【導讀】輔助電源單元在電池電動汽車(BEV)和混合動力電動汽車(HEV)的電源應用中無處不在，對于為控制、通信、安全、驅動等通常低于20 V的各種低壓子系統供電至關重要，而且，電源本身的電源可能來自+400 V直流高壓總線，如車載充電(OBC)系統或48 V或12 V電池電壓軌。
在如此廣泛的應用范圍內，對輔助電源的要求非常多樣化，因而市場上產生了無數替代方案和運用。
盡管這些電源是輔助系統，但仍需要確保高可靠性和穩定性，因其在為關鍵模塊供電，如可能包括核心控制器的邏輯級電路，或導通和關斷功率金屬氧化物硅場效應晶體管(MOSFET)和絕緣柵雙極型晶體管(IGBT)的門極驅動器。
同時，要求緊湊的設計和出色的性價比，因為這些系統不是應用的核心部分，因此應花費盡可能少的資源來完成工作。
安全也是最重要的，在大多數情況下，系統必須符合汽車標準，也規定了電磁干擾限制。而且，適應廣泛的輸入電壓范圍和適應不同用例的靈活性，使其脫穎而出。
最后同樣重要的是，輔助電源需要提供高壓隔離，特別是如果法規規定，或功能隔離，以實現可靠的運行。
根據應用相應的上述要求，輔助電源用在不同的拓撲結構-反激、升壓、降壓-升壓等。它們可采用替代的開關機制，如：準諧振或固定頻率，并利用集成或分立技術來傳輸所需的功率。
圖1.基于反激式拓撲的隔離型輔助電源原理圖，工作在準諧振峰值電流模式控制下
安森美半導體最近推出了四個新方案：高壓輔助電源，適用于基于800 V和400 V電池的BEV和PHEV并提供15 W或40 W功率，以及用于IGBT和碳化硅(SiC) MOSFET驅動器的隔離型電源。這些方案解決上述挑戰并滿足所需要求。
SECO-HVDCDC1362-15W15V-GEVB和SECO-HVDCDC1362-40W15V-GEVB是極高能效和靈活的初級端調節(PSR)輔助電源，優化用于BEV和PHEV汽車動力總成。這些設計可在250 V至900 V的寬輸入直流電壓范圍內提供穩定的15 V，因此適用于400 V和800 V電池系統。
該方案利用NCV1362準諧振峰值電流PSR反激控制器、成本優化的NVHL160N120SC1 160mΩ1200 V碳化硅(SiC) MOSFET和FFSD0665B-F085 SiC二極管的多種優點。
得益于SiC FET的高阻斷電壓能力和超低門極電荷(34 nC)值，開關損耗顯著減小，該設計表現出出色的能效，在低交流電條件下高達86％。
NCV1362控制器出色的驅動能力支持SiC FET在12 V下直接運行，而無需預驅動器，從而簡化了布局并減少了物料單的內容。反激式變壓器提供4 kV的隔離度，且完全通過汽車級半導體和無源器件實現。
圖2. SECO−HVDCDC1362−15W15V−GEVB的能效
圖3. SECO−HVDCDC1362−15W15V−GEVB框圖
圖4.15 W高壓輔助電源的優勢
(SECO−HVDCDC1362−15W15V−GEVB)
SECO-LVDCDC3064-IGBT-GEVB是IGBT驅動器的隔離電源，提供所需穩定電壓軌 (-7.5 V和15 V，每個分路50 mA），實現在寬輸入電壓范圍（6 Vdc至18 Vdc）高效開關。還提供了額外的+7.5 V電源軌，以支持任何其他較低電壓邏輯。
該系統利用NCV3064 DC-DC轉換器，實現緊湊而穩定可靠的設計，最小化材料單內容。該板完全采用汽車認證的器件實現，并且與商用IGBT DC - DC電源引腳兼容，從而提供了開箱即用的隔離型驅動器電源方案。
使用相同NCV3064的另一個SiC變體SECO-LVDCDC3064-SIC-GEVB將適用于SiC MOSFET開關，為門極驅動器提供+ 20 V /-5V電壓軌。
圖5.1.5 W IGBT隔離型驅動器電源的優勢 (SECO-LVDCDC3064-IGBT−GEVB)
圖6. SECO-LVDCDC3064-IGBT−GEVB框圖
新的電源設計用于400 V和800 V電池系統，隔離型電源用于IGBT和SiC門極驅動器，都經過專門設計，可直接集成到應用系統中。
安森美半導體用于汽車輔助電源方案的廣泛產品和工具陣容，有助于滿足每種應用的要求并提供最佳方案。
除了AC-DC控制器和穩壓器、DC-DC控制器和穩壓器、功率MOSFET、二極管和保護器件的全面產品陣容，以充分實現廣泛的設計，我們還提供廣泛的硬件和軟件評估以及開發工具幫助工程師，可加快開發階段并縮短新產品的上市時間。
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