【導讀】與傳統(tǒng)的光耦合器相比，數(shù)字隔離器在高速、低功耗、高可靠性、小尺寸、高集成度和易用性方面更具優(yōu)勢。數(shù)以十億計的使用微變壓器的數(shù)字隔離器已廣泛用于許多市場，包括汽車、工業(yè)自動化、醫(yī)療和能源。這些數(shù)字隔離器之所以具有高壓性能，主要原因在于：在堆棧式繞組變壓器的頂部螺旋繞組和底部螺旋繞組之間使用了聚酰亞胺膜。
本文將介紹數(shù)字隔離器的結構，其中使用聚酰亞胺膜作為隔離層。為了滿足多種安全標準，例如UL和VDE，數(shù)字隔離器需要具有承受短時耐受電壓、浪涌電壓、工作電壓等各種高壓性能。研究了聚酰亞胺在交流或直流等各種高壓波形下的老化行為，并通過聚酰亞胺壽命模型推算出隔離器的工作電壓。此外，還將討論通過改進結構來改善聚酰亞胺的高壓使用壽命。
電路元件之間的隔離作用一般是保證高壓安全或者數(shù)據(jù)完整。比如，隔離可保護系統(tǒng)端的敏感電路元件和人機接口，防止現(xiàn)場端的危險電壓造成損害或傷害，現(xiàn)場端有傳感器、執(zhí)行器等更魯棒的元件。隔離還可消除會影響數(shù)據(jù)采集精度的共模噪聲或接地環(huán)路。雖然幾十年來一直由光耦合器提供隔離，但它們存在很大的局限性，包括低速、高功耗、可靠性有限。它們采用低帶寬，傳輸延遲時間長，這讓它們難以滿足許多隔離式現(xiàn)場總線通信越來越高的速度要求，例如工業(yè)自動化系統(tǒng)中的RS-485。
它們的LED具有高功耗，這大大限制了功率有限的工業(yè)系統(tǒng)的系統(tǒng)總功率預算，例如4 mA至20 mA的工藝控制系統(tǒng)。隨著時間推移，特別是在高溫條件下，光耦合器的電流傳輸比不斷降低，使其無法再滿足汽車等嚴苛應用的可靠性要求。
數(shù)字隔離器消除了傳統(tǒng)隔離方面的缺陷，與光耦合器相比，它們在高速、低功耗、高可靠性、小尺寸、高集成度和易用性方面更具優(yōu)勢。使用微變壓器的數(shù)字隔離器支持集成多個變壓器和其他必要的電路功能。數(shù)字隔離器使用的堆棧式螺旋在頂部線圈和底部線圈之間提供緊密的磁耦合，在相鄰螺旋之間則提供極低的磁耦合。如此，可以將多個通道集成在一起，而通道彼此之間幾乎不產(chǎn)生干擾。頂部螺旋和底部螺旋之間的磁耦合只取決于大小和分隔距離。與光耦合器的電流傳輸比不同，它不會隨著時間的推移而降低，所以這些基于變壓器的數(shù)字隔離器具有高可靠性。這些變壓器的自諧振頻率從幾百MHz到幾GHz，可以為數(shù)字隔離器實現(xiàn)150 Mbps至600 Mbps頻率。這些變壓器的高品質(zhì)因數(shù)遠高于10，使得這些數(shù)字隔離器的功耗比光耦合器低幾個數(shù)量級。
圖1所示的光耦合器通過在LED裸片和光電二極管裸片之間填充幾毫米厚的模制原料來實現(xiàn)隔離。對于圖2所示的基于變壓器的數(shù)字隔離器來說，隔離性能主要由芯片級微變壓器頂部和底部線圈之間20 μm至40 μm厚的聚酰亞胺層決定。我們將介紹這些隔離器的詳細結構、這些聚酰亞胺膜的沉積方法、聚酰亞胺膜的特征、高壓性能，以及數(shù)字隔離器的老化行為。
圖1. (a)光耦合器示意圖，(b)光耦合器封裝截面圖。
圖2. (a)采用塑料封裝的數(shù)字隔離器，(b)變壓器截面圖。
數(shù)字隔離器使用聚酰亞胺膜
聚酰亞胺是由亞胺單體組成的聚合物。聚酰亞胺被許多數(shù)字隔離器用作絕緣材料，原因有很多，包括出色的擊穿強度、熱穩(wěn)定性和機械穩(wěn)定性、耐化學性、ESD性能，以及相對較低的介電常數(shù)。聚酰亞胺除了具有不錯的高壓性能外，還具有出色的ESD性能，能夠承受超過15 kV的EOS和ESD事件。在能量有限的ESD事件中，聚酰亞胺聚合物會吸收一些電荷，形成穩(wěn)定的自由基，從而中斷雪崩過程，并排出一些電荷。其他介質(zhì)材料（例如氧化物）通常不具備這種ESD耐受性，一旦ESD電平超過介電強度，即使ESD能量很低，也可能會發(fā)生雪崩。聚酰亞胺還具有很高的熱穩(wěn)定性，失重溫度超過500°C，玻璃化轉(zhuǎn)變溫度約260°C；以及很高的機械穩(wěn)定性，抗拉強度超過120 MPa，彈性伸長率超過30%。聚酰亞胺雖然具有較高的伸長率，但是其楊氏模量約為3.3 GPa，因此不易變形。
聚酰亞胺具有出色的耐化學性，這是它被廣泛用作高壓電纜絕緣涂料的原因之一。聚酰亞胺膜可以涂覆在半導體晶圓襯底上，其出色的耐化學性也有助于促進聚酰亞胺層頂部的IC處理，例如用于制作iCoupler?變壓器線圈的Au電鍍層。最后，介電常數(shù)為3.3的厚聚酰亞胺膜很適合與小直徑Au變壓器線圈配合使用，以最大限度降低隔離柵的電容。大多數(shù)iCoupler產(chǎn)品在輸入和輸出之間的電容小于2.5 pF。由于上述這些特性，聚酰亞胺被越來越廣泛地用于微電子應用中，是非常適合iCoupler高壓數(shù)字隔離器的絕緣材料。
數(shù)字隔離器的結構和制造
數(shù)字隔離器主要由三個部分組成：隔離柵耦合元件、絕緣材料和信號傳輸調(diào)制解調(diào)電路。絕緣材料用于讓隔離柵達到一定的隔離等級，而隔離等級主要取決于絕緣強度及其厚度。介電材料主要分為兩種：有機材料（例如聚酰亞胺）和無機材料（例如二氧化硅或氮化硅）。氧化物和氮化物均具有700 V/μm至1000 V/μm的出色介電強度。但是，它們本身的高應力也會阻礙在大規(guī)模現(xiàn)代IC晶圓上可靠形成15 μm至20 μm的厚膜。有機膜的另一個缺點是：容易受到ESD影響；很小的電壓過應力都會導致災難性的雪崩擊穿。聚酰亞胺這類有機膜由很長的C-H鏈構成，一個能量有限的小型ESD事件可能會破壞一些局部的C-H鏈路，但不會破壞材料的結構完整性，對ESD表現(xiàn)出更高的耐受度。在介電強度方面，聚酰亞胺不如氧化物或氮化物——大約600 V/μm至800 V/μm。但是，由于膜本身的應力低，無需耗費過多成本，即可形成厚度達到40 μm至60 μm的更厚的聚酰亞胺層。30 μm聚酰亞胺膜的耐壓范圍為18 kV至24 kV，要優(yōu)于20 μm氧化物的耐壓范圍（14 kV至20 kV）。對于具有強大的ESD性能和抗沖擊電壓（例如在雷擊中出現(xiàn)的電壓）的高耐壓能力的應用，基于聚酰亞胺的隔離器是不錯的選擇。
商用聚酰亞胺膜以光刻膠的形式提供，它們按照嚴格管控的厚度沉積在晶圓上，然后采用標準的光刻工藝成型。圖3顯示了數(shù)字隔離器所用的隔離變壓器的工藝流程。對頂部金屬層形成底部線圈的CMOS晶圓旋轉(zhuǎn)涂覆第一層光敏聚酰亞胺，然后采用光刻技術形成聚酰亞胺層。然后，對聚酰亞胺進行熱固化，以實現(xiàn)高結構質(zhì)量。對頂部線圈層電鍍，然后涂覆第二層聚酰亞胺層，并進行成形和硬化，形成頂部線圈封裝。由于沉積而成的聚酰亞胺膜沒有空隙（如圖4所示），不會發(fā)生電暈放電現(xiàn)象，所以變壓器設備也具有良好的老化特性，非常適合在連續(xù)的交流或直流電壓下工作。
圖3. 隔離變壓器的工業(yè)流程圖。
圖4. 制造的隔離變壓器的截面圖。
適合數(shù)字隔離器的高壓性能
隔離等級根據(jù)UL 1577，由1分鐘持續(xù)時間內(nèi)的最大耐受電壓決定。在進行出廠測試時，會使用數(shù)字隔離器額定電壓的120%，對其測試1秒鐘。對于2.5 kV rms 1 min額定數(shù)字隔離器，對應的出廠測試設置為3 kV rms下1秒鐘。在實際應用中，需注意兩個重要的高壓性能參數(shù)。一個是最大工作電壓，在該電壓下，絕緣層需要在整個連續(xù)交流或直流操作下保持完好。例如，根據(jù)VDE 0884-11，在額定電壓120%的電壓下，故障率為1 ppm時，提供增強隔離的隔離器的壽命需要大于37.5年。例如，如果增強型數(shù)字隔離器的額定工作電壓為1kv rms，在故障率為1 ppm時，其在1.2 kV rms下的壽命需要大于37.5年。同樣，在額定電壓120%的電壓下，在故障率為1000 ppm時，提供基本絕緣的隔離器的壽命需要長于26年。另一個重要的應用參數(shù)是器件能承受的最大瞬態(tài)隔離電壓。瞬態(tài)測試波形可能各不相同，圖5顯示的是根據(jù)EN 60747-5-5或IEC 61010-1的示例波形。從10%升高到90%所用的時間為約1.2 μs，從峰值降低到50%所用的時間為50 μs。這是為了模擬雷擊條件，所以對隔離器來說，具有能夠滿足現(xiàn)場要求的強大的浪涌性能是非常重要的。ESD耐受性是半導體器件的一個重要特性，具有很高的浪涌性能，代表著它也具有出色的ESD耐受性。
圖5. IEC 61010-1浪涌測試波形
聚酰亞胺膜的特性
圖6顯示在晶圓級測量的旋涂聚酰亞胺膜本身具有的主要的電氣特性：一方面，聚酰亞胺的直流體積電導率在40 V/μm的電場范圍內(nèi)很低，約10-16，在至少高達150 V/μm的范圍內(nèi)，一直保持在很低的水平。另一方面，在60 Hz時，聚酰亞胺膜的交流擊穿電場值達到最小，為450 V rms/μm。所有這些因素使得旋涂聚酰亞胺膜成為非常適合可靠的數(shù)字隔離器應用使用的絕緣材料。
圖6. 在晶圓級測量的旋涂聚酰亞胺膜本身具有的主要的電氣特性：(A)直流導電率與電場之間的關系，(b)交流擊穿電場分布。
圖7顯示了采用30 μm厚的聚酰亞胺膜的隔離器的浪涌性能。這些隔離器將通過高達18 kV的浪涌測試，對于負脈沖，第一次失敗的電壓為19 kV，對于正脈沖，第一次失敗的電壓為20 kV。
圖7. 采用30 μm厚的聚酰亞胺膜的隔離器的浪涌性能。
聚酰亞胺膜的老化
我們通過高壓耐久試驗研究聚酰亞胺的使用壽命。只要時間和電壓足夠，任何絕緣體都是可以擊穿的。圖8顯示了一個示例設置。將多個器件并聯(lián)在一起，由高壓電源對多組器件施加不同的高壓，使用開關/測量裝置（例如Agilent 34980和計算機）來監(jiān)測這些器件被擊穿的時間。這個過程可能耗時長久，擊穿這些器件可能需要幾天到幾個月的時間。
圖8. 高壓耐久測試的實驗性設置。
可以通過威伯爾圖表分析器件故障的時間分布，如圖9所示。對由16個器件組成的組施加6種不同的電壓，每組都會形成不錯的威伯爾分布圖。通過威伯爾圖，可以估算平均無故障時間(MTTF)，或者在某些故障率（例如1 ppm）下發(fā)生故障的時間。很明顯，在高壓下發(fā)生故障的時間比在低壓下發(fā)生故障的時間短得多。根據(jù)VDE 0884-11，從最小到最大的MTTF需要跨越至少兩個數(shù)量級，在最低測試電壓下，63%的故障時間會超過1E7秒或約116天。圖9顯示在這6種電壓下生成的數(shù)據(jù)集滿足這些要求。
圖9. 采用20 μm厚的聚酰亞胺層的隔離器的威伯爾分布圖。
為了推斷工作電壓，會基于應力電壓繪制失敗時間圖。對于基本絕緣，通過20%的降額電壓來決定工作電壓，此時，故障時間或1000 ppm下的使用壽命大于24年。同樣，對于增強絕緣，通過20%的降額電壓來決定工作電壓，此時，1 ppm下的使用壽命大于30年。
主要的擊穿機制是通過電荷注入，這是由于電子直接從電極沖擊到聚酰亞胺表面區(qū)域所造成的。在HVac條件下，當電荷被注入到聚酰亞胺表面時，擊穿過程開始。電荷可以積留在表面的某些積留點。積留之后，電能釋放出來，儲存的靜電電能會導致局部機制緊張。通過量子激活過程，這種緊張最終會引起局部自由體積（空隙或微裂隙），它們會形成更多局部積留點。如果HVac持續(xù)足夠長的時間，這個過程將導致絕緣能力持續(xù)降低，最終被電擊擊穿。
通過熱力學分析，使用壽命L可以如公式1所示：
其中，Et是無電荷注入發(fā)生的閾值場，m和n是比例常數(shù)。
我們按照在ANSI/IEEE標準930-1987（"電絕緣電壓耐久性數(shù)據(jù)的統(tǒng)計分析IEEE指南"）中指定的程序，分析iCoupler器件的HVac耐受性數(shù)據(jù)，由此得出：
如公式2所示，這種唯象擬合被用于計算最短的使用壽命，因為它假定熱力學模型沒有指定閾值場。如果我們嘗試測量閾值場，HV測試的持續(xù)時間會變得非常長。我們使用公式2來模擬圖10中的故障時間。大家可以看到，模型和數(shù)據(jù)非常匹配。
圖10. 采用20 μm厚的聚酰亞胺層的隔離器的故障時間圖。
我們還發(fā)現(xiàn)，iCoupler器件在直流或單極交流電壓下的使用壽命比在雙極交流電壓下要長得多；至少高出兩個數(shù)量級。對于單極波形，積留電荷會在電極周圍形成一個內(nèi)部場屏障區(qū)域，進一步阻止電荷注入聚酰亞胺層，如圖11所示。在雙極交流波形中，電場反向會阻止形成這種穩(wěn)定的場屏障，積留區(qū)域會繼續(xù)侵入聚酰亞胺層，最終導致電擊擊穿。另一方面，在直流或單極交流電壓下，SiO2的使用壽命更短。
圖11. 場屏障區(qū)域，積留電荷形成零凈電場。
圖10所示的使用壽命是基于最壞情況下的雙極交流波形。對于單極交流或直流波形，HV使用壽命甚至更長。本文采用的模型與聚酰亞胺絕緣相關，與使用SiO2絕緣體作為主要的隔離手段的絕緣體無關。同樣，用于預測基于SiO2的數(shù)字隔離器HV使用壽命的模型與基于聚酰亞胺的隔離系統(tǒng)無關。
圖12顯示了聚酰亞胺薄膜在單極電壓和雙極電壓下的使用壽命對比。可以看出，在同樣的故障時間下，單極電壓的峰值應力電壓是交流雙極電壓的2倍。從根本來說，使用壽命由聚酰亞胺薄膜的峰峰電壓決定，而不是由其峰值應力電壓決定。
圖12. 交流雙極電壓與單極電壓之間的故障時間比較。
聚酰亞胺薄膜的結構改善
為了提高聚酰亞胺的高壓耐壓性，可以使用圖13所示的電荷注入屏障。電荷注入屏障最好使用具有大帶隙和高介電常數(shù)的氧化物或氮化物。高介電常數(shù)有助于降低電極附近的電場，而大帶隙可以增大對電荷注入的電能屏障。
圖13. (a)不帶和(b)帶氮化物電荷注入屏障的變壓器隔離。
為了分析給定隔離系統(tǒng)的電荷注入，可以繪制能帶圖，如圖14所示。圖13顯示了隔離系統(tǒng)使用的4種重要材料，分別是：頂部線圈材料Au、頂部線圈與底部線圈之間的隔離材料聚酰亞胺、作為電荷注入屏障的氧化物，以及Au下面的種晶層TiW。根據(jù)能帶圖，可以計算出Au或TiW向聚酰亞胺、氧化物（電子）或孔中注入的電荷量。
圖14. 電荷注入的能帶圖。
圖15顯示了在1000 V下，測量得出的聚酰亞胺和采用SiN注入屏障的聚酰亞胺的充電電流隨時間的變化。與只使用聚酰亞胺相比，使用采用SiN屏障的聚酰亞胺時，穩(wěn)態(tài)電流降低了超過5倍以上。這突出顯示電荷注入過程顯著減少，眾所周知，在高電場下，電荷注入過程是造成電老化的主要原因。
圖15. 聚酰亞胺和采用SiN注入屏障的聚酰亞胺的充電電流比較（1 kV時）。
圖16顯示了采用聚酰亞胺和采用聚酰亞胺/SiN屏障的單裸片配置在60 Hz、1 kV rms至高達3.5 kV rms下的故障時間（HVE測試）與施加的交流電壓。圖中顯示了50%時的使用壽命，以及1 ppm時對數(shù)據(jù)集的推斷值。此外，對于這兩種情況，還報告了在使用壽命為30年時的工作電壓（推測）。采用聚酰亞胺絕緣的數(shù)字隔離器的工作電壓為400 V rms，而改進后采用SiN注入屏障的數(shù)字隔離器的工作電壓>900 V rms（1 ppm時，電壓降額20%后為750 V）。根據(jù)晶圓級分析比較結果，可以得出，是聚酰亞胺和金屬線圈之間的SiN注入屏障使用壽命和工作電壓得到了改善。這些SiN薄層會在空間電荷形成開始時減少雙極電荷注入，從而降低電流，降低相關的熱效應，并且（很可能）延長在給定電壓下的使用壽命。
圖16. 帶和不帶SiN電荷注入屏障的聚酰亞胺隔離器的故障時間比較。
結論
從浪涌電壓到高壓耐受性，聚酰亞胺薄膜都具有出色的高壓性能。我們已經(jīng)確定這些膜的特性，可以通過使用具有大介電常數(shù)和大帶隙的電荷注入屏障來進一步增強其抗老化行為。本文介紹了聚酰亞胺薄膜在數(shù)字隔離器中的應用，它們是數(shù)字隔離器構建隔離柵的出色選擇。
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