【導讀】目前的芯片工藝越來越精密，主IC都到納米級別了，具有極薄光刻技術和極易受到 ESD 影響的柵極氧化物的先進技術，所以IC的防靜電能力主要是保護自身在生產運輸和安裝過程中不受損壞。
防靜電需求
目前的芯片工藝越來越精密，主IC都到納米級別了，具有極薄光刻技術和極易受到 ESD 影響的柵極氧化物的先進技術，所以IC的防靜電能力主要是保護自身在生產運輸和安裝過程中不受損壞。
其次具有高元件密度的 PCB 的集成電子板有助于 ESD 耦合和傳播，所以整機中ESD現象時常發生。
為什么IC 制造商不愿意制造強大的嵌入式 ESD 保護二極管，因為它們需要大量先進且昂貴的技術的有效面積，防靜電不同于別的芯片工藝，靜電瞬間電流有數十安培，必須通過有效的芯片面積來防護，不是尖端工藝能解決的。
高速信號芯片防靜電特點
ESD 保護器件的寄生電容必須足夠低，以允許高速信號傳輸而不會降級。
ESD 保護器件的高寄生電容會增加過多的信號上升/下降時間并阻止通信，從而丟包。
以下是以電容置于高速信號線對信號的影響圖形。
很多人不清楚這個電容的換算，也可以參考下面的圖片
如何保證線路上的寄生電容足夠小，而且走線也不影響差分信號阻抗匹配？
首先要選擇電容足夠小的ESD器件，其次是要合理布線。
在盡可能情況下，選擇DFN封裝的ESD器件，如雷卯電子ULC0524P ULC0511CDN這類超低電容的器件。
如何看懂ESD器件參數？
一般入門級只要看懂動作電壓Vbr，電容Cj，箝位電壓Vc即可。
以下規格書為示例。
DFN封裝技術越來越成熟，封裝速度快，體積小，雷卯提供了越來越多的防靜電DFN封裝器件，DFN1006 DFN1610 DFN2020 DFN1616 DFN2010 DFN2510 DFN3310 等，最多支持10路的高速信號靜電保護。
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