【導(dǎo)讀】巨大的天然洞穴里的光線暗淡，房間陰沉，反映出Octopus博士的陰郁情緒。他咕噥著，嘆息著，他試圖用他的假肢撬開(kāi)一臺(tái)部分損壞的筆記本電腦機(jī)箱，以破壞它和確保它不會(huì)落入敵人的手中–其手尤其能夠以聲速投擲比鋼腹板堅(jiān)硬的物體到幾百米的空中。幾小時(shí)前，Octopus博士捅穿了惡勢(shì)力的肋骨將其甩到街上，然后帶著一只含電子產(chǎn)品的手提箱迅速離開(kāi)。
回到藏身處后，筆記本電腦最終崩潰了，盡管戴著面具的十字軍戰(zhàn)士全神貫注在頂棚注視著他，等待著一個(gè)機(jī)會(huì)把它奪回來(lái)。筆記本電腦中的8TBSSD（固態(tài)器件或固態(tài)“驅(qū)動(dòng)”–其中沒(méi)有移動(dòng)部件）有許多秘密。Octopus博士知道信息的重要性，并不惜一切去破壞它，無(wú)意中給他最大的敵人一個(gè)機(jī)會(huì)尾隨他到了受保護(hù)的藏身處。為了確保SSD中的內(nèi)容是真的和被永久的破壞，Planner碩士打碎了機(jī)箱，然后又額外用機(jī)電臂在其端口釋放強(qiáng)大的閃電，當(dāng)它明顯的噼啪作響并片刻變成藍(lán)色時(shí)咧嘴而笑。
他沒(méi)有料到的是安森美半導(dǎo)體的固態(tài)硬盤(pán)和硬盤(pán)驅(qū)動(dòng)器（HDD）從個(gè)人電腦到數(shù)據(jù)中心的應(yīng)用都包含電子保險(xiǎn)絲(eFuse)。這些eFuse在遭遇過(guò)流條件時(shí)通過(guò)“熔斷”（開(kāi)路）保護(hù)電器，而且這種方式類似于普通保險(xiǎn)絲。不同的是，這些器件可以電子復(fù)位到導(dǎo)電狀態(tài)。eFuse提供一些額外的功能，其規(guī)格不斷提高：我們最新的eFuse包括集成的特性如電荷泵、精密的過(guò)流保護(hù)、熱關(guān)斷、三態(tài)使能引腳、欠壓鎖定和帶有輸出電壓鉗位的過(guò)壓保護(hù)。
不是所有的eFuse都相同。在當(dāng)今的電力系統(tǒng)中，能效是關(guān)鍵，較低性能的eFuses其實(shí)可以對(duì)系統(tǒng)的整體性能產(chǎn)生有害的影響。關(guān)鍵的參數(shù)是eFuse的靜態(tài)電阻RDS(ON) ，由內(nèi)部MOSFET確定。低的RDS(ON)值確保正常運(yùn)行時(shí)的功率傳輸是高效的和極低功耗的。更高效的運(yùn)行還支持在較高環(huán)境溫度下工作，而器件升溫相對(duì)較低，這意味著需要較少的冷卻，從而可節(jié)省空間。雖然eFuses的工作溫度可達(dá)150?C，但工作溫度越低，使用壽命越長(zhǎng)。這一點(diǎn)尤其重要，因?yàn)閿?shù)據(jù)中心的硬件被期望能工作10年或更長(zhǎng)。
安森美半導(dǎo)體最新的eFuse（NIS5431 和NIS5452）的RDS(ON) 的典型值僅33m?，比前代的NIS5135低一半。如圖1所示，較新的器件包括具有柵極電壓的集成的高邊N溝道功率MOSFET，由電荷泵升壓。
圖1. 具有柵極電壓的集成的高邊N溝道功率MOSFET。
在Octopus博士將破舊的筆記本電腦和SSD從懸崖扔到飛泉洶涌的水下后，一個(gè)受傷的蜘蛛俠從潮濕的山洞里溜出來(lái)，蹲在邊上盯著它，然后在一個(gè)不可能的角度溜下巖壁。差不多六個(gè)小時(shí)后，他取回了電子產(chǎn)品，并送到數(shù)據(jù)醫(yī)學(xué)實(shí)驗(yàn)室進(jìn)行分析。果然，eFuse保護(hù)了SSD免受有害電擊的損壞，這只是個(gè)時(shí)間問(wèn)題，然后閃存芯片被從設(shè)備中取出，并被安裝到一個(gè)新的機(jī)箱中，提供獲取豐富的數(shù)據(jù)，包括用來(lái)譯碼惡人名字、他們的位置和他們對(duì)全球所犯下的罪的12,837,064位重要的數(shù)據(jù)。
如果要求eFuse的額定電流超過(guò)5A，可以簡(jiǎn)單地將使能引腳、輸入和輸出并聯(lián)在一起。由于RDS(ON)的正溫度系數(shù)，均流均為自動(dòng)分配。圖2和圖3的評(píng)估板演示了這。
圖2. 評(píng)估板展示4個(gè)NIS5452的并行配置。
圖3. 4個(gè)NIS5452器件并行，總電流20A，最高殼溫56攝氏度。
內(nèi)部高能效的SenseFET架構(gòu)支持限流以保護(hù)免受故障條件的影響。這樣的配置顯著的節(jié)省檢測(cè)電阻的功耗和便于通過(guò)外部電阻RLIMIT編程。可調(diào)的轉(zhuǎn)換速率特性控制浪涌電流，同時(shí)為高容性負(fù)載提供電源。
可以在具有一些元器件的NIS5452MT1GEVB 標(biāo)準(zhǔn)評(píng)估板上測(cè)試最新的NIS5452 和NIS5431 ，以簡(jiǎn)化測(cè)試。請(qǐng)點(diǎn)擊這里獲取更多信息或聯(lián)系您當(dāng)?shù)氐匿N售代表以申請(qǐng)?jiān)u估板和樣品，和您在打擊犯罪的努力中所需要的任何其他幫助！
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