)（Q1 和 Q4）導通，另外兩個開關(guān)（Q2 和 Q3）則關(guān)斷；這讓輸入為電容 (C1) 充電（見圖 1）。
然后是轉(zhuǎn)換階段，Q1 和 Q4 關(guān)斷，而 Q2 和 Q3 則導通，因為電容兩端的電壓不會立即變化。C1 向輸出電容 (COUT) 放電，電荷的傳輸通過開關(guān)變換實現(xiàn)，最后 VOUT = 2 x VIN。
圖1: 倍壓器原理圖
電荷泵應(yīng)用
下面我們將描述電荷泵變換器的典型應(yīng)用。
電荷泵在 Buck 降壓電路上管 MOSFET 中的應(yīng)用
以降壓電路為例。為了驅(qū)動上管 MOSFET (HS-FET) 并確保柵源電壓 (VGS) 超過閾值電壓 (VTH)，一般需要自舉電路來升高柵極電壓。
如圖 2 所示，C1 在一個開關(guān)周期內(nèi)完成充電和放電過程，從而提高了柵極電壓。電荷泵不僅可以被降壓變換器的自舉電路用來驅(qū)動 HS-FET，還可用于驅(qū)動半橋和全橋應(yīng)用中的HS-FET。
圖2: 電荷泵被用于驅(qū)動 HS-FET
電荷泵在 Boost 升壓電路中的應(yīng)用
在升壓應(yīng)用中，升壓變換器的最大 VOUT 可能無法滿足某些器件的電壓規(guī)格，例如 TFT-LCD 中的 VP/VN 電源。假設(shè)一個常用于 TFT 偏置電源的變換器，如果其輸出超過 25V，但 SW 引腳僅支持 25V 最大電壓，則輸出通常會受限。
當然，工程師們也可以采用耐壓更高的 IC，但這些 IC 通常性價比較低。在這種情況下，我們可以添加電荷泵電路（見圖3）。只需添加一些額外組件，升壓變換器的新輸出 (VOUT2) 就可以是典型輸出電壓 (VOUT1) 的兩倍。圖 3 顯示了一個利用 MP1542 （700kHz/1.3MHz 升壓變換器）實現(xiàn)的電荷泵。
圖3: 升壓電路中的電荷泵
基于圖 3 得到的簡化電路圖如圖 4 所示。
圖4: 升壓電路中的簡化電荷泵
圖 5 顯示了整個充電流程。當 Q1 導通時，C1 將能量傳遞給 C2，C2 電壓升高，直至 V1 等于 V2。當 Q1 關(guān)斷時，第二個電容 (C2) 將能量傳遞給輸出，最終電壓 (V3) 等于 V2 + V1，或 2 倍的 V1。
圖5: 簡化電荷泵的功能框圖
利用電荷泵實現(xiàn)負壓應(yīng)用
電荷泵還常被用于同時具有正壓輸出和負壓輸出的應(yīng)用，因其所需外圍組件較少，而且占用空間也較小。
在圖 6 所示的電路中，內(nèi)部邏輯電路僅需 4 個 MOSFET，即可使 VOUT 等于負 VIN。該電路無需外部電感，這降低了總體成本并簡化了設(shè)計。這種緊湊的薄型解決方案可用于多種應(yīng)用，包括光學模塊、射頻放大器和傳感器電源。
圖6: 負壓電路中的電荷泵
表 1 對傳統(tǒng)感性 DC/DC 變換器和容性 DC/DC 變換器之間的差異進行了總結(jié)。
表1: 感性 DC/DC 變換器和容性 DC/DC 變換器的比較
結(jié)語
電荷泵變換器是能夠有效將輸入翻倍輸出的高性價比解決方案。設(shè)計人員應(yīng)根據(jù)應(yīng)用需求來選擇合適的 DC/DC 變換器。MPS 提供了多種電荷泵變換器、升壓變換器和升降壓變換器選擇，可滿足任何設(shè)計規(guī)范。
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