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雙運放電流源的基本操作
合適的設備概念應允許一定的設計自由度，以便適應各種任務概況的需求，而無需對處理和布局進行重大改變。然而，關鍵性能指標仍然是所選器件概念的低面積比電阻，與其他列出的參數(shù)相結(jié)合。圖 1 列出了一些被認為必不可少的參數(shù)，還可以添加更多參數(shù)。
2023-12-29
雙運放 電流源
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關于電阻溫度系數(shù)、測量和結(jié)構(gòu)影響 這篇文章說透了
電阻溫度系數(shù)（TCR 或 RTC）是上述缺陷的熱能因素的特征。假設晶粒結(jié)構(gòu)沒有因極端脈沖/過載事件導致的高溫而改變，則當溫度恢復到參考溫度時，這種電阻變化帶來的影響是可逆的。對于 Power Metal Strip? 和 Power Metal Plate? 產(chǎn)品，這將是一個導致電阻合金超過 350℃ 的溫度。
2023-12-28
電阻溫度 系數(shù) 測量 結(jié)構(gòu)
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具有改進熱管理功能的板載電源
Traco Power 的 TC 130 系列是一款封閉式板裝式 130 W AC-DC 電源，采用傳導冷卻設計，與金屬機箱或底板配合使用時可實現(xiàn)更好的熱管理。在這種傳導冷卻配置中，電源可以在高達 50 °C 的環(huán)境溫度下提供 100% 的額定功率，而無需強制風冷。功率降額或添加風扇冷卻使電源能夠在高達 85°C 的環(huán)境中運行。
2023-12-27
熱管理 板載電源
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設計三相PFC請務必優(yōu)先考慮這幾點！
三相功率因數(shù)校正(PFC)系統(tǒng)（或也稱為有源整流或有源前端系統(tǒng)）正引起極大的關注，近年來需求急劇增加。之前我們介紹了三相功率因數(shù)校正系統(tǒng)的優(yōu)點。本文為系列文章的第二部分，將主要介紹設計三相PFC時的注意事項。
2023-12-26
三相 PFC
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MOS非理想性對VLSI電路可靠性的影響
在快速 VLSI 電路中，晶體管每秒開關數(shù)百萬次。在開關過程中，被稱為“熱載流子”的高能載流子（電子或空穴）很容易注入并捕獲在柵極氧化物中。這種熱載流子注入會導致柵極氧化物中出現(xiàn)雜質(zhì)，從而改變器件的 I-V 特性。
2023-12-14
MOS VLSI電路
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SiC SBD/超結(jié)MOS在工業(yè)電源上的應用
工業(yè)電源是指用于工業(yè)及相關領域中的電子設備與設施的電源系統(tǒng)，其重要性體現(xiàn)在為各類工業(yè)設備提供穩(wěn)定的電力保障，維護設備正常運行，故需具有穩(wěn)定可靠、高效節(jié)能、安全耐用等特點。
2023-12-11
SiC SBD 超結(jié)MOS 工業(yè)電源
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半導體產(chǎn)業(yè)如何善用AI驅(qū)動自動化創(chuàng)新？
人工智能(AI) 正在改變世界，并在許多方面改善我們的生活。半導體產(chǎn)業(yè)在AI變革中扮演著關鍵角色，因為它不只提供AI應用所需的強大運算芯片，還使用AI來增強其企業(yè)內(nèi)部的運營與管理、客戶服務、辦公流程、系統(tǒng)/產(chǎn)品/電路設計以及制造。在這篇文章中，我們將重點介紹AI如何協(xié)助制造自動化。
2023-12-08
半導體 AI驅(qū)動
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碳化硅MOS管在三相逆變器上的應用
三相逆變器的定義是將直流電能轉(zhuǎn)換為交流電能的轉(zhuǎn)換器，其基本原理就是SPWM，硬件架構(gòu)為四個功率模塊組成單相、三相橋式電路，橋式輸出至負載間串接低通濾波元件，控制回路具有兩個信號產(chǎn)生源，一個是固定幅值的三角波（調(diào)制波）發(fā)生器，一個為正弦波發(fā)生器，利用三角波對正弦波進行調(diào)制，就會得到...
2023-12-08
碳化硅MOS管 三相逆變器 瑞森半導體
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輕松簡化模擬輸入模塊設計的系統(tǒng)級ADC
為可編程邏輯控制器(PLC)或分布式控制系統(tǒng)(DCS)模塊等過程控制應用設計模擬輸入模塊時，主要權(quán)衡因素通常是性價比。傳統(tǒng)上，此應用領域使用雙極性±15 V 電源軌來提供有源前端組件，用于輸入信號的衰減或增益。這會影響物料清單(BOM)的成本，而創(chuàng)建隔離雙極電源會增加設計的復雜性。
2023-12-07
模擬輸入 模塊設計 系統(tǒng)級 ADC
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