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IGBT的并聯(lián)知識點梳理：靜態(tài)變化、動態(tài)變化、熱系數(shù)
大功率系統(tǒng)需要并聯(lián) IGBT來處理高達(dá)數(shù)十千瓦甚至數(shù)百千瓦的負(fù)載，并聯(lián)器件可以是分立封裝器件，也可以是組裝在模塊中的裸芯片。這樣做可以獲得更高的額定電流、改善散熱，有時也是為了系統(tǒng)冗余。部件之間的工藝變化以及布局變化，會影響并聯(lián)器件的靜態(tài)和動態(tài)電流分配。系統(tǒng)設(shè)計工程師需要了解這些，...
2025-01-16
IGBT 并聯(lián) 靜態(tài)變化 動態(tài)變化 熱系數(shù)
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用于狀態(tài)監(jiān)測的振動傳感器
機械振動可能由于內(nèi)部或外部因素而發(fā)生。內(nèi)部因素是機器條件所固有的。內(nèi)部因素的例子有磨損、不平衡力和共振。當(dāng)齒輪、滾柱軸承和傳動皮帶等高強度運動部件磨損時，磨損會產(chǎn)生振動。不平衡力可能是由于機器軸未對準(zhǔn)或旋轉(zhuǎn)軸周圍的重量不平衡造成的。共振是一種可以放大振動的現(xiàn)象。當(dāng)一個物體的振...
2025-01-13
狀態(tài)監(jiān)測 振動傳感器
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第13講：超小型全SiC DIPIPM
三菱電機從1997年開始將DIPIPM產(chǎn)品化，廣泛應(yīng)用于空調(diào)、洗衣機、冰箱等白色家用電器，以及通用變頻器、機器人等工業(yè)設(shè)備。本公司的DIPIPM功率模塊采用壓注模結(jié)構(gòu)，由功率芯片和具有驅(qū)動及保護(hù)功能的控制IC芯片組成。通過優(yōu)化功率芯片和控制IC，預(yù)先調(diào)整了開關(guān)速度等特性。搭載驅(qū)動電路、保護(hù)電路、...
2025-01-09
SiC DIPIPM
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深化綠色承諾，ST與彭水共繪可持續(xù)發(fā)展新篇章
作為全球最早承諾實現(xiàn)碳中和的半導(dǎo)體企業(yè)之一，意法半導(dǎo)體將可持續(xù)發(fā)展視為釋放企業(yè)競爭力，推動產(chǎn)業(yè)增長的重要手段。通過研發(fā)碳化硅等綠色技術(shù)和產(chǎn)品，堅持可持續(xù)發(fā)展的方式，打造為利益相關(guān)者創(chuàng)造長遠(yuǎn)價值的可持續(xù)企業(yè)，助力全球綠色生產(chǎn)力的蓬勃發(fā)展。
2025-01-09
ST 彭水 可持續(xù)發(fā)展
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原來為硅MOSFET設(shè)計的DC－DC控制器能否用來驅(qū)動GaNFET?
眾所周知，GaNFET比較難驅(qū)動，如果使用原本用于驅(qū)動硅(Si) MOSFET的驅(qū)動器，可能需要額外增加保護(hù)元件。適當(dāng)選擇正確的驅(qū)動電壓和一些小型保護(hù)電路，可以為四開關(guān)降壓-升壓控制器提供安全、一體化、高頻率GaN驅(qū)動。
2025-01-07
硅MOSFET DC－DC控制器 GaNFET
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PNP 晶體管：特性和應(yīng)用
您可能很清楚，現(xiàn)代電氣工程乃至整個現(xiàn)代世界都與晶體管設(shè)備有著千絲萬縷的聯(lián)系。這些組件既充當(dāng)開關(guān)又充當(dāng)放大器。盡管場效應(yīng)晶體管目前在電子領(lǐng)域占據(jù)主導(dǎo)地位，但初的晶體管是雙極晶體管，并且很快個雙極結(jié)晶體管（BJT）就緊隨其后。
2025-01-07
PNP 晶體管
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柵極驅(qū)動器選得好，SiC MOSFET高效又安全
硅基MOSFET和IGBT過去一直在電力電子應(yīng)用行業(yè)占據(jù)主導(dǎo)地位，這些應(yīng)用包括不間斷電源、工業(yè)電機驅(qū)動、泵以及電動汽車（EV）等。然而，市場對更小型化產(chǎn)品的需求，以及設(shè)計人員面臨的提高電源能效的壓力，使得碳化硅（SiC）MOSFET成為這些應(yīng)用中受歡迎的替代品。
2025-01-06
柵極驅(qū)動器 SiC MOSFET
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步進(jìn)電機中的脈寬調(diào)制與正弦控制
步進(jìn)電機是需要運動控制的工業(yè)系統(tǒng)中的重要組成部分。它們依靠電機驅(qū)動來解碼脈沖輸入并生成輸出電流。良好的控制系統(tǒng)使用特定的算法為電機繞組產(chǎn)生電流，以實現(xiàn)步進(jìn)電機旋轉(zhuǎn)的增量。該算法控制速度、位置、步長分辨率和效率。脈寬調(diào)制 (PWM) 和正弦控制等控制方法可生成運動控制所需的電流。
2025-01-02
步進(jìn)電機 脈寬調(diào)制 正弦控制
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ESR 對陶瓷電容器選擇的影響（上）
在理想化的情境下，電容器的設(shè)計理論上可以追求零電阻狀態(tài)。然而，這在物理現(xiàn)實中無法實現(xiàn)，因為電容器內(nèi)部總會不可避免地存在一種與電容本身串聯(lián)的內(nèi)部電阻，即所謂的等效串聯(lián)電阻（ESR）。不同類型的電容器，其ESR值會有所差異，這一差異受多種因素的綜合影響，如介電材料的選用、操作頻率的高低...
2025-01-02
ESR 陶瓷電容器
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