【導讀】今天，我們將完成我們關于寬禁帶生態系統的第三部分系列文章。在第一部分，我們聚焦物理可擴展的模型，第二部分，我們重點介紹我們的碳化硅功率MOSFET模型的某些方面。在這博客系列的第三部分，我們將聚焦模型驗證。
圖1
我們首先在上面的圖1中顯示輸出電流-電壓特性。該模型準確地預測了整個偏置范圍，包括高門極處的漂移區和漏極偏差。右邊圖中精確的傳導仿真突出了模型的連續性，這對于強固的收斂性能非常重要。除了線性地發現隱藏的不準確和不連續之外，我們還常以對數標度觀察。
圖2
在圖2中，我們顯示了在寬溫度范圍內電流電壓、RDSon和閾值電壓的結果。SiC MOSFET器件由于其穩定的溫度性能而非常有吸引力。寬溫度范圍的高精度建模使設計師能夠充分利用這一品質。
圖3
在本系列博客的第一部分中，我們介紹了復雜器件電容的物理模型。結果如圖3所示。在左邊，CRSS(或CGD)仿真跟蹤超過兩個以上數量級數據的多重變化，只在一個對數標度上可見。
圖4
通過精確建模的固有電容和器件布板寄生值，就可以得出開關結果，如圖4所示，不需要額外的模型精調。這保真度水平使應用設計人員有信心精確仿真器件電路相互影響，如dV/dt、dI/dt、開關損耗和電磁干擾(EMI)。還可研究和優化門極驅動器和電源回路的相互作用。
滿足客戶多樣化的仿真平臺需求對我們很重要。因此，SPICE不可知論的方法至關重要。不可知論法意思是在行業標準仿真軟件中只使用最小公分母結構，避免依賴仿真器的專有方案。
安森美半導體提供一系列先進的寬禁帶器件和仿真環境。這完整的陣容構成一個生態系統，使我們的客戶能夠充分實現新的、令人興奮的寬禁帶應用和系統的潛力。
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