【導讀】二極管種類有很多，按照所用的半導體材料，可分為鍺二極管（Ge管）和硅二極管（Si管）。根據(jù)其不同用途，可分為檢波二極管、整流二極管、穩(wěn)壓二極管、開關(guān)二極管等。按照管芯結(jié)構(gòu)，又可分為點接觸型二極管、面接觸型二極管及平面型二極管。
點接觸型二極管是用一根很細的金屬絲壓在光潔的半導體晶片表面，通以脈沖電流，使觸絲一端與晶片牢固地燒結(jié)在一起，形成一個“PN結(jié)”。由于是點接觸，只允許通過較小的電流（不超過幾十毫安），適用于高頻小電流電路，如收音機的檢波等。面接觸型二極管的“PN結(jié)”面積較大，允許通過較大的電流（幾安到幾十安），主要用于把交流電變換成直流電的“整流”電路中。平面型二極管是一種特制的硅二極管，它不僅能通過較大的電流，而且性能穩(wěn)定可靠，多用于開關(guān)、脈沖及高頻電路中。
晶體二極管的分類
一、根據(jù)構(gòu)造分類
半導體二極管主要是依靠PN結(jié)而工作的。與PN結(jié)不可分割的點接觸型和肖特基型，也被列入一般的二極管的范圍內(nèi)。包括這兩種型號在內(nèi)，根據(jù)PN結(jié)構(gòu)造面的特點，把晶體二極管分類如下：
點接觸型二極管
點接觸型二極管是在鍺或硅材料的單晶片上壓觸一根金屬針后，再通過電流法而形成的。因此，其PN結(jié)的靜電容量小，適用于高頻電路。但是，與面結(jié)型相比較，點接觸型二極管正向特性和反向特性都差，因此，不能使用于大電流和整流。因為構(gòu)造簡單，所以價格便宜。對于小信號的檢波、整流、調(diào)制、混頻和限幅等一般用途而言，它是應用范圍較廣的類型。
鍵型二極管
鍵型二極管是在鍺或硅的單晶片上熔接或銀的細絲而形成的。其特性介于點接觸型二極管和合金型二極管之間。與點接觸型相比較，雖然鍵型二極管的PN結(jié)電容量稍有增加，但正向特性特別優(yōu)良。多作開關(guān)用，有時也被應用于檢波和電源整流（不大于50mA）。在鍵型二極管中，熔接金絲的二極管有時被稱金鍵型，熔接銀絲的二極管有時被稱為銀鍵型。
合金型二極管
在N型鍺或硅的單晶片上，通過合金銦、鋁等金屬的方法制作PN結(jié)而形成的。正向電壓降小，適于大電流整流。因其PN結(jié)反向時靜電容量大，所以不適于高頻檢波和高頻整流。
擴散型二極管
在高溫的P型雜質(zhì)氣體中，加熱N型鍺或硅的單晶片，使單晶片表面的一部變成P型，以此法PN結(jié)。因PN結(jié)正向電壓降小，適用于大電流整流。最近，使用大電流整流器的主流已由硅合金型轉(zhuǎn)移到硅擴散型。
臺面型二極管
PN結(jié)的制作方法雖然與擴散型相同，但是，只保留PN結(jié)及其必要的部分，把不必要的部分用藥品腐蝕掉。其剩余的部分便呈現(xiàn)出臺面形，因而得名。初期生產(chǎn)的臺面型，是對半導體材料使用擴散法而制成的。因此，又把這種臺面型稱為擴散臺面型。對于這一類型來說，似乎大電流整流用的產(chǎn)品型號很少，而小電流開關(guān)用的產(chǎn)品型號卻很多。
平面型二極管
在半導體單晶片（主要地是N型硅單晶片）上，擴散P型雜質(zhì)，利用硅片表面氧化膜的屏蔽作用，在N型硅單晶片上僅選擇性地擴散一部分而形成的PN結(jié)。因此，不需要為調(diào)整PN結(jié)面積的藥品腐蝕作用。由于半導體表面被制作得平整，故而得名。并且，PN結(jié)合的表面，因被氧化膜覆蓋，所以公認為是穩(wěn)定性好和壽命長的類型。最初，對于被使用的半導體材料是采用外延法形成的，故又把平面型稱為外延平面型。對平面型二極管而言，似乎使用于大電流整流用的型號很少，而作小電流開關(guān)用的型號則很多。
合金擴散型二極管
它是合金型的一種。合金材料是容易被擴散的材料。把難以制作的材料通過巧妙地摻配雜質(zhì)，就能與合金一起過擴散，以便在已經(jīng)形成的PN結(jié)中獲得雜質(zhì)的恰當?shù)臐舛确植肌４朔ㄟm用于制造高靈敏度的變?nèi)荻O管。
外延型二極管
用外延面長的過程制造PN結(jié)而形成的二極管。制造時需要非常高超的技術(shù)。因能隨意地控制雜質(zhì)的不同濃度的分布，故適宜于制造高靈敏度的變?nèi)荻O管。
肖特基二極管
基本原理是：在金屬（例如鉛）和半導體（N型硅片）的接觸面上，用已形成的肖特基來阻擋反向電壓。肖特基與PN結(jié)的整流作用原理有根本性的差異。其耐壓程度只有40V左右。其特長是：開關(guān)速度非常快：反向恢復時間trr特別地短。因此，能制作開關(guān)二極和低壓大電流整流二極管。
二、根據(jù)用途分類
檢波用二極管
就原理而言，從輸入信號中取出調(diào)制信號是檢波，以整流電流的大小（100mA）作為界線通常把輸出電流小于100mA的叫檢波。鍺材料點接觸型、工作頻率可達400MHz，正向壓降小，結(jié)電容小，檢波效率高，頻率特性好，為2AP型。類似點觸型那樣檢波用的二極管，除用于檢波外，還能夠用于限幅、削波、調(diào)制、混頻、開關(guān)等電路。也有為調(diào)頻檢波專用的特性一致性好的兩只二極管組合件。
整流用二極管
就原理而言，從輸入交流中得到輸出的直流是整流。以整流電流的大小（100mA）作為界線通常把輸出電流大于100mA的叫整流。面結(jié)型，工作頻率小于KHz，最高反向電壓從25伏至3000伏分A～X共22檔。分類如下：①硅半導體整流二極管2CZ型、②硅橋式整流器QL型、③用于電視機高壓硅堆工作頻率近100KHz的2CLG型。
限幅用二極管
大多數(shù)二極管能作為限幅使用。也有象保護儀表用和高頻齊納管那樣的專用限幅二極管。為了使這些二極管具有特別強的限制尖銳振幅的作用，通常使用硅材料制造的二極管。也有這樣的組件出售：依據(jù)限制電壓需要，把若干個必要的整流二極管串聯(lián)起來形成一個整體。
調(diào)制用二極管
通常指的是環(huán)形調(diào)制專用的二極管。就是正向特性一致性好的四個二極管的組合件。即使其它變?nèi)荻O管也有調(diào)制用途，但它們通常是直接作為調(diào)頻用。
混頻用二極管
使用二極管混頻方式時，在500～10,000Hz的頻率范圍內(nèi)，多采用肖特基型和點接觸型二極管。
放大用二極管
用二極管放大，大致有依靠隧道二極管和體效應二極管那樣的負阻性器件的放大，以及用變?nèi)荻O管的參量放大。因此，放大用二極管通常是指隧道二極管、體效應二極管和變?nèi)荻O管。
開關(guān)用二極管
有在小電流下（10mA程度）使用的邏輯運算和在數(shù)百毫安下使用的磁芯激勵用開關(guān)二極管。小電流的開關(guān)二極管通常有點接觸型和鍵型等二極管，也有在高溫下還可能工作的硅擴散型、臺面型和平面型二極管。開關(guān)二極管的特長是開關(guān)速度快。而肖特基型二極管的開關(guān)時間特短，因而是理想的開關(guān)二極管。2AK型點接觸為中速開關(guān)電路用；2CK型平面接觸為高速開關(guān)電路用；用于開關(guān)、限幅、鉗位或檢波等電路；肖特基（SBD）硅大電流開關(guān)，正向壓降小，速度快、效率高。
變?nèi)荻O管
用于自動頻率控制（AFC）和調(diào)諧用的小功率二極管稱變?nèi)荻O管。日本廠商方面也有其它許多叫法。通過施加反向電壓， 使其PN結(jié)的靜電容量發(fā)生變化。因此，被使用于自動頻率控制、掃描振蕩、調(diào)頻和調(diào)諧等用途。通常，雖然是采用硅的擴散型二極管，但是也可采用合金擴散型、外延結(jié)合型、雙重擴散型等特殊制作的二極管，因為這些二極管對于電壓而言，其靜電容量的變化率特別大。
結(jié)電容隨反向電壓VR變化，取代可變電容，用作調(diào)諧回路、振蕩電路、鎖相環(huán)路，常用于電視機高頻頭的頻道轉(zhuǎn)換和調(diào)諧電路，多以硅材料制作。
頻率倍增用二極管
對二極管的頻率倍增作用而言，有依靠變?nèi)荻O管的頻率倍增和依靠階躍（即急變）二極管的頻率倍增。頻率倍增用的變?nèi)荻O管稱為可變電抗器，可變電抗器雖然和自動頻率控制用的變?nèi)荻O管的工作原理相同，但電抗器的構(gòu)造卻能承受大功率。階躍二極管又被稱為階躍恢復二極管，從導通切換到關(guān)閉時的反向恢復時間trr短，因此，其特長是急速地變成關(guān)閉的轉(zhuǎn)移時間顯著地短。如果對階躍二極管施加正弦波，那么，因tt（轉(zhuǎn)移時間）短，所以輸出波形急驟地被夾斷，故能產(chǎn)生很多高頻諧波。
穩(wěn)壓二極管
是代替穩(wěn)壓電子二極管的產(chǎn)品。被制作成為硅的擴散型或合金型。是反向擊穿特性曲線急驟變化的二極管。作為控制電壓和標準電壓使用而制作的。二極管工作時的端電壓（又稱齊納電壓）從3V左右到150V，按每隔10%，能劃分成許多等級。在功率方面，也有從200mW至100W以上的產(chǎn)品。工作在反向擊穿狀態(tài)，硅材料制作，動態(tài)電阻RZ很小，一般為2CW型；將兩個互補二極管反向串接以減少溫度系數(shù)則為2DW型。
PIN型二極管（PIN Diode）
這是在P區(qū)和N區(qū)之間夾一層本征半導體（或低濃度雜質(zhì)的半導體）構(gòu)造的晶體二極管。PIN中的I是“本征”意義的英文略語。當其工作頻率超過100MHz時，由于少數(shù)載流子的存貯效應和“本征”層中的渡越時間效應，其二極管失去整流作用而變成阻抗元件，并且，其阻抗值隨偏置電壓而改變。在零偏置或直流反向偏置時，“本征”區(qū)的阻抗很高；在直流正向偏置時，由于載流子注入“本征”區(qū)，而使“本征”區(qū)呈現(xiàn)出低阻抗狀態(tài)。因此，可以把PIN二極管作為可變阻抗元件使用。它常被應用于高頻開關(guān)（即微波開關(guān)）、移相、調(diào)制、限幅等電路中。
雪崩二極管(Avalanche Diode)
它是在外加電壓作用下可以產(chǎn)生高頻振蕩的晶體管。產(chǎn)生高頻振蕩的工作原理是欒的：利用雪崩擊穿對晶體注入載流子，因載流子渡越晶片需要一定的時間，所以其電流滯后于電壓，出現(xiàn)延遲時間，若適當?shù)乜刂贫稍綍r間，那么，在電流和電壓關(guān)系上就會出現(xiàn)負阻效應，從而產(chǎn)生高頻振蕩。它常被應用于微波領(lǐng)域的振蕩電路中。
江崎二極管 （Tunnel Diode）
它是以隧道效應電流為主要電流分量的晶體二極管。其基底材料是砷化鎵和鍺。其P型區(qū)的N型區(qū)是高摻雜的（即高濃度雜質(zhì)的）。隧道電流由這些簡并態(tài)半導體的量子力學效應所產(chǎn)生。發(fā)生隧道效應具備如下三個條件：①費米能級位于導帶和滿帶內(nèi)；②空間電荷層寬度必須很窄（0.01微米以下）；簡并半導體P型區(qū)和N型區(qū)中的空穴和電子在同一能級上有交疊的可能性。江崎二極管為雙端子有源器件。其主要參數(shù)有峰谷電流比（IP／PV），其中，下標“P”代表“峰”；而下標“V”代表“谷”。江崎二極管可以被應用于低噪聲高頻放大器及高頻振蕩器中（其工作頻率可達毫米波段），也可以被應用于高速開關(guān)電路中。
快速關(guān)斷（階躍恢復）二極管(Step Recovary Diode)
它也是一種具有PN結(jié)的二極管。其結(jié)構(gòu)上的特點是：在PN結(jié)邊界處具有陡峭的雜質(zhì)分布區(qū)，從而形成“自助電場”。由于PN結(jié)在正向偏壓下，以少數(shù)載流子導電，并在PN結(jié)附近具有電荷存貯效應，使其反向電流需要經(jīng)歷一個“存貯時間”后才能降至最小值（反向飽和電流值）。階躍恢復二極管的“自助電場”縮短了存貯時間，使反向電流快速截止，并產(chǎn)生豐富的諧波分量。利用這些諧波分量可設計出梳狀頻譜發(fā)生電路。快速關(guān)斷（階躍恢復）二極管用于脈沖和高次諧波電路中。
肖特基二極管 （Schottky Barrier Diode）
它是具有肖特基特性的“金屬半導體結(jié)”的二極管。其正向起始電壓較低。其金屬層除材料外，還可以采用金、鉬、鎳、鈦等材料。其半導體材料采用硅或砷化鎵，多為N型半導體。這種器件是由多數(shù)載流子導電的，所以，其反向飽和電流較以少數(shù)載流子導電的PN結(jié)大得多。由于肖特基二極管中少數(shù)載流子的存貯效應甚微，所以其頻率響僅為RC時間常數(shù)限制，因而，它是高頻和快速開關(guān)的理想器件。其工作頻率可達100GHz。并且，MIS（金屬－絕緣體－半導體）肖特基二極管可以用來制作太陽能電池或發(fā)光二極管。
阻尼二極管
具有較高的反向工作電壓和峰值電流，正向壓降小，高頻高壓整流二極管，用在電視機行掃描電路作阻尼和升壓整流用。
瞬變電壓抑制二極管
TVP管，對電路進行快速過壓保護，分雙極型和單極型兩種，按峰值功率（500W－5000W）和電壓（8.2V～200V）分類。
雙基極二極管（單結(jié)晶體管）
兩個基極，一個發(fā)射極的三端負阻器件，用于張馳振蕩電路，定時電壓讀出電路中，它具有頻率易調(diào)、溫度穩(wěn)定性好等優(yōu)點。
發(fā)光二極管
用磷化鎵、磷砷化鎵材料制成，體積小，正向驅(qū)動發(fā)光。工作電壓低，工作電流小，發(fā)光均勻、壽命長、可發(fā)紅、黃、綠單色光。
三、根據(jù)特性分類
點接觸型二極管，按正向和反向特性分類如下。
一般用點接觸型二極管
這種二極管正如標題所說的那樣，通常被使用于檢波和整流電路中，是正向和反向特性既不特別好，也不特別壞的中間產(chǎn)品。如：SD34、SD46、1N34A等等屬于這一類。
高反向耐壓點接觸型二極管
是最大峰值反向電壓和最大直流反向電壓很高的產(chǎn)品。使用于高壓電路的檢波和整流。這種型號的二極管一般正向特性不太好或一般。在點接觸型鍺二極管中，有SD38、1N38A、OA81等等。這種鍺材料二極管，其耐壓受到限制。要求更高時有硅合金和擴散型。
高反向電阻點接觸型二極管
正向電壓特性和一般用二極管相同。雖然其反方向耐壓也是特別地高，但反向電流小，因此其特長是反向電阻高。使用于高輸入電阻的電路和高阻負荷電阻的電路中，就鍺材料高反向電阻型二極管而言，SD54、1N54A等等屬于這類二極管。
高傳導點接觸型二極管
它與高反向電阻型相反。其反向特性盡管很差，但使正向電阻變得足夠小。對高傳導點接觸型二極管而言，有SD56、1N56A等等。對高傳導鍵型二極管而言，能夠得到更優(yōu)良的特性。這類二極管，在負荷電阻特別低的情況下，整流效率較高。
二極管選型注意事項：
二極管參數(shù)需降額使用，參考《降額規(guī)范》，請關(guān)注《硬件十萬個為什么》發(fā)送“規(guī)范”。
發(fā)光二極管：
1) 發(fā)光二極管優(yōu)選直徑為5mm的插腳型號.貼片發(fā)光二極管優(yōu)選選用有焊接框架的型號，ESD/MSL等級遵循上述的標準。
2) 發(fā)光二極管優(yōu)選有邊、短腳的；為了保持公司產(chǎn)品的一致性，紅發(fā)紅、綠發(fā)綠等型號優(yōu)選，白發(fā)紅、白發(fā)綠等型號慎選；如果沒有特殊要求，盡量不要使用長腳、無邊的。
3) 發(fā)光二極管優(yōu)選品牌為“億光”。
快恢復二極管：
1)低電壓（耐壓值200V以下）下，高時間特性時選肖特基二極管；
2)肖特基管熱阻和電流都較大，優(yōu)選分立式封裝。通常3A以下可以選擇SOD-123或D-64封裝；3～8A可以選擇D2－PAK封裝；8A以上DO-201、TO-220、TO-3P。
3)在高電壓時選擇PIN結(jié)構(gòu)快恢復二極管。
整流二極管：
1)主要考慮最大整流電流、最大反向工作電流、截止頻率及反向恢復時間等參數(shù)；
2)開關(guān)電源整流、脈沖整流用整流二極管，宜選工作頻率較高、反向恢復時間較短、或選快恢復二極管。
3)低電壓、大電流時整流，選肖特基二極管。
4)同電流等級優(yōu)先選擇反壓最高的型號.如1A以下選用1N4007（M7），3A的選用IN5408。
肖特基二極管：
同電流檔次的保留反壓最高的等級，如：1N5819保留,1N5817禁選， SS14保留，SS12禁選;B340A保留。
穩(wěn)壓二極管：
1)穩(wěn)定電壓值應與應用電路的基準電壓值相同；
2)最大穩(wěn)定電流高于應用電路的最大負載電流50%左右；
3)穩(wěn)壓管在選型時務必注意器件功率的降額處理。實際功率應小于0.5×P。
4)功率在0.5W以下的型號選擇貼片式封裝，0.5W及以上選擇直插式封裝
瞬態(tài)抑制二極管：
1)Vrmax（最大反向工作電壓）≥正常工作電壓。
2)Vcmax（最大鉗位電壓）≤最大允許安全電壓。常規(guī)CMOS電路電源電壓為3～18V，擊穿電壓為22V，則應選Vcmax為18～22V的TVS管。
3)Pp（瞬態(tài)脈沖功率的最大值）=最大峰值脈沖電流Ipmax與Vcmax。Pp大于被保護器件或線路的最大瞬態(tài)
4)浪涌功率。
5)品牌：優(yōu)選NXP和ON。
二極管的檢測（以肖特基為例）
肖特基（Schottky）二極管也稱肖特基勢壘二極管（簡稱SBD），它是一種低功耗、超高速半導體器件，廣泛應用于開關(guān)電源、變頻器、驅(qū)動器等電路，作高頻、低壓、大電流整流二極管、續(xù)流二極管、保護二極管使用，或在微波通信等電路中作整流二極管、小信號檢波二極管使用。
1．性能比較
下表列出了肖特基二極管和超快恢復二極管、快恢復二極管、硅高頻整流二極管、硅高速開關(guān)二極管的性能比較。由表可見，硅高速開關(guān)二極管的trr雖極低，但平均整流電流很小，不能作大電流整流用。
2．檢測方法
下面通過一個實例來介紹檢測肖特基二極管的方法。檢測內(nèi)容包括：①識別電極；②檢查管子的單向?qū)щ娦裕虎蹨y正向?qū)航礦F；④測量反向擊穿電壓VBR。
被測管為B82-004型肖 特基管，共有三個管腳，將管腳按照正面（字面朝向人）從左至右順序編上序號①、②、③。選擇500型萬用表的R×1檔進行測量，全部數(shù)據(jù)整理成下表：
測試結(jié)論：
第一，根據(jù)①—②、③—④間均可測出正向電阻，判定被測管為共陰對管，①、③腳為兩個陽極，②腳為公共陰極。
第二，因①—②、③—②之間的正向電阻只幾歐姆，而反向電阻為無窮大，故具有單向?qū)щ娦浴?/div>
第三，內(nèi)部兩只肖特基二極管的正向?qū)▔航捣謩e為0.315V、0.33V，均低于手冊中給定的最大允許值VFM(0.55V)。
另外使用ZC 25-3型兆歐表和500型萬用表的250VDC檔測出，內(nèi)部兩管的反向擊穿電壓VBR依次為140V、135V。查手冊，B82-004的最高反向工作電壓（即反向峰值電壓）VBR=40V。表明留有較高的安全系數(shù).
二極管的參數(shù)解釋
常規(guī)參數(shù)：正向壓降、反向擊穿電壓、連續(xù)電流、反向漏電等；
交流參數(shù)：開關(guān)速度、存貯時間、截止頻率、阻抗、結(jié)電容等；
極限參數(shù)：最大耗散功率、工作溫度、存貯條件、最大整流電流等。
我們知道二極管具有容易從P型向N型半導體通過電流,而在相反方向不易通過的的特性。這兩種特性合起來就產(chǎn)生了電容器的作用,即蓄積電荷的作用。蓄積有電荷,當然要放電。放電可以在任何方向進行。而二極管只在一個方向有電流流過這種說法,嚴格來說是不成立的。這種情況在高頻時就明顯表現(xiàn)出來。因此,二極管的極電容以小為好。
最大額定值
最大反向峰值電壓VRM 即使沒有反向電流,只要不斷地提高反向電壓,遲早會使二極管損壞。這種能加上的反向電壓,不是瞬時電壓,而是反復加上的正反向電壓。因給整流器加的是交流電壓,它的最大值是規(guī)定的重要因子。
最大直流反向電壓VR 上述最大反向峰值電壓是反復加上的峰值電壓,VR是連續(xù)加直流電壓時的值。用于直流電路,最大直流反向電壓對于確定允許值和上限值是很重要的。
最大浪涌電流Isurge
允許流過的過量的正向電流。它不是正常電流,而是瞬間電流,這個值相當大。
最大平均整流電流IO
在半波整流電路中,流過負載電阻的平均整流電流的最大值。這是設計時非常重要的值。
最大交流輸入電壓VI
在半波整流電路(電阻負荷)上加的正弦交流電壓的有效值。這也是選擇整流器時非常重要的參數(shù)。最大峰值正向電流IFM 正向流過的最大電流值,這也是設計整流電路時的重要參數(shù)。
最大功率P
二極管中有電流流過,就會吸熱,而使自身溫度升高。最大功率P為功率的最大值。具體講就是加在二極管兩端的電壓乘以流過的電流。這個極限參數(shù)對穩(wěn)壓二極管,可變電阻二極管顯得特別重要。
反向電流IR
一般說來,二極管中沒有反向電流流過,實際上,加一定的反向電壓,總會有電流流過,這就是反向電流。不用說,好的二極管,反向電流較小。
反向恢復時間tre
指在規(guī)定的負載、正向電流及最大反向瞬態(tài)電壓下的反向恢復時間。從正向電壓變成反向電壓時,理想情況是電流能瞬時截止,實際上,一般要延遲一點點時間。決定電流截止延時的量,就是反向恢復時間。雖然它直接影響二極管的開關(guān)速度,但不一定說這個值小就好。
IF— 最大平均整流電流。
指二極管期工作時允許通過的最大正向平均電流。該電流由PN結(jié)的結(jié)面積和散熱條件決定。使用時應注意通過二極管的平均電流不能大于此值，并要滿足散熱條件。例如1N4000系列二極管的IF為1A。
VR— 最大反向工作電壓。
指二極管兩端允許施加的最大反向電壓。若大于此值，則反向電流(IR)劇增，二極管的單向?qū)щ娦员黄茐模瑥亩鸱聪驌舸ＭǔＨ》聪驌舸╇妷?VB)的一半作為(VR)。例如1N4001的VR為50V，1N4007的VR為1OOOV.
IR— 反向電流。
指二極管未擊穿時反向電流值。溫度對IR的影響很大。例如1N4000系列二極管在100°C條件IR應小于500uA;在25°C時IR應小于5uA。
VR— 擊穿電壓。
指二極管反向伏安特性曲線急劇彎曲點的電壓值。反向為軟特性時，則指給定反向漏電流條件下的電壓值。
fm— 最高工作頻率。
主要由PN結(jié)的結(jié)電容及擴散電容決定，若工作頻率超過fm，則二極管的單向?qū)щ娦阅軐⒉荒芎芎玫伢w現(xiàn)。例如1N4000系列二極管的fm為3kHz。
CO— 零偏壓電容。
指二極管兩端電壓為零時，擴散電容及結(jié)電容的容量之和。值得注意的，由于制造工藝的限制，即使同一型號的二極管其參數(shù)的離散性也很大。手冊中給出的參數(shù)往往是一個范圍，若測試條件改變，則相應的參數(shù)也會發(fā)生變化，例如在25°C時測得1N5200系列硅塑封整流二極管的IR小于1OuA，而在 100°C時IR則變?yōu)樾∮?00uA。
穩(wěn)壓二極管的主要參數(shù)
Vz— 穩(wěn)定電壓。
指穩(wěn)壓管通過額定電流時兩端產(chǎn)生的穩(wěn)定電壓值。該值隨工作電流和溫度的不同而略有改變。由于制造工藝的差別，同一型號穩(wěn)壓管的穩(wěn)壓值也不完全一致。例如，2CW51型穩(wěn)壓管的Vzmin為3.0V, Vzmax則為3.6V。
Iz— 穩(wěn)定電流。
指穩(wěn)壓管產(chǎn)生穩(wěn)定電壓時通過該管的電流值。低于此值時，穩(wěn)壓管雖并非不能穩(wěn)壓，但穩(wěn)壓效果會變差;高于此值時，只要不超過額定功率損耗，也是允許的，而且穩(wěn)壓性能會好一些，但要多消耗電能。
Rz— 動態(tài)電阻。
指穩(wěn)壓管兩端電壓變化與電流變化的比值。該比值隨工作電流的不同而改變，一般是工作電流愈大，動態(tài)電阻則愈小。例如，2CW7C穩(wěn)壓管的工作電流為 5mA時，Rz為18Ω;工作電流為1OmA時，Rz為8Ω;為20mA時，Rz為2Ω ; > 20mA則基本維持此數(shù)值。
Pz— 額定功耗。
由芯片允許溫升決定，其數(shù)值為穩(wěn)定電壓Vz和允許最大電流Izm的乘積。例如2CW51穩(wěn)壓管的Vz為3V，Izm為20mA，則該管的Pz為60mWo
Ctv— 電壓溫度系數(shù)。
是說明穩(wěn)定電壓值受溫度影響的參數(shù)。例如2CW58穩(wěn)壓管的Ctv是+0.07%/°C，即溫度每升高1°C，其穩(wěn)壓值將升高0.07%。
IR— 反向漏電流。
指穩(wěn)壓二極管在規(guī)定的反向電壓下產(chǎn)生的漏電流。例如2CW58穩(wěn)壓管的VR=1V時，IR=O.1uA;在VR=6V時，IR=10uA。
其他參數(shù)
CT---勢壘電容
Cj---結(jié)（極間）電容， 表示在二極管兩端加規(guī)定偏壓下，鍺檢波二極管的總電容
Cjv---偏壓結(jié)電容
Co---零偏壓電容
Cjo---零偏壓結(jié)電容
Cjo/Cjn---結(jié)電容變化
Cs---管殼電容或封裝電容
Ct---總電容
CTV---電壓溫度系數(shù)。在測試電流下，穩(wěn)定電壓的相對變化與環(huán)境溫度的絕對變化之比
CTC---電容溫度系數(shù)
Cvn---標稱電容
IF---正向直流電流（正向測試電流）。鍺檢波二極管在規(guī)定的正向電壓VF下，通過極間的電流；硅整流管、硅堆在規(guī)定的使用條件下，在正弦半波中允許連續(xù)通過的最大工作電流（平均值），硅開關(guān)二極管在額定功率下允許通過的最大正向直流電流；測穩(wěn)壓二極管正向電參數(shù)時給定的電流
IF（AV）---正向平均電流
IFM（IM）---正向峰值電流（正向最大電流）。在額定功率下，允許通過二極管的最大正向脈沖電流。發(fā)光二極管極限電流。
IH---恒定電流、維持電流。
Ii--- 發(fā)光二極管起輝電流
IFRM---正向重復峰值電流
IFSM---正向不重復峰值電流（浪涌電流）
Io---整流電流。在特定線路中規(guī)定頻率和規(guī)定電壓條件下所通過的工作電流
IF(ov)---正向過載電流
IL---光電流或穩(wěn)流二極管極限電流
ID---暗電流
IB2---單結(jié)晶體管中的基極調(diào)制電流
IEM---發(fā)射極峰值電流
IEB10---雙基極單結(jié)晶體管中發(fā)射極與第一基極間反向電流
IEB20---雙基極單結(jié)晶體管中發(fā)射極向電流
ICM---最大輸出平均電流
IFMP---正向脈沖電流
IP---峰點電流
IV---谷點電流
IGT---晶閘管控制極觸發(fā)電流
IGD---晶閘管控制極不觸發(fā)電流
IGFM---控制極正向峰值電流
IR（AV）---反向平均電流
IR（In）---反向直流電流（反向漏電流）。在測反向特性時，給定的反向電流；硅堆在正弦半波電阻性負載電路中，加反向電壓規(guī)定值時，所通過的電流；硅開關(guān)二極管兩端加反向工作電壓VR時所通過的電流；穩(wěn)壓二極管在反向電壓下，產(chǎn)生的漏電流；整流管在正弦半波最高反向工作電壓下的漏電流。
IRM---反向峰值電流
IRR---晶閘管反向重復平均電流
IDR---晶閘管斷態(tài)平均重復電流
IRRM---反向重復峰值電流
IRSM---反向不重復峰值電流（反向浪涌電流）
Irp---反向恢復電流
Iz---穩(wěn)定電壓電流（反向測試電流）。測試反向電參數(shù)時，給定的反向電流
Izk---穩(wěn)壓管膝點電流
IOM---最大正向（整流）電流。在規(guī)定條件下，能承受的正向最大瞬時電流；在電阻性負荷的正弦半波整流電路中允許連續(xù)通過鍺檢波二極管的最大工作電流
IZSM---穩(wěn)壓二極管浪涌電流
IZM---最大穩(wěn)壓電流。在最大耗散功率下穩(wěn)壓二極管允許通過的電流
iF---正向總瞬時電流
iR---反向總瞬時電流
ir---反向恢復電流
Iop---工作電流
Is---穩(wěn)流二極管穩(wěn)定電流
f---頻率
n---電容變化指數(shù)；電容比
Q---優(yōu)值（品質(zhì)因素）
δvz---穩(wěn)壓管電壓漂移
di/dt---通態(tài)電流臨界上升率
dv/dt---通態(tài)電壓臨界上升率
PB---承受脈沖燒毀功率
PFT（AV）---正向?qū)ㄆ骄纳⒐β?/div>
PFTM---正向峰值耗散功率
PFT---正向?qū)偹矔r耗散功率
Pd---耗散功率
PG---門極平均功率
PGM---門極峰值功率
PC---控制極平均功率或集電極耗散功率
Pi---輸入功率
PK---最大開關(guān)功率
PM---額定功率。硅二極管結(jié)溫不高于150度所能承受的最大功率
PMP---最大漏過脈沖功率
PMS---最大承受脈沖功率
Po---輸出功率
PR---反向浪涌功率
Ptot---總耗散功率
Pomax---最大輸出功率
Psc---連續(xù)輸出功率
PSM---不重復浪涌功率
PZM---最大耗散功率。在給定使用條件下，穩(wěn)壓二極管允許承受的最大功率
RF（r）---正向微分電阻。在正向?qū)〞r，電流隨電壓指數(shù)的增加，呈現(xiàn)明顯的非線性特性。在某一正向電壓下，電壓增加微小量△V，正向電流相應增加△I，則△V/△I稱微分電阻
RBB---雙基極晶體管的基極間電阻
RE---射頻電阻
RL---負載電阻
Rs(rs)----串聯(lián)電阻
Rth----熱阻
R(th)ja----結(jié)到環(huán)境的熱阻
Rz(ru)---動態(tài)電阻
R(th)jc---結(jié)到殼的熱阻
r δ---衰減電阻
r(th)---瞬態(tài)電阻
Ta---環(huán)境溫度
Tc---殼溫
td---延遲時間
tf---下降時間
tfr---正向恢復時間
tg---電路換向關(guān)斷時間
tgt---門極控制極開通時間
Tj---結(jié)溫
Tjm---最高結(jié)溫
ton---開通時間
toff---關(guān)斷時間
tr---上升時間
trr---反向恢復時間
ts---存儲時間
tstg---溫度補償二極管的貯成溫度
a---溫度系數(shù)
λp---發(fā)光峰值波長
△ λ---光譜半寬度
η---單結(jié)晶體管分壓比或效率
VB---反向峰值擊穿電壓
Vc---整流輸入電壓
VB2B1---基極間電壓
VBE10---發(fā)射極與第一基極反向電壓
VEB---飽和壓降
VFM---最大正向壓降（正向峰值電壓）
VF---正向壓降（正向直流電壓）
△VF---正向壓降差
VDRM---斷態(tài)重復峰值電壓
VGT---門極觸發(fā)電壓
VGD---門極不觸發(fā)電壓
VGFM---門極正向峰值電壓
VGRM---門極反向峰值電壓
VF（AV）---正向平均電壓
Vo---交流輸入電壓
VOM---最大輸出平均電壓
Vop---工作電壓
Vn---中心電壓
Vp---峰點電壓
VR---反向工作電壓（反向直流電壓）
VRM---反向峰值電壓（最高測試電壓）
V（BR）---擊穿電壓
Vth---閥電壓（門限電壓）
VRRM---反向重復峰值電壓（反向浪涌電壓）
VRWM---反向工作峰值電壓
V v---谷點電壓
Vz---穩(wěn)定電壓
△Vz---穩(wěn)壓范圍電壓增量
Vs---通向電壓（信號電壓）或穩(wěn)流管穩(wěn)定電流電壓
av---電壓溫度系數(shù)
Vk---膝點電壓（穩(wěn)流二極管）
VL ---極限電壓
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